矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 論文
- Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
Extended abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.687-688, 2017-09 - Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsu...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11 - Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani M...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11 - 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価
山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-003, 2017-09 - コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-009, 2017-09 - 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-007, 2017-09 - Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-005, 2017-09 - 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-011, 2017-09 - Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.57-58, 2017-11 - コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.261-262, 2017-11 - 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.177-178, 2017-11 - 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.253-254, 2017-11 - Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第23回研究会 講演予稿集/pp.199-202, 2018-01 - メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
平成30年電気学会全国大会講演論文集/p.4-011, 2018-03 - Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy
W. Fu; A. Kobayashi; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-166, 2018-03 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-282, 2018-03 - Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-03 - Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada ...
Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.151-152, 2017-11 - SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術
矢野 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー, 2017-11 - SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術
矢野 裕司
半導体信頼性技術ガイドラインセミナー, 2018-02 - SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性
矢野 裕司
第37回ナノテスティングシンポジウム (NANOTS2017) 会議録/pp.189-193, 2017-11 - Investigation of short-circuit failure mechanisms of SiC MOSFETs by varying DC bus voltage
Namai M.; An J.; Yano Hiroshi; Iwamuro N.
Jpn. J. Appl. Phys./57(7)/pp.074102-1-074102-10, 2018-07 - Methodology for Enhanced Short-Circuit Capability of SiC MOSFETs
An Junjie; Namai Masaki; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki; ...
Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD)/pp.391-394, 2018-05 - Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-capacitance-voltage method
Hayashi Mariko; Sometani Mitsuru; Hatakeyama Tetsuo; Y...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/57(4S)/pp.04FR15-1-04FR15-4, 2018-04 - Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors
Y Karamoto; X Zhang; D Okamoto; M Sometani; T Hatakeyama...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/57(6S3)/pp.06KA06-1-06KA06-6, 2018-05 - さらに表示...
- Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions