岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)
- 論文
- 新材料パワーデバイスの最新技術
岩室 憲幸; 坂東 章; 矢野 浩司; 宮澤 哲哉; 江口 博臣; 三浦 喜直; 鹿内 洋志; 池田 成明; 上本...
電気学会論文誌． Ｃ/137(1)/pp.13-19, 2017 - Ohmic contact on n- and p-type ion-implanted 4H-SiC with low-temperature metallization process for SiC MOSFETs
Shimizu Haruka; Shima Akio; Shimamoto Yasuhiro; Iwamur...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/56(4::S)/p.04CR15, 2017-04 - IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects
Iwamuro Noriyuki; Laska Thomas
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES/64(3)/pp.741-752, 2017-03 - A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; M. Sometani; Harad...
Abstacts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference/p.11.15, 2016-12 - Experimental and theoretical analyses of gate oxide and junction reliability for 4H-SiC MOSFET under short-circuit operation
An Junjie; Namai Masaki; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/55(12)/p.124102, 2016-12 - Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications
An J.; Namai M.; Tanabe M.; Okamoto D.; Yano Hiroshi; Iwa...
Technical Digest of International Electron Device Meeting 2016/pp.IEDM16-272-IEDM16-275, 2016-12 - Photoelectron yield spectroscopy and inverse photoemissin spectroscopy evaluations of p-type amorphous silicon carbide films prepared using liquid materials
Murakami Tatsuya; Masuda Takashi; Inoue Satoshi; Yano Hirosh...
AIP Advances/6(5)/p.055021, 2016-06 - Photoelectron Yield Spectroscopy and Inverse Photoemission Spectroscopy Evaluations of P-type Amorphous Silicon Carbide Films Prepared using Liquid Materials
Tatsuya Murakami; Takashi Masuda; Takashi Masuda; Yano H...
AIP Advances/6(5)/pp.055021/1-055021/6, 2016-05 - A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction
Okuda Kazuma; Isobe Takanori; Tadano Hiroshi; Iwamuro No...
2016 18TH EUROPEAN CONFERENCE ON POWER ELECTRONICS AND APPLICATIONS (EPE'16 ECCE EUROPE), 2016 - 次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術
岩室 憲幸
SEAJ Journal, 2016-01 - デッドタイムを最小化する相補型インバータ及びそのゲート駆動回路の検討
奥田 一真; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
平成27年電気学会産業応用部門大会, 2015-09 - Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Futures
Iwamuro Noriyuki
BIT's 4th Annual World Congress of Emerging Info-Tech, 2015-04 - 相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討
奥田 一真; 磯部 高範; 矢野 裕司; 岩室 憲幸; 只野 博
パワーエレクトロニクス学会誌/40/pp.238-238, 2015-03 - パワーデバイスの最新動向 驚異的な進歩を遂げたIGBT
岩室 憲幸
PDEA Report vol.4/4, 2014-08 - パワーデバイスの最新動向 パワーデバイスの優等生IGBTの誕生
岩室 憲幸
PDEA Report vol.3/3, 2014-05 - SiならびにSiCパワーデバイスの最新技術と課題
岩室 憲幸
グリーンテクノロジー/24(4)/pp.54-59, 2014-4 - SiならびにSiCパワーデバイスと応用機器開発(CT-2.応用面から見た次世代パワーデバイスへの期待-現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
岩室 憲幸
電子情報通信学会総合大会講演論文集/2014(2)/pp.SS-59-SS-62, 2014-03 - 次世代パワーデバイスの技術ロードマップ
岩室 憲幸
エネルギーデバイス/(10), 2013-10 - パワーデバイスの最新動向 パワーデバイスはスイッチである
岩室 憲幸
PDEA Report vol.2/2, 2013-08 - パワーデバイスの最新動向 パワーデバイスって何
岩室 憲幸
PDEA report vol.1/1, 2013-05
- 新材料パワーデバイスの最新技術