岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)

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論文

• Ohmic contact on n- and p-type ion-implanted 4H-SiC with low-temperature metallization process for SiC MOSFETs
  Shimizu Haruka; Shima Akio; Shimamoto Yasuhiro; Iwamur...
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/56(4::S)/p.04CR15, 2017-04
  
  CiNii
• IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects
  Iwamuro Noriyuki; Laska Thomas
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES/64(3)/pp.741-752, 2017-03
• A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
  Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; M. Sometani; Harad...
  Abstacts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference/p.11.15, 2016-12
• Experimental and theoretical analyses of gate oxide and junction reliability for 4H-SiC MOSFET under short-circuit operation
  An Junjie; Namai Masaki; Iwamuro Noriyuki
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/55(12)/p.124102, 2016-12
  
  CiNii Tsukuba Repository
• Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications
  An J.; Namai M.; Tanabe M.; Okamoto D.; Yano Hiroshi; Iwa...
  Technical Digest of International Electron Device Meeting 2016/pp.IEDM16-272-IEDM16-275, 2016-12
• Photoelectron yield spectroscopy and inverse photoemissin spectroscopy evaluations of p-type amorphous silicon carbide films prepared using liquid materials
  Murakami Tatsuya; Masuda Takashi; Inoue Satoshi; Yano Hirosh...
  AIP Advances/6(5)/p.055021, 2016-06
  
  Tsukuba Repository
• Photoelectron Yield Spectroscopy and Inverse Photoemission Spectroscopy Evaluations of P-type Amorphous Silicon Carbide Films Prepared using Liquid Materials
  Tatsuya Murakami; Takashi Masuda; Takashi Masuda; Yano H...
  AIP Advances/6(5)/pp.055021/1-055021/6, 2016-05
• A dead-time minimized inverter by using complementary topology and its experimental evaluation of harmonics reduction
  Okuda Kazuma; Isobe Takanori; Tadano Hiroshi; Iwamuro No...
  2016 18TH EUROPEAN CONFERENCE ON POWER ELECTRONICS AND APPLICATIONS (EPE'16 ECCE EUROPE), 2016
• 次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術
  岩室 憲幸
  SEAJ Journal, 2016-01
• デッドタイムを最小化する相補型インバータ及びそのゲート駆動回路の検討
  奥田 一真; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
  平成27年電気学会産業応用部門大会, 2015-09
• Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Their Futures
  Iwamuro Noriyuki
  BIT's 4th Annual World Congress of Emerging Info-Tech, 2015-04
• 相補型インバータ向け縦型SiC-pMOSFETの検討
  奥田 一真; 磯部 高範; 矢野 裕司; 岩室 憲幸; 只野 博
  パワーエレクトロニクス学会誌/40/pp.238-238, 2015-03
  
  CiNii
• パワーデバイスの最新動向　驚異的な進歩を遂げたIGBT
  岩室 憲幸
  PDEA Report vol.4/4, 2014-08
• パワーデバイスの最新動向　パワーデバイスの優等生IGBTの誕生
  岩室 憲幸
  PDEA Report vol.3/3, 2014-05
• SiならびにSiCパワーデバイスの最新技術と課題
  岩室 憲幸
  グリーンテクノロジー/24(4)/pp.54-59, 2014-4
• SiならびにSiCパワーデバイスと応用機器開発(CT-2.応用面から見た次世代パワーデバイスへの期待-現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
  岩室 憲幸
  電子情報通信学会総合大会講演論文集/2014(2)/pp.SS-59-SS-62, 2014-03
  
  CiNii
• 次世代パワーデバイスの技術ロードマップ
  岩室 憲幸
  エネルギーデバイス/(10), 2013-10
• パワーデバイスの最新動向　パワーデバイスはスイッチである
  岩室 憲幸
  PDEA Report vol.2/2, 2013-08
• パワーデバイスの最新動向　パワーデバイスって何
  岩室 憲幸
  PDEA report vol.1/1, 2013-05