岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 論文
- Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.219-222, 2021-05 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.215-218, 2021-05 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.115-118, 2021-05 - Power Semiconductors Beef up Roles in 5G, Electrified Vehicles
Iwamuro Noriyuki
Asia Electronic Industry/pp.23-25, 2020-07 - Investigations of short-circuit failure in double trench SiC MOSFETs through three-dimensional electro-thermal-mechanical stress analysis
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Microelectronics Reliability/122/pp.114163-1-114163-10, 2021-07 - Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method
坂田 大輝; 岡本 大; Sometani M.; Okamoto M.; Hirai H.; Harada S.; ...
Japanese Journal of Applied Physics/60(6)/pp.060901-1-060901-4, 2021-06 - Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
金森 大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of PCIM Asia, 2020/pp.25-29, 2020-11 - Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020/pp.174-177, 2020-09 - Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
大川 雅貴; 金森 大河; 饗場 塁士; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki; 原田信介
Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020/pp.74-77, 2020-9 - Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal
饗場 塁士; 松井ケビン; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
IEEE Electron Device Letters/41(12)/pp.1810-1813, 2020-12 - Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes
松島 宏行; Y.Mori; 島 明夫; Iwamuro Noriyuki
Japanese Journal of Applied Physics/59(10)/pp.104003-1-104003-8, 2020-10 - Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses
Yao Kailun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro Noriyuki
IEEE Transactions on Electron Devices/67(10)/pp.4328-4334, 2020-10 - Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
Zhang Xufang; Matsumoto Tsubasa; Sakurai Ukyo; Makino ...
CARBON/168/pp.659-664, 2020-10 - Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
Japanese Journal of Applied Physics/59(4)/pp.044003-1-044003-6, 2020-04 - SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会 予稿集/pp.97-100, 2020-01 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.85-86, 2019-12 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.87-88, 2019-12 - ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.89-90, 2019-12 - 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-251, 2019-09 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-248, 2019-09 - Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09 - Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09 - Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09 - Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09 - さらに表示...
- Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs