上殿 明良(ウエドノ アキラ)
- 論文
- 単一エネルギ-低速陽電子を用いた表面解析装置
上殿 明良; 谷川 庄一郎
Radioisotopes/37(4)/pp.p217-220, 1988-04 - 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥
上殿 明良; 松近 敬行; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1988(2)/p.57, 1988-09 - 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
上殿 明良; 松近 敬行; 谷川 庄一郎; 坂入 英雄
秋の分科会講演予稿集/1988(2)/p.57, 1988-09 - 3a-C4-6 MOS積層構造中の荷電粒子(陽電子)の挙動と界面欠陥
上殿 明良; 松近 敬行; 谷川 庄一郎
秋の分科会講演予稿集/1988(2)/p.352, 1988-09 - 単色陽電子線による半導体の表面・界面近傍の欠陥評価
上殿 明良; 谷川 庄一郎
応用物理/58(6)/pp.p918-923, 1989-06 - 表面・界面プローブとしての低速陽電子
上殿 明良; 谷川 庄一郎
表面技術/41(4)/pp.355-360, 1990-01 - 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
上殿 明良; 谷川 庄一郎
春の分科会講演予稿集/1991(2)/pp.35-36, 1991-03 - 27a-ZN-3 陽電子消滅によるSiの酸素と電子線照射により導入された欠陥の相互作用の研究
上殿 明良; 氏平 祐輔; 碇 敦; 芳賀 博世; 依田 修
年会講演予稿集/47(2)/p.22, 1992-03 - ポジトロン消滅と材料の解析
上殿 明良; 谷川 庄一郎
表面/30(7)/pp.p588-597, 1992-07 - 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
谷川 庄一郎; 上殿 明良; 鈴木 良一
Radioisotopes/41(10)/pp.536-542, 1992-10 - 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
上殿 明良; 河野 孝央; 谷川 庄一郎
Radioisotopes/41(11)/pp.570-573, 1992-11 - 陽電子消滅による電子線照射石英ガラスの欠陥の検出
綿打 敏司; 上殿 明良; 依田 修; 氏平 祐輔
日本化学会誌 : 化学と工業化学 = Journal of the Chemical Society of Japan : chemistry and industrial chemistry/1994(6)/pp.505-511, 1994-06 - 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
上殿 明良; 谷川 庄一郎
應用物理/64(1)/pp.43-46, 1995-01 - 陽電子消滅による高分子材料の評価
上殿 明良; 谷川 庄一郎
高分子/44(3)/pp.136-140, 1995-03 - 陽電子消滅による高分子材料評価
上殿 明良
住友電気/(147)/pp.p168-173, 1995-09 - 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
上殿 明良; 谷川 庄一郎
まてりあ : 日本金属学会会報/35(2)/pp.140-146, 1996-02 - 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
上殿 明良; 谷川 庄一郎
高分子論文集/53(10)/pp.563-574, 1996-10 - 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
森 和照; 上殿 明良; 谷川 庄一郎; 中居 克彦
Radioisotopes/47(8)/pp.623-627, 1998-08 - イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
大島 武; 伊藤 久義; 上殿 明良
電子技術総合研究所彙報/62(10)/pp.469-478, 1998-11 - 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
上殿 明良; 鈴木 良一; 谷川 庄一郎
Radioisotopes/41(12)/pp.611-617, 1999-12 - SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
渡辺 匡人; 市橋 鋭也; 上殿 明良; 谷川 庄一郎
日本結晶成長学会誌/27(1)/p.46, 2000-07 - 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
生形 友宏; 上殿 明良; 森下 憲雄; 伊藤 久義; 藤井 知; 鹿田 真一; 谷川 庄一郎
日本物理学会講演概要集/55(2)/p.837, 2000-09 - 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
村松 誠; 上殿 明良; 生形 友宏; 谷野 浩敏; 中野 明彦; 山本 秀和; 鈴木 良一; 大平 俊行; 谷川...
日本物理学会講演概要集/55(2)/p.858, 2000-09 - 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
上殿 明良; 谷川 庄一郎; 大島 武
KURRI-KR/(63)/pp.113-118, 2000-11 - 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
上殿 明良; 村松 誠; 生形 友宏; 渡辺 匡人; 市橋 鋭也; 鈴木 良一; 大平 俊行; 三角 智久; 高須...
日本物理学会講演概要集/56(1)/p.845, 2001-03 - さらに表示...
- 単一エネルギ-低速陽電子を用いた表面解析装置