岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 論文
- ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.105-106, 2023-11 - SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.103-104, 2023-11 - 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.101-102, 2023-11 - 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(22)/pp.37-38, 2024-03 - SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(19)/pp.32-33, 2024-03 - 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(20)/pp.34-35, 2024-03-14 - Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.Mo.C.11, 2023-09 - Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.C.1, 2023-09 - 電気ー熱ー応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法
Yao Kairun; 岩室 憲幸
電気学会論文誌C (電子・情報・システム部門誌)/144(3)/pp.204-211, 2024-3 - Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.250-253, 2023-05 - An investigation of avalanche ruggedness and failure mechanisms of 4H SiC trench MOSFETs in unclamped inductive switching by varying load inductances over a wide range
Tsuji Takashi; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(4), 2023-04 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-5-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanak...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harad...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22 - 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定
松岡亨卓; 磯部 高範; 加藤史樹; 先崎純寿; 佐藤弘; 岩室憲幸
2022年電気学会産業応用部門大会, 2022-08 - Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116/pp.113-116, 2022-05-22 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26 - AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-122, 2022-09-20 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.91-92, 2022-12-20 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.75-75, 2022-12-20 - Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs
柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1073)/pp.SC2073-1-SC1073-10, 2023-02 - Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs
北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1007)/pp.SC1007-1-SC1007-9, 2022-12 - さらに表示...
- ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価