矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 会議発表等
- ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - チャージポンピング法による4H-SiC MOSFET の界面近傍酸化膜欠陥の解析
王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
先進パワー半導体分科会 第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09 - ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位評価
畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会/2017-01-20--2017-01-21 - Verification of Modified Distributed Circuit Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Interface
Zhang Xufang; 岡本大; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mitsuru; Ha...
電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第22回研究会/2017-01-20--2017-01-21 - 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性
王緒昆; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - SiC MOSFETのホール移動度の温度依存性
天野貴章; 岡本大; 原田信介; 畠山哲夫; 岩室憲幸; 矢野裕司
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - 4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響
木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; 米澤喜幸; 奥村元
第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17 - Dynamic Characterization of the Vth Instability under the Pulsed AC Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFET
Okamoto M.; Sometani M.; Harada S.; Yano Hiroshi; Okumura...
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)/2016-09-25--2016-09-29 - Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with Phosphorus-doped and Nitrided Gate Oxides
Yano Hiroshi
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016)/2016-09-25--2016-09-29 - Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications
An J.; Namai M.; Tanabe M.; Okamoto D.; Yano Hiroshi; Iwa...
International Electron Device Meeting 2016 (IEDM2016)/2016-12-03--2016-12-07 - Characterization of Traps at Nitrided SiO2/SiC Interfaces near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements
Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)/2016-12-07--2016-12-10 - A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2016)/2016-12-07--2016-12-10 - SiC酸化膜への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果
Yano Hiroshi
先進パワー半導体分科会 第2回個別討論会/2016-08-01--2016-08-01 - Evaluation of Drain Current Decrease by AC Gate Bias Stress in Commercially Available SiC MOSFETs
Sometani M.; Iwahashi Y.; Okamoto M.; Harada S.; Yonezawa...
The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017)/2017-05-29--2017-06-01 - Experimental and Numerical Demonstration and Optimized Methods for SiC Trench MOSFET Short-Circuit Capability
Namai M.; An J.; Yano Hiroshi; Iwamuro N.
The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2017)/2017-05-29--2017-06-01
- ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価