岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 論文
- Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection
松井ケビン; 俵 武志; 原田 信介; 田中聡; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING/18(2)/pp.278-285, 2022-10 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-5-22 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-138, 2022-03-22 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集/pp.61-62, 2021-12-09 - TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和4年電気学会全国大会 予稿集/pp.4-5, 2022-03-21 - モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会 予稿集/pp.95-96, 2021-12-09 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-015, 2022-03-22 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 予稿集/pp.27-28, 2021-12-09 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
姚 凱倫; 加藤史樹; 田中聡; 原田信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-05 - Impact of Negative Gate Bias and Inductive Load on the Single-Pulse Avalanche Capability of 1200-V SiC Trench MOSFETs
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
IEEE Transactions on Electron Devices/69(2)/pp.637-643, 2022-02 - 自動車電動化へ向けたSiC/GaN パワーデバイスの最新開発状況と課題
岩室 憲幸
車載テクノロジー, 2021-09 - 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.61-62, 2020-12 - Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-098, 2020-03 - On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-261, 2020-03 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.69-70, 2020-12 - SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.7-8, 2020-03 - SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.9-10, 2020-03 - 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.1-2, 2020-03 - 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.11-12, 2020-03 - 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
柏 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会 予稿集/pp.5-6, 2021-03 - 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
松井ケビン; 饗場 塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会 予稿集/pp.7-8, 2021-03 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-150, 2021-03 - 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-149, 2021-03 - さらに表示...
- Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection