矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 論文
- Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shin...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09 - The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-02, 2019-09 - Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hiros...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-06, 2019-09 - Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuk...
Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09 - Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09 - Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsu...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09 - Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09 - Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本 光央; 原田 信介; 畠山 哲夫; Iwamuro Nori...
Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09 - The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
Fu W.; Ueda A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
Extended Abstracts of 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)/pp.735-736, 2019-9 - Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties
Fu Wei; Zhang Xufang; Umishio Hiroshi; Traore Aboulaye; Y...
Technical Digest of The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29)/pp.1708-1710, 2019-11 - SiC MOS Interface; What limits the channel mobility
Yano Hiroshi
Extended Abstracts of 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF)/pp.112-113, 2019-11 - The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
Terao Y.; Tsuji H.; Hosoi T.; Zhang X.; Yano Hiroshi; Shi...
Abstracts of 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019)/p.6.18, 2019-12 - Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface
Umeda T.; Kobayashi T.; Sometani M.; Yano Hiroshi; Matsus...
Appl. Phys. Lett./116(7)/pp.071604-1-071604-5, 2020-02 - Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channel of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations
染谷満; 細井卓治; Hirai H.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hirosh...
Appl. Phys. Lett./115(13)/pp.132102-1-132102-5, 2019-09 - SiCパワーデバイス特有の信頼性課題 酸化膜および界面
矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル/pp.103-137, 2018-11 - Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
藤田栄悟; 細井卓治; 染⾕満; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-09 - 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
染⾕満; 細井卓治; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-171, 2018-09 - 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布
岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.281-282, 2018-11 - n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性
本田達也; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.229-230, 2018-11 - SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.227-228, 2018-11 - 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功; 渡部平司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.225-226, 2018-11 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.105-106, 2018-11 - Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光央; 張 旭芳; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.101-102, 2018-11 - 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.97-98, 2018-11 - 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会 予稿集/pp.225-228, 2019-01 - さらに表示...
- Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides