| 電子的欠陥評価ーDRAMトランジスタの接合リーク電流原因解析 | 2012-10 -- 2013-03 | 梅田享英 | エルピーダメモリ株式会社/共同研究・受託研究 | 2,500,000円 |
| 電子的欠陥評価技術ーDRAMトランジスタのリーク電流解析 | 2010-04 -- 2012-09 | 梅田享英 | エルピーダメモリ株式会社/共同研究・受託研究 | 5,000,000円 |
| 電子的欠陥評価ーDRAMトランジスタの接合リーク電流原因解析 | 2009-04 -- 2010-03 | 梅田享英 | エルピーダメモリ株式会社/共同研究・受託研究 | 7,500,000円 |
| Sub-0.1um世代先端DRAMにおける点欠陥評価の研究 | 2007-04 -- 2008-03 | 梅田享英 | 日本電気株式会社・エルピーダメモリ株式会社/企業からの受託研究 | 1,050,000円 |
| 格子欠陥物性の解明に関する研究 | 2008-04 -- 2009-03 | 梅田享英 | 日本電気株式会社・NEDO/企業からの受託研究 | 3,622,500円 |
| 電流検出電子スピン共鳴法によるシリコン微細デバイスの２値現象の観察 | 2006 -- 2007 | 藤ノ木（梅田）享英 | 日本学術振興会/若手研究(B) | 3,400,000円 |
| 微細電子デバイス中の点欠陥に対する超高感度電子スピン共鳴スペクトロスコピーの研究 | 2005 -- 2006 | 藤ノ木（梅田）享英 | 日本学術振興会/若手研究(B) | 3,900,000円 |
| 学術専門コミュニティにおける知識集積・発信サービスの研究開発 | 2004-09 -- 2011-03 | | /その他の研究制度 | |
| 先端LSIにおける点欠陥評価の研究 | 2003 -- 2006 | | 日本電気株式会社/企業からの受託研究 | 4,200,000円 |
| 電子スピン共鳴法によるシリコン系半導体表面層での表面反応のその場観察 | 1998 -- 1999 | | 日本学術振興会/特別研究員奨励費 | 1,800,000円 |
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