矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 会議発表等
- Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25 - Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25 - 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
秋葉淳宏; 矢野 裕司
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第８回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
応用物理学会先進パワー半導体分科会 第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10 - TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和4年電気学会全国大会/2022-03-21--2022-03-23 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15 - On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15 - 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
大橋 輝之; 飯島 良介; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10 - 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
松谷 優汰; 矢野 裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-03-16--2021-03-19 - Development of Analytical Channel Mobility Model Based on Study of Universal Mobility in SiC MOSFET
Ohashi Teruyuki; Iijima Ryosuke; Yano Hiroshi
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-09-27--2020-09-30 - Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-5-30--2021-6-3 - Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03 - Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18 - Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
大川 雅貴; 金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18 - さらに表示...
- Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs