現在地

梅田 享英(ウメダ タカヒデ; Umeda, Takahide)

所属
数理物質系
職名
准教授
URL
eメール
 
研究室
3F723(工学系F棟723), RD305(理科系修士D棟305)
電話
029-853-5330
Fax
029-853-5330
研究キーワード
電子スピン共鳴
半導体デバイス
結晶欠陥
エレクトロニクス
パワーエレクトロニクス
量子センシング
研究課題
ワイドギャップ半導体(SiCおよびGaN)MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光同定2017 -- 2019梅田 享英日本学術振興会/基盤研究(B)18,070,000円
先端LSIにおける点欠陥評価の研究2003 -- 2006日本電気株式会社/企業からの受託研究4,200,000円
Sub-0.1um世代先端DRAMにおける点欠陥評価の研究2007-04 -- 2008-03梅田享英日本電気株式会社・エルピーダメモリ株式会社/企業からの受託研究1,050,000円
エレクトロニクス・デバイスの劣化と欠陥の評価1999 -- (現在)/
学術専門コミュニティにおける知識集積・発信サービスの研究開発2004-09 -- (現在)/その他の研究制度
電流検出電子スピン共鳴法によるシリコン微細デバイスの2値現象の観察       2006 -- 2007日本学術振興会/若手研究(B)3,400,000円
微細電子デバイス中の点欠陥に対する超高感度電子スピン共鳴スペクトロスコピーの研究2005 -- (現在)日本学術振興会/若手研究(B)3,900,000円
電子スピン共鳴法によるシリコン系半導体表面層での表面反応のその場観察1999 -- (現在)日本学術振興会/特別研究員奨励費1,800,000円
炭化ケイ素(SiC)MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明2013 -- 2015梅田 享英日本学術振興会/基盤研究(B)18,720,000円
学歴
-- 1994筑波大学 第三学群 基礎工学類卒業
-- 1999筑波大学 工学研究科 物質工学修了
取得学位
博士(工学)筑波大学
所属学協会
-- (現在)応用物理学会
受賞
2013-10The Best Paper AwardThe Best Paper Award of the Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics X Symposium
1999Young Scientist Award for the Presentation of an Excellent Paper
1999-03応用物理学会講演奨励賞
論文
著書
  • ESR/EDMRによる窒化したSiC-MOS界面の構造評価
    Umeda Takahide
    応用物理, 応用物理学会, pp.580-583, 2016-07
  • 電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係
    Umeda Takahide
    SiC酸化膜界面のパッシベーション技術, 応用物理学会先進パワー半導体分科会, pp.47-64, 2016-08
  • 電子スピン共鳴(ESR)法、ESR派生技術
    梅田 享英
    薄膜の評価技術ハンドブック, テクノシステム, pp.60-63, 2013-01
  • アモルファスシリコン中の光励起下の局在電子
    梅田享英; 山崎聡; 磯谷順一; 田中一宜
    固体物理 Vol.33, 1998-01
  • 先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム ―単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象―
    梅田享英
    応用物理 Vol.76, 2007-09
  • 半導体SiC技術と応用(第2版、松波弘之・大谷昇・木本恒暢・中村孝編著)
    梅田享英; 磯谷順一
    日刊工業新聞社, 2011-09
  • 第40回 薄膜・表面物理基礎講座「ナノ材料研究者のための表面・界面の評価技術の基礎と動向」(ISBN:978-4-86348-207-4)
    梅田享英
    応用物理学会薄膜・表面物理分科会, 2011-11
  • EDMR分光法によるシリコンMOSFET内部の結晶欠陥観察:トランジスタの中で欠陥は何をしているのか?(ISBN:978-4-86348-235-7)
    梅田享英
    応用物理学会分科会 シリコンテクノロジーNo.146, 2012-03
  • Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC
    Umeda T.; Morishita N.; Ohshima T.; Itoh H.; Isoya J.
    Silicon Carbide and Related Materials 2006, TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, pp.453-456, 2007-01
会議発表等
  • SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
    矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29
  • 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御(II)
    阿部裕太; 梅田 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑...
    第66回応用物理学会春季学術講演会/2019-03-09--2019-03-12
  • a面およびm面4H-SiC MOSFETにおける単一光子源(SPS)の探索
    阿部裕太; 梅田 享英; 岡本光央; 原田信介; 佐藤真一郎; 山﨑...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-04--2018-11-06
  • 電子スピン共鳴による(111)面Diamond/Al2O3界面欠陥の検出
    真栄力; 加藤宙光; 牧野俊晴; 山崎聡; 梅田 享英
    第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21
  • 電流検出型電子スピン共鳴による(000-1)4H-SiC/SiO2界面炭素ダングリングボンドの検出
    鹿児山陽平; 梅田 享英; 染谷満; 原田信介; 畠山哲夫
    第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21
  • 4H-SiC(0001)/SiO2界面の炭素ダングリングボンド欠陥(PbCセンター)
    梅田 享英; 神成田亘平; 奥田貴史; 木本暢恒; 染谷満; 原田信介
    第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21
  • Electron-spin-resonance characterization on interface carbon defects at 4H-SiC/SiO2 interfaces formed by ultrahightemperature oxidation
    Umeda Takahide; Hosoi T.; Okuda T.; Kimoto T.; Sometani M...
    European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018/2018-09-02--2018-09-07
  • SiC-MOS界面欠陥の起源:電子スピン共鳴分光の最新の結果より
    梅田 享英
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-04--2018-11-06
  • 電子スピン共鳴分光(ESR)と、電流検出ESR(EDMR)による 半導体の微量欠陥・不純物分析
    梅田 享英
    日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 第162回研究会/2019-01-31--2019-01-31
  • Electron paramagnetic resonance study on a Si-28 single crystal for the future realization of the kilogram
    Mizushima Shigeki; Fujii Kenichi; Umeda Takahide
    Conference on Precision Electromagnetic Measurements (CPEM)/2018-07-08--2018-07-13
  • 4H-SiC MOSFET チャネル中の単一光子源に対する水素の影響
    阿部 裕太; 岡本 光央; 小野田 忍; 大島 武; 春山 盛善; 加田...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源のゲート電圧制御
    梅田 享英; 阿部 裕太; 岡本 光央; 原田 信介; 春山 盛善; 加...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 15NOポストアニール後の4H-SiC MOS界面の窒素ドーピングの ESR定量
    梅田 享英; 染谷 満; 原田 信介
    第65回応用物理学会春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
  • Oxidation-process dependence of single photon sources embedded in 4H-SiC MOSFETs
    Abe Y.; Okamoto M.; Onoda S.; Ohshima T.; Haruyama M.; Ka...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials/2017-09-17--2017-09-22
  • Interface Carbon Defect at Si-face 4H-SiC/SiO2 Interfaces Detected by Electron Spin Resonance
    Kim G.-W.; Okuda T.; Kimoto T.; Umeda Takahide
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials/2017-09-17--2017-09-22
  • Observation of interface defects in free-standing epitaxial diamond substrate with Al2O3 atomic-layer deposition studied by electron spin resonance
    Shinei C.; Kato H.; Makino T.; Yamasaki S.; Umeda Takahide
    International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES (IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • Interface Defects in C-face 4H-SiC MOSFETs: An Electrically-Detected-Magnetic-Resonance Study
    Umeda T.; Okamoto M.; Yoshioka H.; Kim G-W.; Ma S.; Arai ...
    Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15 - In Memory of Samares Ka held during the 232nd Meeting of the Electrochemical-Society (ECS)/2017-10-01--2017-10-05
  • 電子スピン共鳴分光法から見たSiC-MOS界面欠陥と窒素・リンの関係
    Umeda Takahide
    先進パワー半導体分科会第2回個別討論会/2016-08-01--2016-08-01
  • C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETの電流検出型電子スピン共鳴分光評価
    鹿児山 陽平; 岡本 光央; 吉岡 裕典; 原田 信介; 山崎 隆浩; ...
    先進パワー半導体分科会第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
  • ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(0001)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較
    鹿児山 陽平; 岡本 光央; 吉岡 裕典; 原田 信介; 山崎 隆浩; ...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析
    鹿児山 陽平; 岡本 光央; 吉岡 裕典; 原田 信介; 山崎 隆浩; ...
    第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17
  • 電流検出ESRによるドライ酸化、窒化Si面SiC-MOSFET界面の比較
    Umeda Takahide; Geonwoo Kim; 吉岡 裕典; 小杉 亮治; 原田 信介
    第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17
  • ドライ酸化、窒化、POCl3処理Si面SiC-MOS界面の電子スピン共鳴分光
    Geonwoo Kim; 奥田 貴史; 木本 恒暢; 須田 淳; 岡本 光央; 原...
    第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17
  • 4H-SiC MOSFETチャネルの単一光子源の偏光角度依存性
    阿部 裕太; 岡本 光央; 小野田 忍; 大島 武; 春山 盛善; 加田...
    第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03-14--2017-03-17
  • 4H-SiC MOSFETにおける単一発光欠陥の酸化膜界面依存性の共焦点顕微鏡評価
    阿部 裕太; 岡本 光央; 小杉 亮治; 原田 信介; 波多野 睦子; ...
    先進パワー半導体分科会第3回講演会/2016-11-08--2016-11-09
担当授業科目
2019-10 -- 2020-02ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IA筑波大学
2019-04 -- 2019-09物理学系応用理工学実験筑波大学
2019-10 -- 2020-02ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IIA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-04 -- 2019-08ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IB筑波大学
2019-10 -- 2020-02ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IIIA筑波大学
2019-04 -- 2019-08ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IIB筑波大学
2019-04 -- 2019-08理工融合セミナーIII筑波大学
2019-10 -- 2020-02理工融合セミナーIII筑波大学
2019-10 -- 2020-02産学連携セミナーIII筑波大学
一般講演
  • 4H-SiC/SiO2界面窒化処理による窒素ドーピングの定量
    梅田享英; 佐藤嘉洋; 小杉亮治; 佐久間由貴
    第73回応用物理学会学術講演会/2012-09-12
  • EPR identification of defects and impurities in SiC: To be decisive
    J. Isoya; T. Umeda; N. Mizuochi; N.T. Son; E. Janzen; T. ...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2007/2007-10-16
  • Divacancy and its identification: Theory
    A. Gali; M. Bockstedte; N.T. Son; T. Umeda; J. Isoya; E. ...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2005/2005-09-22
  • Divacancy model for P6/P7 centers in 4H- and 6H-SiC
    N.T. Son; T. Umeda; J. Isoya; A. Gali; M. Bockstedte; B. ...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2005/2005-09-22
  • Deep acceptor levels of the carbon vacancy-carbon antisite pairs in 4H-SiC
    P. J. Carlsson; N. T. Son; T. Umeda; J. Isoya; E. Janzen
    The 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2006)/2006-09-05
  • Improvement of Data Retention Time Property by Reducing Vacancy-Type Point Defect in DRAM Cell Transistor
    K. Okonogi; K. Ohyu; T. Umeda; H. Miyake; S. Fujieda
    International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2006/2006-03-01
  • ESR characterisation of phosphorus donors in n-type diamond
    M. Katagiri; J. Isoya; T. Umeda; S. Koizumi; H. Kanda
    16th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (DIAMOND2005)/2005-09-01
  • Identification of divacancies in 4H-SiC
    N.T. Son; T. Umeda; J. Isoya; A. Gali; M. Bockstedte; B. ...
    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)/2005-07-29
  • Developments of web-based database system for EPR centers in semiconductors
    T. Umeda; S. Hagiwara; M. Katagiri; N. Mizuochi; J. Isoya
    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)/2005-07-28
  • Pulsed EPR studies of phosphorous shallow donors in diamond and SiC
    J. Isoya; M. katagiri; T. Umeda; S. Koizumi; H. Kanda; N....
    The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)/2005-07-28
  • Measurement of process induced defects in Si sub-micron LSIs by combination of EDMR and TEM
    T. Umeda; A. Toda; Y. Mochizuki
    10th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics (DRIP-X)/2003-09-29
  • EPR and pulsed EPR study of structural relaxation of silicon antisite defects in 4H-SiC
    T. Umeda; Y. Ishitsuka; J. Isoya; N. Morishita; T. Oshima...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2003/2003-10-10
  • Electron Paramagnetic Resonance Study of the SI5 (SI-5) center in 4H-SiC
    T. Umeda; J. Isoya; N.T. Son; E. Janzen; N. Morishita; T....
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2005/2005-09-22
  • Shallow phosphrous donors in 3C-, 4H-, and 6H-SiC
    J. Isoya; M. Katagiri; T. Umeda; N.T. Son; A. Henry; E. J...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2005/2005-09-19
  • Electron paramagnetic resonance study of carbon antisite-vacancy pair in p-type 4H-SiC
    T. Umeda; J. Isoya; T. Ohshima; N. Morishita; H. Itoh
    The 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2006)/2006-09-05
  • Quantitative identification for the physical origin of variable retention time: a vacancy-oxygen complex defect model
    K. Ohyu; T. Umeda; K. Okonogi; S. Tsukada; M. Hidaka; S. ...
    International Electron Device Meeting (IEDM) 2006/2006-12-12
  • Photo-EPR study of vacancy-related defects in irradiated 4H-SiC
    T. Umeda; J. Isoya; N. Morishita; T. Ohshima; H. Itoh
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2007/2007-10-17
  • Defects in 4H-SiC MOSFET studied by electrically detected magnetic resonance
    T. Umeda; K. Esaki; J. Isoya; R. Kosugi; K. Fukuda; T. Oh...
    The 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2008)/2008-09-08
  • Electron paramagnetic resonance study of negatively-charged carbon vacancy in 4H-SiC
    T. Umeda; N. T. Son; Y. Ishitsuka; J. Isoya; N. Morishita...
    The 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2004)/2004-08-30
  • 4H-SiC中のSI5/HEI4センターのEPR解析
    梅田享英; 石塚雄也; 磯谷順一; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義
    第52回応用物理学関係連合講演会/2005-03-30
  • A single vacancy-oxygen complex defect and variable retention time phenomenon in silicon LSI memories
    T. Umeda; K. Okonogi; K. Ohyu; S. Tsukada; K. Hamada; Y. ...
    The 2006 Gordon Research Conference on Defects in Semiconductors/2006-07-05
  • Open web-based databases for defects in semiconductors
    T. Umeda; S. Hagiwara; N. Mizuochi; J. Isoya
    The 2006 Gordon Research Conference on Defects in Semiconductors/2006-07-05
  • 炭化ケイ素中の炭素/シリコン関連欠陥準位の光誘起EPR評価
    梅田享英; 印出知代; 磯谷順一; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義
    第54回応用物理学関係連合講演会/2007-03-28
  • 電子スピン共鳴分光法による4H-SiC中の格子間炭素欠陥の観察
    梅田享英; 磯谷順一; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義
    第55回応用物理学関係連合講演会/2008-03-28
  • 溝ゲート構造トランジスタの電流検出電子スピン共鳴分光評価
    大崎純一; 梅田享英; 小此木堅祐; 大湯静憲
    第69回応用物理学学術講演会/2008-09-02

(最終更新日: 2019-06-27)