| 先端LSIにおける点欠陥評価の研究 | 2003 -- 2006 | | 日本電気株式会社/企業からの受託研究 | 4,200,000円 |
| Sub-0.1um世代先端DRAMにおける点欠陥評価の研究 | 2007-04 -- 2008-03 | 梅田享英 | 日本電気株式会社・エルピーダメモリ株式会社/企業からの受託研究 | 1,050,000円 |
| エレクトロニクス・デバイスの劣化と欠陥の評価 | 1999 -- (現在) | | / | |
| 学術専門コミュニティにおける知識集積・発信サービスの研究開発 | 2004-09 -- 2011-03 | | /その他の研究制度 | |
| 電流検出電子スピン共鳴法によるシリコン微細デバイスの２値現象の観察 | 2006 -- 2007 | 藤ノ木（梅田）享英 | 日本学術振興会/若手研究(B) | 3,400,000円 |
| 微細電子デバイス中の点欠陥に対する超高感度電子スピン共鳴スペクトロスコピーの研究 | 2005 -- 2006 | 藤ノ木（梅田）享英 | 日本学術振興会/若手研究(B) | 3,900,000円 |
| 電子スピン共鳴法によるシリコン系半導体表面層での表面反応のその場観察 | 1998 -- 1999 | | 日本学術振興会/特別研究員奨励費 | 1,800,000円 |
| 炭化ケイ素（SiC）MOS界面準位の起源と移動度劣化メカニズムの分光学的解明 | 2013 -- 2015 | 藤ノ木（梅田）享英 | 日本学術振興会/基盤研究(B) | 18,720,000円 |