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岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

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所属
数理物質系
職名
教授
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研究室
パワーエレクトロニクス研究室
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究キーワード
パワーデバイス
研究課題
ショットバリアダイオード内蔵SiCﾄﾚﾝﾁMOSFET破壊ﾒｶﾆｽﾞﾑ解明とその耐量向上に関する研究2018-04 -- 2019-03岩室　憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
超低ｵﾝ抵抗SiCﾄﾚﾝﾁMOSFETのｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽｿｰｽｲﾝﾊﾞｰﾀ回路への適用可能性の研究2019-04 -- 2020-03岩室　憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
ノイズ計測器向け高速・高耐圧パワー半導体デバイス構造に関する研2019-09 -- 2020-03岩室　憲幸国立研究開発法人産業技術総合研究所/990,000円
コンパクト加速器を実現するための超高速・高電圧パルス電源の開発2015-06 -- 2017-03内藤　孝新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO)/9,939,000円
SIP（戦略的イノベーション創造プログラム）／次世代パワーエレクトロニクス2014-10 -- 2019-02岩室　憲幸産総研/77,238,000円
SiならびにSiCパワーデバイス高性能化、高信頼化に関する研究1988-04 -- (現在)/
職歴
1984-04 -- (現在)富士電機株式会社
2009-04 -- 2013-03産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
学歴
1980-04 -- 1984-03早稲田大学 理工学部 電気工学科卒業
1992-06 -- 1993-08North Carolina State University Power Semiconductor Research Centerその他
取得学位
1998-03博士（工学）早稲田大学
免許資格等
2006-122級ファイナンシャルプランナー技能士
所属学協会
2014 -- (現在)応用物理学会
1988-12 -- (現在)電気学会
1995-04 -- (現在)IEEE
受賞
2020-12日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞SBD内蔵SiCトレンチMOSFET実用化への道筋
2020-04電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞電気学会技術報告書第1420号（2018年4月発行）
2011-08電気学会　優秀技術活動賞 グループ著作賞著書「世界を動かすパワー半導体」
論文
  • Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
    金森　大河; 饗場　塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of PCIM Asia, 2020/pp.25-29, 2020-11
  • Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
    饗場　塁士; 松井ケビン; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田信介;...
    Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020/pp.174-177, 2020-09
  • Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
    大川　雅貴; 金森　大河; 饗場　塁士; 原田信介; 矢野裕司; I...
    Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020/pp.74-77, 2020-9
  • Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal
    饗場　塁士; 松井ケビン; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    IEEE Electron Device Letters/41(4112)/pp.1810-1813, 2020-12
  • Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes
    松島　宏行; Y.Mori; 島　明夫; Iwamuro Noriyuki
    Japanese Journal of Applied Physics/59(10)/pp.104003-1-104003-8, 2020-10
  • Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses
    Yao Kairun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro Noriyuki
    IEEE Transactions on Electron Devices/67(10)/pp.4328-4334, 2020-10
  • Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
    Zhang Xufang; Matsumoto Tsubasa; Sakurai Ukyo; Makino Tos...
    CARBON/168/pp.659-664, 2020-10
  • Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    Japanese Journal of Applied Physics/59(4), 2020-03
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会　予稿集/pp.97-100, 2020-01
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.85-86, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.87-88, 2019-12
  • ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.89-90, 2019-12
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-251, 2019-09
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-248, 2019-09
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本　大; 根本　宏樹; 張　旭芳; 周　星炎; 染谷　満; 岡本...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09
  • 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFET with extension structure and titanium-based single contact
    清水悠佳; Watanabe Naoki; Morikawa Takahiro; Shima Akio; ...
    Japanese Journal of Applied Physics/59(2)/pp.026502-1-026502-7, 2020-01
  • Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
    髙嶋　薫; 飯島　竜司; 萬年　智介; 磯部　高範; 只野　博; I...
    Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019), 2019-10
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.105-106, 2018-11
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.101-102, 2018-11
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著書
  • SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載機器への展望
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー, 2020-05
  • 注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN
    岩室 憲幸
    電気計算, 2020-04
  • サーマルマネジメント―パワー半導体デバイス技術と課題
    岩室 憲幸
    サーマルデバイス　～新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用～, (株)エヌ・ティー・エス, 2019-04
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導樹脂の開発　～さらなる熱伝導率向上のために～, 株式会社　技術情報協会, pp.369-378, 2019-07
  • GaNパワーデバイスの基礎
    岩室 憲幸
    Power Device Enabling Association report, 一般社団法人　パワーデバイスイネーブリング協会, pp.7-9, 2020-02
  • 注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN
    岩室 憲幸
    電気計算, 株式会社　電気書院, pp.35-40, 2020-03
  • SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性
    岩室 憲幸
    月間マテリアルステージ, 株式会社　技術情報協会, pp.5-9, 2020-01
  • IV. パワー半導体デバイスの現状
    岩室 憲幸
    日本粉体工業技術協会, 2019-06
  • 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装
    岩室 憲幸
    科学情報出版株式会社, 2019-09
  • 体系的パワエレ研究と教育の重要性（巻頭言）
    岩室 憲幸
    パワーデバイスイネーブリング協会PDEA　巻頭言, 2019-02
  • 次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術
    岩室 憲幸
    サーマルマネジメント材料技術, サイエンス＆テクノロジー株式会社, pp.209-222, 2019-07
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導材料の開発～さらなる熱伝導率の向上のために～, （株）技術情報協会, pp.369-378, 2019-07
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA Electronics Industry, Dempa Publications Inc., pp.28-29, 2018-09
  • Innovations Find Optimal Materials, Structure for Power Device
    Iwamuro Noriyuki
    AEI Asia Electronic Industry, 電波新聞社, pp.40-41, 2018-11
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 電波新聞社, pp.28-29, 2018-09
  • SiC power device design and fabrication
    Iwamuro Noriyuki
    Wide Bandgap Semiconductor Power Devices, ELSEVIER, WOODHEAD PUBLISHING, pp.79-149, 2018-10
  • パワーデバイスの最新技術とその応用
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー, 日本工業出版, 2017-12
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
  • SiCパワーデバイスの開発と車載用途への要望
    岩室 憲幸
    車載テクノロジー, 株式会社技術情報協会, pp.25-28, 2018-02
  • 新材料の実用化が進むパワー半導体　パワー半導体の基礎
    岩室 憲幸
    電気総合誌「オーム　OHM」1月号, 株式会社オーム社, pp.4-8, 2018-01
  • パワーデバイス基礎講座（全8回）
    岩室 憲幸
    パワーデバイス・イネーブリング協会　会報誌, 2016-06
  • SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
    岩室 憲幸
    SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント, S&T出版, 2018-01
  • シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展
    岩室 憲幸
    シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展, 電気学会, 2018-04
  • Power Semiconductors Shape up for Future Vehicles
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 電波新聞社, pp.26-27, 2017-06
  • Semiconductor Materials Seal Role in Power Devices
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, pp.46-49, 2016-09
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会議発表等
  • Recent progress of power semiconductor devices and expectation for GaN power devices (Invited)
    Iwamuro Noriyuki
    39th Electronic Materials Symposium/2020-10-7--2020-10-9
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shinsu...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • 最新パワーデバイス技術動向ならびに新材料パワーデバイスへの期待
    岩室 憲幸
    （一社）ニューダイヤモンドフォーラム　2019年度第1回研究会/2019-06-26--2019-06-26
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井　ケビン; 戸高　駿希; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高　駿希; 松井　ケビン; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC トレンチ MOSFET 内蔵pin ダイオードに おける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野裕司;...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場　塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures - Competion with state-of-the-art Si-IGBT -
    Iwamuro Noriyuki
    International Conference on Electronics Packaging (ICEP)/2019-04-17--2019-04-20
  • Investigation of UIS Capability for-600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    Yao Kailun; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
    31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    Okawa Masataka; Aiba Ruito; Kanamori Taiga; Yano Hiroshi;...
    31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)/2019-05-19--2019-05-23
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本　大; 根本　宏樹; 張　旭芳; 周　星炎; 染谷　満; 岡本...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability
    髙嶋　薫; 飯島　竜司; 萬年　智介; 磯部　高範; 只野　博; I...
    The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019)/2019-10-14--2019-10-17
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2019-7-17
  • シリコンならびにSiCパワー半導体デバイスの最新技術動向
    岩室 憲幸
    第6回電子デバイスフォーラム京都/2019-11-1
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知的財産権
  • 炭化珪素半導体装置
    辻　崇; 木下　明将; 岩室 憲幸; 福田　憲司
  • 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Silicon carbide devices and fabrication method
    Iwamuro Noriyuki
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
    Iwamuro Noriyuki; 原田　信介; 星　保幸; 原田　祐一
  • High Voltage Semiconductor Devices
    Iwamuro Noriyuki; 信介 原田
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
    岩室 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸; 後藤雅秀
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 炭化珪素半導体装置
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸
  • 半導体装置
    原田祐一; 岩室 憲幸; 星保幸; 原田信介
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
    岩室 憲幸
  • •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
  • •ワイドバンドギャップ半導体装置
    岩室 憲幸
  • •Semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •ワイドバンドギャップ半導体装置
    岩室 憲幸
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担当授業科目
2020-10 -- 2021-02特別研究II筑波大学
2020-10 -- 2021-02特別研究筑波大学
2020-04 -- 2020-08特別研究筑波大学
2020-04 -- 2020-08特別研究I筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2020-10 -- 2021-03卒業研究A筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
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授業以外の教育活動
2017-08 -- 2017-08第6回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA）
2016-08 -- 2016-08第5回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA)
2015-08 -- 2015-08第4回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA）
2014-08 -- 2014-08第3回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA)
2013-08 -- 2013-08第2回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA）
一般講演
  • パワーエレクトロニクスロードマップ
    岩室 憲幸
    GaN 研究コンソーシアム スプリングスクール/2019-03-26
  • パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革
    岩室 憲幸
    PDEAセミナー/2019-03-20
  • WBGパワーデバイス・事業展開への課題
    岩室 憲幸
    先端パワーエレクトロニクス技術体系教育講座/2018-12-13
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2018-07-19
  • SiCパワーデバイスの最新技術動向と筑波大学パワエレ研究室の取り組み
    岩室 憲幸
    TPECセミナー/2018-04-16
  • IoT時代のパワーデバイスの開発状況と課題
    岩室 憲幸
    NPO法人サーキットネットワーク(C-NET)定期講演会/2017-08-23--2017-08-23
  • パワー半導体デバイスに関する今後の展望
    岩室 憲幸
    電子情報技術産業協会　半導体標準化専門委員会/2018-02-16--2018-02-16
  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスプロセスの最新動向
    岩室 憲幸
    日本学術振興会　将来加工技術大136委員会/2018-04-19--2018-04-19
  • パワーデバイスの基礎と評価技術
    岩室 憲幸
    日本学術振興会　ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞｷﾞｬｯﾌﾟ半導体光・電子デバイス第162委員会/2017-10-26--2017-10-27
  • 次世代パワー半導体の最新技術動向
    岩室 憲幸
    日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー/2015-09-04
  • 最新パワーデバイス技術と今後の展開
    岩室 憲幸
    財団法人岡山県産業振興財団　おかやま電池関連技術研究会/2015-10-20
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2016-08-08
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2017-07-19
  • Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society
    Iwamuro Noriyuki
    Japan-Norway Energy Science Week 2015/2015-05-27--2015-05-27
学協会等委員
2017-04 -- (現在)電気学会電子デバイス技術委員会/一号委員
2018-10 -- 2019-09ICSCRM2019 論文委員会/委員
2016-09 -- 2019-02SIP 応用技術調査委員会
2018-10 -- 2019-09SSDM 2019Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2018-02 -- 2018-07The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018Chair
2017-10 -- 2018-09SSDM 2018Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2017-01 -- (現在)IEEE EDS Power Device Technical CommitteeMember
2017-04 -- 2020-03電気学会パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会/委員
2016-04 -- 2017-05パワー半導体国際シンポジウム（ISPSD)Steering Committee Member
2017-04 -- 2019-03電気学会電子デバイス技術委員会/一号委員
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学内管理運営業績
2019-10 -- 2020-09数理物質科学研究科　就職担当
2017-04 -- 2019-03応用理工学類　電子量子主専攻　専攻主任
その他の活動
2015-04 -- 2019-02内閣府SIP-次世代パワーエレクトロニクス技術開発　応用技術調査委員会　委員

(最終更新日: 2020-12-08)