矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 会議発表等
- Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-CV method
Hayashi Mariko; Sometani Mitsuru; Hatakeyama Tetsuo; Yano...
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22 - Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20 - Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会/2018-01-18--2018-01-20 - Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02 - コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信介; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08 - 4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性
王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析
岡本大; 張旭芳; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16 - 高速CV 法により検証したNBTI へのSiC-MOS 界面窒化効果
林真理子; 染谷満; 畠山哲夫; 山本敏雅; 矢野裕司; 原田信介
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - 4H-SiC 熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の効果
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; 岩室憲幸; 矢野裕司
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - Quantitative estimation of near-interface traps with distributed circuit model for 4H-SiC MOS capacitors
Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru; Ha...
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - チャージポンピング法による4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析
王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位評価
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会/2017-01-20--2017-01-21 - Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface
Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru; Ha...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会/2017-01-20--2017-01-21 - 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性
王緒昆; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性
天野貴章; 岡本大; 原田信介; 畠山哲夫; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - 4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - さらに表示...
- Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-CV method