岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 会議発表等
- 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru; Ha...
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - チャージポンピング法による4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析
王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface
Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru; Ha...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会/2017-01-20--2017-01-21 - 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性
王緒昆; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性
天野貴章; 岡本大; 原田信介; 畠山哲夫; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications
An J.; Namai M.; Tanabe M.; Okamoto D.; Yano Hiroshi; Iwa...
International Electron Device Meeting 2016 (IEDM2016)/2016-12-03--2016-12-07 - Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability
Namai M.; An J.; Yano Hiroshi; Iwamuro N.
The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017)/2017-05-29--2017-06-01 - 試作SiC-pチャネルMOSFETを適用したフル-SiC相補型インバータの実機検証
奥田 一真; 高嶋 薫; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
平成29年 電気学会全国大会/2017-03-15--2017-03-17 - デッドタイムによる問題を解消する相補型インバータの研究”，電子デバイス/半導体電力変換合同研究会
奥田 一真; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会/2016-11-14--2016-11-15 - A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction
Okuda Kazuma; Isobe Takanori; Tadano Hiroshi; Iwamuro No...
18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE)/2016-09-05--2016-09-09 - Evaluation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test
Junjie An; Masaki Namai; Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Hiroshi T...
The International Conference on Electrical Engineering 2016/2016-7-3--2016-7-7 - 相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討
奥田一真; 磯部高範; 矢野 裕司; 岩室憲幸; 只野博
パワーエレクトロニクス学会 第206回定例研究会/2014-12-20 - Electrothermal Evaluation of SiC MOSFETs during Unclamped Inductive Switching
安俊傑; 生井正輝; 岡本大; 矢野裕司; 只野博; 岩室憲幸
平成28年電気学会全国大会/2016-03-16--2016-03-18 - Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society
Iwamuro Noriyuki
Japan-Norway Energy Science Week 2015/2015-05-27 - Electrothermal evaluation of SiC MOSFETs during unclamped inductive switching
岩室 憲幸
平成28年電気学会全国大会/2016-03-16--2016-03-19 - デッドタイムを最小化する相補型インバータ及びそのゲート駆動回路の検討
奥田 一真; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
平成27年電気学会産業応用部門大会/2015-09-02--2015-09-04 - SiC-MOSFETによる無アーク低ノイズ開閉器
只野 博; 嶋田 隆一; 磯部 高範; 岩室 憲幸
2016年電気学会全国大会/2016-03-16--2016-03-18 - SiC-MOSFETのUIS耐量評価
生井 正輝; 安 俊傑; 岡本 大; 矢野 裕司; 只野 博; 岩室 憲幸
平成28年電気学会全国大会/2016-03-16--2016-03-18 - パワーデバイスの最新技術動向
岩室 憲幸
第1回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会/2014-06-27 - SiならびにSiCパワーデバイスと応用機器開発
岩室 憲幸
電子情報通信学会全国大会/2014-03-20 - 第25回パワー半導体デバイス国際シンポジウム（ISPSD2013）概要報告
岩室 憲幸
SiC研究会/2013-12-10
- 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成