矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 会議発表等
- Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
PCIM asia 2020/2020-11-16--2020-11-18 - Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4H-SiC MOSFETs at Inversion
Cui Xiaoran; Iwamuro Noriyuki; 矢野裕司
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-9-27--2020-9-30 - 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19 - 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19 - 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
柏 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11 - 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
松井ケビン; 饗場 塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shins...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04 - 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13 - The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01 - SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01 - 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 根本宏樹; 張旭芳; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; 矢...
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21 - Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hiros...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - さらに表示...
- Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length