岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 会議発表等
- Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - SiC MOSFET高性能化に向けた最新技術
岩室 憲幸
第4回WBG実装コンソーシアム/2023-02-22 - SiC MOSFET高性能化・高信頼化の進展
岩室 憲幸
ワイドギャップ半導体学会第8回研究会/2022-10-6--2022-10-7 - Investigations of UIS failure mechanism in state-of-the-art 1.2-kV SiC trench MOSFETs using TCAD simulations
Iwamuro Noriyuki
The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM-2022)/2022-11-14--2022-11-16 - 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27 - SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17 - SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - パワーデバイスの最新動向
岩室 憲幸
Advanced Metallization Conference 2021, Asia Session (ADMETA plus 2021), 30回記念講演/2021-10-13 - Siパワー半導体の最新技術ど技術課題
岩室 憲幸
公）精密工学会 プラナリゼーション CMP とその応用技術専門委員会,第193回研究会/2021-10-08 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和4年電気学会全国大会/2022-03-21--2022-03-23 - さらに表示...
- Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis