矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 会議発表等
- Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
Hatakeyama T.; Masuda T.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06 - Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
Sometani M.; Hosoi T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hi...
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06 - Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces
Masuda T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hiroshi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/2018-09-09--2018-09-13 - Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23 - Stress at Interface of SiO2/4H-SiC Studied by Confocal Raman Microscopy
Fu W.; Kobayashi A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/2018-09-09--2018-09-13 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光央; 張 旭芳; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07 - Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張旭芳; Iwamuro Noriy...
European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06 - Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原田 信介; Iwamuro ...
12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06 - Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信介; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14 - SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術
矢野 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー/2017-11-22--2017-11-22 - SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術
矢野 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー/2018-02-09--2018-02-09 - Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada ...
2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22 - 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価
山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性
矢野 裕司
第37回ナノテスティングシンポジウム/2017-11-08--2017-11-10 - Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy
W. Fu; A. Kobayashi; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
第65回応用物理学会春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - さらに表示...
- Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport