上殿 明良(ウエドノ アキラ)

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論文
  • 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
    上殿 明良; 谷川 庄一郎
    應用物理/64(1)/pp.43-46, 1995-01
  • 陽電子消滅による高分子材料の評価
    上殿 明良; 谷川 庄一郎
    高分子/44(3)/pp.136-140, 1995-03
  • 陽電子消滅による高分子材料評価
    上殿 明良
    住友電気/(147)/pp.p168-173, 1995-09
  • 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
    上殿 明良; 谷川 庄一郎
    まてりあ : 日本金属学会会報/35(2)/pp.140-146, 1996-02
  • 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
    上殿 明良; 谷川 庄一郎
    高分子論文集/53(10)/pp.563-574, 1996-10
  • 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
    森 和照; 上殿 明良; 谷川 庄一郎; 中居 克彦
    Radioisotopes/47(8)/pp.623-627, 1998-08
  • イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
    大島 武; 伊藤 久義; 上殿 明良
    電子技術総合研究所彙報/62(10)/pp.469-478, 1998-11
  • 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
    上殿 明良; 鈴木 良一; 谷川 庄一郎
    Radioisotopes/41(12)/pp.611-617, 1999-12
  • SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
    渡辺 匡人; 市橋 鋭也; 上殿 明良; 谷川 庄一郎
    日本結晶成長学会誌/27(1)/p.46, 2000-07
  • 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
    生形 友宏; 上殿 明良; 森下 憲雄; 伊藤 久義; 藤井 知; 鹿田 真一; 谷川 庄一郎
    日本物理学会講演概要集/55(2)/p.837, 2000-09
  • 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
    村松 誠; 上殿 明良; 生形 友宏; 谷野 浩敏; 中野 明彦; 山本 秀和; 鈴木 良一; 大平 俊行; 谷川...
    日本物理学会講演概要集/55(2)/p.858, 2000-09
  • 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
    上殿 明良; 谷川 庄一郎; 大島 武
    KURRI-KR/(63)/pp.113-118, 2000-11
  • 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
    上殿 明良; 村松 誠; 生形 友宏; 渡辺 匡人; 市橋 鋭也; 鈴木 良一; 大平 俊行; 三角 智久; 高須...
    日本物理学会講演概要集/56(1)/p.845, 2001-03
  • 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
    上殿 明良; 下山 和男; 清原 正寛
    KURRI-KR/(89)/pp.155-160, 2002-11
  • 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
    上殿 明良; 鈴木 良一; 大平 俊行
    応用物理/74(9)/pp.1223-1226, 2005-09
  • In-situ characterization of free-volume holes in polymer thin films under controlled humidity conditions with an atmospheric positron probe microanalyzer
    Zhou Wei; Chen Zhe; Oshima Nagayasu; Ito Kenji; O'Rourke ...
    APPLIED PHYSICS LETTERS/101(1), 2012-07
  • Variation of Chemical Vapor Deposited SiO2 Density Due to Generation and Shrinkage of Open Space During Thermal Annealing
    Sometani Mitsuru; Hasunuma Ryu; Ogino Masaaki; Kuribayash...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/51(2)/pp.21101-021101-3, 2012-02
  • 21aJA-12 低速陽電子ビームを用いた大気中試料の空孔分析法の開発(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
    大島 永康; オローク ブライアン; 黒田 隆之助; 鈴木 良一; 伊藤 賢志; 柳下 宏; 天神林 和樹; 箇井...
    日本物理学会講演概要集/66(2)/p.971, 2011-08
  • 27pTN-4 低速陽電子ビーム大気取り出し法の研究(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
    大島 永康; オローク ブライアン; 黒田 隆之助; 鈴木 良一; 渡邉 宏理; 窪田 翔二; 天神林 和樹; 上...
    日本物理学会講演概要集/66(1)/p.985, 2011-03
  • Slow Positron Beam Apparatus for Surface and Subsurface Analysis of Samples in Air
    OSHIMA Nagayasu; O'ROURKE Brian E.; KURODA Ryunosuke; SUZ...
    Applied physics express/4(6)/pp.66701-1, 2011-06
  • Collateral evidence for an excellent radiative performance of AlxGa1-xN alloy films of high AlN mole fractions
    Chichibu S. F.; Hazu K.; Onuma T.; Uedono A.
    APPLIED PHYSICS LETTERS/99(5), 2011-08
  • Positron Annihilation Study on Defects in HfSiON Films Deposited by Electron-Beam Evaporation
    Yuan Guoliang; Lu Xubing; Ishiwara Hiroshi; Uedono Akira
    Jpn J Appl Phys/48(11)/pp.111404-111404-4, 2009-11
  • Vacancy-Boron Complexes in Plasma Immersion Ion-Implanted Si Probed by a Monoenergetic Positron Beam
    Uedono Akira; Tsutsui Kazuo; Ishibashi Shoji; Hiromichi ...
    Jpn J Appl Phys/49(5)/pp.51301-051301-6, 2010-05
  • Investigating the binding properties of porous drug delivery systems using nuclear sensors (radiotracers) and positron annihilation lifetime spectroscopy-Predicting conditions for optimum performance
    Mume Eskender; Lynch Daniel E.; Uedono Akira; Smith Suza...
    DALTON TRANSACTIONS/40(23)/pp.6278-6288, 2011-01
  • Slow Positron Beam Apparatus for Surface and Subsurface Analysis of Samples in Air
    Oshima Nagayasu; O'Rourke Brian E.; Kuroda Ryunosuke; Suz...
    APPLIED PHYSICS EXPRESS/4(6)/pp.0-0, 2011-06
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