岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 会議発表等
- 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures - Competion with state-of-the-art Si-IGBT -
Iwamuro Noriyuki
International Conference on Electronics Packaging (ICEP)/2019-04-17--2019-04-20 - Investigation of UIS Capability for-600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
Yao Kailun; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
Okawa Masataka; Aiba Ruito; Kanamori Taiga; Yano Hiroshi...
31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)/2019-05-19--2019-05-23 - Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本 光央; 原田 信介; 畠山 哲夫; Iwamuro Nori...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4 - Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
髙嶋 薫; 飯島 竜司; 萬年 智介; 磯部 高範; 只野 博; Iwamuro Noriyuki
The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019)/2019-10-14--2019-10-17 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21 - パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
岩室 憲幸
電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2019-7-17 - シリコンならびにSiCパワー半導体デバイスの最新技術動向
岩室 憲幸
第6回電子デバイスフォーラム京都/2019-11-1 - TCADを用いた最先端SiCトレンチMOSFETの破壊メカニズム解析
岩室 憲幸
シノプシスSEGセミナー2019/2019-10-9 - Device Design and Characteristics of SiC MOSFETs
Iwamuro Noriyuki
ICSCRM 2019 Tutorial/2019-09-30 - Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs
Iwamuro Noriyuki
National Tsing Hua University (Taiwan)/2019-05-27 - Power Semicouductor Devices and Their Future
岩室 憲幸
Int. Symp. Semiconductor Technology Innovation for Next Distinguished Evolutional World 2019/2019-9-5 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4 - Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
岩室 憲幸
2018エレクトロニクス実装学会 最先端実装技術シンポジウム/2018-06-07--2018-06-07 - Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Har...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - さらに表示...
- 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析