岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 会議発表等
- Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会/2018-01-18--2018-01-20 - Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Futures
Iwamuro Noriyuki
IEEE-CPMT Symposium Japan (ICSJ)/2017-11-20--2017-11-22 - 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性
王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)/2016-12-07--2016-12-10 - 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析
岡本大; 張旭芳; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru; Ha...
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - チャージポンピング法による4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析
王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface
Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru; Ha...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会/2017-01-20--2017-01-21 - 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性
王緒昆; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性
天野貴章; 岡本大; 原田信介; 畠山哲夫; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications
An J.; Namai M.; Tanabe M.; Okamoto D.; Yano Hiroshi; Iwa...
International Electron Device Meeting 2016 (IEDM2016)/2016-12-03--2016-12-07 - Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability
Namai M.; An J.; Yano Hiroshi; Iwamuro N.
The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017)/2017-05-29--2017-06-01 - 試作SiC-pチャネルMOSFETを適用したフル-SiC相補型インバータの実機検証
奥田 一真; 高嶋 薫; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
平成29年 電気学会全国大会/2017-03-15--2017-03-17 - デッドタイムによる問題を解消する相補型インバータの研究”，電子デバイス/半導体電力変換合同研究会
奥田 一真; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会/2016-11-14--2016-11-15 - A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction
Okuda Kazuma; Isobe Takanori; Tadano Hiroshi; Iwamuro No...
18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE)/2016-09-05--2016-09-09 - Evaluation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test
Junjie An; Masaki Namai; Dai Okamoto; Hiroshi Yano; Hiroshi T...
The International Conference on Electrical Engineering 2016/2016-7-3--2016-7-7 - さらに表示...
- Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs