矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 会議発表等
- Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04 - The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
Fu W.; Ueda A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)/2019-9-2--2019-9-5 - Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties
Fu Wei; Zhang Xufang; Umishio Hiroshi; Traore Aboulaye; Y...
The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29)/2019-11-4--2019-11-8 - SiC MOS Interface; What limits the channel mobility
Yano Hiroshi
2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF)/2019-11-18--2019-11-20 - The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
Terao Y.; Tsuji H.; Hosoi T.; Zhang X.; Yano Hiroshi; Shi...
50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019)/2019-12-11--2019-12-14 - Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本 光央; 原田 信介; 畠山 哲夫; Iwamuro Nori...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4 - 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4 - SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29 - 電力用半導体SiCのゲート酸化膜漏れ電流機構の解析
矢野 裕司
第16回環境研究シンポジウム「スマート社会と環境 豊かな暮らしと環境への配慮の両立を目指して」/2018-11-13 - Characterization and Control of Interface Properties in SiC MOSFETs
Yano Hiroshi
2018 Joint Sympoium on Energy Materials Science and Technology/2018-03-08--2018-03-09 - SiCパワーデバイス特有の信頼性課題 酸化膜および界面
矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル/2018-11-05--2018-11-05 - Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
藤田栄悟; 細井卓治; 染⾕満; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21 - 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
染⾕満; 細井卓治; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元
第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21 - 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布
岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性
本田達也; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26 - Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Har...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26 - Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
W. Fu; A. Ueda; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
第66回応用物理学会春季学術講演会/2019-03-09--2019-03-12 - Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map
Okamoto M.; Sometani M.; Harada S.; Yano Hiroshi; Okumura...
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06 - さらに表示...
- Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps