上殿 明良(ウエドノ アキラ)

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論文
  • Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
    UMEZAWA N.; SHIRAISHI K.; MIYAZAKI S.; UEDONO A.; AKASAKA...
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials/2006(0)/pp.460-461, 2006-09
  • Defects in Electroplated Cu and their Impact on Stress Migration Reliability
    UEDONO A.; SUZUKI T.; NAKAMURA T.; OHDAIRA T.; SUZUKI R.
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials/2006(0)/pp.1022-1023, 2006-09
  • 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(<特集>機能性界面と分析化学)
    廣瀬 幸範; 本田 和仁; 前川 和義; 宮崎 博史; 上殿 明良; 辻 幸一
    分析化学/56(6)/pp.465-470, 2007-06
  • 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
    大島 永康; 鈴木 良一; 大平 俊行; 木野村 淳; 鳴海 貴允; 上殿 明良; 藤浪 真紀
    日本物理学会講演概要集/63(2)/p.896, 2008-08
  • 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
    大島 永康; 鈴木 良一; 大平 俊行; 木野村 淳; 鳴海 貴允; 上殿 明良; 岡 壽崇; 藤浪 真紀
    日本物理学会講演概要集/64(1)/p.934, 2009-03
  • 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)
    上殿 明良; 石橋 章司; 大島 永康; 大平 俊行; 鈴木 良一
    日本結晶成長学会誌/36(3)/pp.155-165, 2009-10
  • III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)
    秩父 重英; 上殿 明良
    日本結晶成長学会誌/36(3)/pp.166-177, 2009-10
  • AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
    尾沼 猛儀; 羽豆 耕治; 宗田 孝之; 上殿 明良; 秩父 重英
    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料/109(289)/pp.29-32, 2009-11
  • AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
    尾沼 猛儀; 羽豆 耕治; 宗田 孝之; 上殿 明良; 秩父 重英
    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス/109(288)/pp.29-32, 2009-11
  • AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
    尾沼 猛儀; 羽豆 耕治; 宗田 孝之; 上殿 明良; 秩父 重英
    電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス/109(290)/pp.29-32, 2009-11
  • 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
    上殿 明良; 井上 尚也; 林 喜宏; 江口 和弘; 中村 友二; 廣瀬 幸範; 吉丸 正樹; 大島 永康; 大平...
    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス/109(412)/pp.49-52, 2010-01
  • 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
    大島 永康; 鈴木 良一; 大平 俊行; 木野村 淳; 窪田 翔二; 渡邉 宏理; 上殿 明良; 藤浪 真紀; 打...
    日本物理学会講演概要集/65(1)/p.970, 2010-03
  • 陽電子消滅による材料評価技術
    上殿 明良
    應用物理/79(4)/pp.307-311, 2010-04
  • Reversible photodissociation of hexacarbonyl tungsten in cross-linked polymers
    Watanabe Akira; Watanabe Tomoko; Shan Yue Jin; Tezuka Ke...
    BULLETIN OF THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN/79(11)/pp.1787-1792, 2006-11
  • Effect of growth temperature on the properties of Ga(In)NAs thin films by atomic hydrogen-assisted RF-MBE
    Shimizu Yukiko; Miyashita Naoya; Mura Yusuke; Uedono Aki...
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH/301/pp.579-582, 2007-04
  • Origin of localized excitons in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques
    Chichibu S. F.; Uedono A.; Onuma T.; Haskell B. A.; Chakr...
    PHILOSOPHICAL MAGAZINE/87(13)/pp.2019-2039, 2007-01
  • Characterization of metal/high-k structures using monoenergetic positron beams
    Uedono Akira; Naito Tatsuya; Otsuka Takashi; Ito Kenichi...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS/46(5B)/pp.3214-3218, 2007-05
  • Local bonding structure of high-stress silicon nitride film modified by UV curing for strained silicon technology beyond 45 nm node SoC devices
    Miyagawa Yoshihiro; Murata Tatsunori; Nishida Yukio; Naka...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS/46(4B)/pp.1984-1988, 2007-04
  • Defects in electroplated cu and their impact on stress migration reliability studied using monoenergetic positron beams
    Uedono Akira; Suzuki Takashi; Nakamura Tomoji; Ohdaira T...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS/46(4B)/pp.1938-1941, 2007-04
  • Guiding principle of energy level controllability of silicon dangling bonds in HfSiON
    Umezawa Naoto; Shiraishi Kenji; Miyazaki Seiichi; Uedono ...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS/46(4B)/pp.1891-1894, 2007-04
  • Relation between AI vacancies and deep emission bands in AIN epitaxial films grown by NH3-source molecular beam epitaxy
    Koyama T.; Sugawara M.; Hoshi T.; Uedono A.; Kaeding J. ...
    APPLIED PHYSICS LETTERS/90(24)/pp.0-0, 2007-06
  • Microstructural characterization of electroplated copper films on copper-alloy seed layer
    Hirose Yukinori; Honda Kazuhito; Maekawa Kazuyoshi; Miyaz...
    BUNSEKI KAGAKU/56(6)/pp.465-470, 2007-06
  • Impact of residual impurities on annealing properties of vacancies in electroplated Cu studied using monoenergetic positron beams
    Uedono Akira; Mori Kazuteru; Ito Kenichi; Imamizu Kentar...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS/46(20-24)/pp.0-0, 2007-06
  • Vacancy-fluorine complexes and their impact on the properties of metal-oxide transistors with high-k gate dielectrics studied using monoenergetic positron beams
    Uedono A.; Inumiya S.; Matsuki T.; Aoyama T.; Nara Y.; Is...
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/102(5)/pp.0-0, 2007-09
  • Annealing properties of open volumes in strained SiN films studied by monoenergetic positron beams
    Uedono A.; Ito K.; Narumi T.; Sometani M.; Yamabe K.; Miy...
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/102(6)/pp.0-0, 2007-09
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