矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 会議発表等
- SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
高橋光希; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023)/2023-5-28--2023-6-1 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22 - AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - 3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23 - SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み
矢野 裕司
結晶加工と評価技術 第145委員会 第176回研究会/2022-10-21 - モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係
秋葉淳宏; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21 - チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第70回応用物理学会春季学術講演会/2023-03-15--2023-03-18 - Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices
Yano Hiroshi
The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022)/2022-11-13--2022-11-18 - 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27 - SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17 - SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17 - Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - さらに表示...
- SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析