現在地

ホーム

奥村 宏典(オクムラ ヒロノリ; Okumura, Hironori)

face
所属
数理物質系
職名
助教
ORCID
0000-0002-5464-9169
科研費番号
80756750
URL
研究分野
電子・電気材料工学
結晶工学
薄膜・表面界面物性
研究課題
酸化ガリウム高電子移動度トランジスタのノーマリオフ化2020-10 -- 2021-09奥村宏典一般財団法人サムコ科学技術振興財団/第4回研究助成2,000,000円
高放射線耐性GaN光検出器の開発2020-06 -- 2021-05奥村宏典公益財団法人　村田学術振興財団/第36回研究助成2,250,000円
高放射線耐性半導体を用いた重粒子線検出器の調査研究2020-04 -- 2021-03井村将隆TIA連携プログラム/探索推進事業「かけはし」2,800,000円
酸化物半導体を用いたノーマリオフ高耐圧素子の開発2020-04 -- 2021-03奥村宏典公益財団法人 旭硝子財団/2020年度研究助成2,000,000円
電流駆動超高速磁壁移動を実現する窒化物スピントロニクス材料2019-10 -- 2023-09末益崇日本学術振興会/国際共同研究強化（Ｂ)18,330,000円
酸化アルミニウムを用いた低価格パワーデバイスの開発2019-10 -- 2022-09奥村宏典新エネルギー・産業技術総合開発機構/未踏チャレンジ2050
超高耐圧素子実現に向けた窒化アルミニウム素子作製の技術基盤の構築2019-04 -- 2023-03奥村宏典日本学術振興会/基盤研究(B)17,160,000円
放射線耐性に優れた半導体素子の開発2019-04 -- 2020-03奥村宏典筑波大学国際産学連携本部/つくば産学連携強化プロジェクト2,000,000円
酸化ガリウム共鳴トンネルダイオードの試作2018-11 -- 2019-10大島孝仁公益財団法人カシオ科学振興財団/第36回研究助成1,000,000円
高放射線耐性半導体光検出器の実現のための調査研究2018-04 -- 2020-03井村将隆TIA連携プログラム/探索推進事業「かけはし」3,300,000円
more...
職歴
2018-04 -- (現在)University of Tsukuba Assistant Professor (Tenure)
2016-04 -- 2018-03MIT EECS visiting researcher
2015-04 -- 2016-03EPFL Physics visiting researcher
2015-04 -- 2018-03University of Tsukuba Assistant Professor (Tenure Track)
2014-04 -- 2015-03NTT Basic research laboratory Post-doc
2012-04 -- 2014-03UCSB Materials Post-doc (JSPS fellowship)
学歴
2007-04 -- 2012-03Kyoto University Electrical and Electronics Engineering修了
2003-04 -- 2007-03Kyoto University Electrical and Electronics Engineering卒業
取得学位
2012-03Ph.D, engineeringKyoto University
免許資格等
2014-10特定高圧ガス取扱主任者
所属学協会
2019-12 -- (現在)Japanese Society of Applied Physics
2019-12 -- (現在)Japanese Association for Crystal Growth
2016-12 -- 2018-12Material Research Society
受賞
2020-11-17Young Faculty Award in University of Tsukuba
2019-09-03SSDM Young Researcher Award
論文
著書
会議発表等
  • Electrical property of n-type β-(AlGa)2O3 layers with low Al composition
    Okumura Hironori
    8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology/2021-03-01--2021-03-04
  • Growth and electrical property of n-type β-(AlGa)2O3 layers
    Okumura Hironori
    Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics/2021-02-01--2021-02-03
  • (AlGa)2O3/Ga2O3 resonant tunneling diodes
    Okumura Hironori
    Compound Semiconductor Week 2020/2020-05-17--2020-05-21
  • Demonstration of m-plane GaN MOSFETs
    Okumura Hironori
    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials/2019-09-02--2019-09-05
  • Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs
    Okumura Hironori
    2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials/2019-08-12--2019-08-15
  • N-polar AlN POLFET
    Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
    International Workshop on Nitride Semiconductors/2018-11-11--2018-11-16
  • Demonstration of beta-(AlGa)2O3(010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V
    Okumura Hironori; Kato Yuji; Ohshima Takayoshi; Palacios ...
    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials/2018-09-09--2018-09-13
  • Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors
    Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
    Compound Semiconductor Week 2018/2018-05-29--2018-06-01
  • AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
    Okumura Hironori
    The 2017 MRS Fall Meeting & Exhibit/2017-11-26--2017-12-01
  • AIN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
    Okumura Hironori; Suihkonen Sami; Lemettinen Jori; Uedono...
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22
  • Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN
    Okumura Hironori; Sami Suihkonen Tomas Palacios
    9th International Conference on Nitride Semiconductors/2017-07
  • Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
    Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas G...
    2016 Materials Research Societies Fall meeting/2016-12
  • Highly p-type GaN for Advanced Optoelectronic Devices
    Okumura Hironori; Malinverni Marco; Martin Denis; Grandje...
    2016 IEEE Photonics Conference/2016-10
  • Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
    Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas G...
    19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy/2016-09
担当授業科目
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2020-10 -- 2020-12ワイドギャップ半導体特論筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
more...
授業以外の教育活動
2020-08 -- 2020-08ナノテクノロジープラットフォーム学生研修プログラム（GaN HEMTの作製）筑波大学
2019-05 -- (現在)フレッシュマンセミナー体験配属（半導体デバイスの作製）筑波大学
2019-08 -- (現在)応用理工サマースクール体験実験（SiC SBDの作製）筑波大学　
2018-07 -- 2018-07電子工学特別講義　非常勤講師大阪大学
2018-04 -- 2020-03応用理工学類クラス担任筑波大学
一般講演
  • ナノスケール加工に向けた電子線露光実習
    奥村 宏典
    微細加工技術 実践セミナー/2020-10-07
  • 放射線耐性に優れた半導体素子の開発
    奥村 宏典
    JST新技術説明会/2020-10-04
  • 酸化ガリウムの結晶成長と電子デバイスの作製
    奥村 宏典
    TREMS成果報告会/2020-03-11
  • AlN結晶へのイオン注入
    奥村 宏典
    第162委員会 第116回研究会/2019-12-13--2019-12-14
  • 電子ビーム露光装置を用いたGa2O3 FinFETとAlN光導波路の作製
    奥村 宏典
    電子ビームリソグラフィセミナーV/2019-11-27
  • 放射線に負けないデバイスを使ってみよう！
    奥村 宏典; 西永慈郎; 井村将隆; 外川学; 宮原正也
    イノベーション・ジャパン2019－大学見本市/2019-08-29--2019-08-30
  • 超ワイドバンドギャップ半導体を用いたトランジスタ動作
    奥村 宏典
    NTT 物性科学基礎研究所　セミナー/2019-07-19--2019-07-19
  • 窒化アルミニウムおよび酸化ガリウムの結晶成長からトランジスタ作製まで
    奥村 宏典
    2019年度 第3回エネルギーマネージメント・材料デバイス技術分科会/2019-07-19--2019-07-19
  • Crystal growth and devices for wide band-gap semiconductors over 5 eV
    Okumura Hironori
    Ohio State Univeristy, Seminar/2019-03-18--2019-03-18
  • 省エネに向けた新規パワーデバイス材料に関する研究
    奥村 宏典
    産学連携シンポジウム/2019-03-15--2019-03-15
  • 新規パワーデバイス用材料に関する研究
    奥村 宏典
    Nanotech expo 2019/2019-01-30--2019-02-01
  • High-power devices using ultra wide bandgap semiconductors
    Okumura Hironori
    University of California, Santa Barbara, Seminar/2018-03-20--2018-3-20
  • これまでの半導体とこれからの半導体
    奥村 宏典
    ボストン日本人研究者交流会/2018-03-17--2018-03-17
  • 高濃度Mgドーピングによるp型GaN層の接触抵抗の低減
    奥村 宏典
    筑波大学数理物質系　専攻セミナー/2016-04-01--2016-04-01
  • 垂直共振器面発光レーザー応用に向けたGaN層のトンネル接合
    奥村 宏典
    東京大学生産技術研究所　セミナー/2016-03-30--2016-03-30
  • 高濃度 Mg ドーピングを行った p 型 GaN 層の低い接触抵抗
    奥村 宏典
    京都大学大学院工学研究科　セミナー/2016-03-29--2016-03-29
  • P-Type Doping Control of Mg-doped AlGaN for deep-UV LEDs
    Okumura Hironori; Yoshitaka Taniyasu; Hideki Yamamoto
    Aalto University seminer/2015-09-14--2015-09-14
  • New Devices using Wide-Bandgap Semiconductors
    Okumura Hironori
    3rd Meeting of Japanese young scientists in EU/2015-08-29--2015-08-29
  • AlGaN growth using PAMBE and MOVPE
    Okumura Hironori
    EPFL seminar/2015-04-15
学協会等委員
2021-04 -- 2022-11International Workshop on Gallium Oxide and Related MaterialsProgram Committee
2020-03 -- 2022-02Electronic Materials SymposiumSecretaries
2020-01 -- 2022-12International Conference on Solid State Devices and MaterialsProgram Committee, Area 4
学内管理運営業績
2020-04 -- 2022-03スポーツデー運営委員会運営委員
2018-06 -- (現在)Nano-tech Platform in the university of TsukubaSteering Committee
2018-04 -- (現在)Tsukuba Research Center for Energy Materials ScienceMember
その他の活動
2018-08 -- 2019-12free English chat room (BiVi Tsukuba satellite office), Organizer
2018-04 -- 2019-03MEXT NISTEP, Science and Technology Foresight Center, Investigator

(最終更新日: 2021-01-20)