岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 論文
- Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09 - Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本 光央; 原田 信介; 畠山 哲夫; Iwamuro Nori...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09 - 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFET with extension structure and titanium-based single contact
清水悠佳; Watanabe Naoki; Morikawa Takahiro; Shima Akio; Iwamu...
Japanese Journal of Applied Physics/59(2)/pp.026502-1-026502-7, 2020-01 - Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
髙嶋 薫; 飯島 竜司; 萬年 智介; 磯部 高範; 只野 博; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019), 2019-10 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.105-106, 2018-11 - Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光央; 張 旭芳; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.101-102, 2018-11 - Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Har...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会 予稿集/pp.221-224, 2019-01 - Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.10-11, 2019-03 - SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.18-19, 2019-03 - SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.22-23, 2019-03 - SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.12-13, 2019-03 - Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張旭芳; Iwamuro Noriy...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.04, 2018-09 - Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原田 信介; Iwamuro ...
Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.We.P.MI6, 2018-09 - Zソースインバータにおける負荷短絡を考慮したインピーダンスソースの設計
高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会, 2019-03 - Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討
高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, 2018-09 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.167-170, 2019-05 - Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.187-190, 2019-05 - Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures
Iwamuro Noriyuki
Proceedings of International Conference on Electronic Packageing 2019/pp.260-264, 2019-04 - Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Proceedings of The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/pp.23-26, 2019-05 - Recent Progress of SiC MOSFET Devices
Iwamuro Noriyuki
Material Science Forum/954/pp.90-98, 2019-05 - First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
IEEE Journal of Electron Devices Society/7(1)/pp.613-620, 2019-06 - 最新パワー半導体デバイスの開発動向
岩室 憲幸
エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集/29(0)/pp.484-486, 2015 - 相補型インバータにおけるSiC-pMOSFETの性能に対する電圧利用率の検討
吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
平成30年電気学会全国大会, 2018-03 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsu...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11 - Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani M...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11 - さらに表示...
- Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length