上殿 明良(ウエドノ アキラ)
- 論文
- Structure-Modification Model of Porogen-Based Porous SiOC Film with Ultraviolet Curing
Oka Yoshihiro; Uedono Akira; Goto Kinya; Hirose Yukinori...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/50(5:Part 2 Sp. Iss. SI)/pp.05EB06-05EB06-5, 2011-05 - Impact of Cu/III ratio on the near-surface defects in polycrystalline CuGaSe2 thin films
Islam M. M.; Uedono A.; Ishibashi S.; Tenjinbayashi K.; S...
APPLIED PHYSICS LETTERS/98(11)/pp.0-0, 2011-03 - Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
AKASAKA Y.; MIYAGAWA K.; KARIYA A.; SHOJI H.; AOYAMA T.; ...
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials/2004(0)/pp.196-197, 2004-09 - 26pYS-5 飛行時間法で測定した,固体表面からのポジトロニウム放出(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
栗原 俊一; 上殿 明良; 池田 光男; 榎本 収志; 大越 隆夫; 大澤 哲; 小川 雄二郎; 柿原 和久; 設...
日本物理学会講演概要集/60(1)/p.926, 2005-03 - 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
上殿 明良; 後藤 正和; 樋口 恵一; 池内 恒平; ABUDUL Hamid Alaa Salah; 山部 ...
表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan/26(5)/pp.268-273, 2005-05 - 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
上殿 明良; 大塚 崇; 伊東 健一; 白石 賢二; 山部 紀久夫; 宮崎 誠一; 梅澤 直人; 知京 豊裕; 大...
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス/106(108)/pp.25-30, 2006-06 - Local Bonding Structure of High-Stress Silicon Nitride Film modified by UV Curing for Strained-Silicon Technology beyond 45nm Node SoC Devices
MIYAGAWA Yoshihiro; MURATA Tatsunori; NISHIDA Yukio; NAKA...
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials/2006(0)/pp.158-159, 2006-09 - Mechanism of Threshold Voltage Reduction and Hole Mobility Enhancement in pMOSFETs Employing Sub-1nm EOT HfSiON by Use of Substrate Fluorine Ion Implantation
INUMIYA Seiji; UEDONO Akira; MIYAZAKI Seiichi; OHTSUKA S...
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials/2006(0)/pp.394-395, 2006-09 - Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
UMEZAWA N.; SHIRAISHI K.; MIYAZAKI S.; UEDONO A.; AKASAKA...
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials/2006(0)/pp.460-461, 2006-09 - Defects in Electroplated Cu and their Impact on Stress Migration Reliability
UEDONO A.; SUZUKI T.; NAKAMURA T.; OHDAIRA T.; SUZUKI R.
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials/2006(0)/pp.1022-1023, 2006-09 - 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(<特集>機能性界面と分析化学)
廣瀬 幸範; 本田 和仁; 前川 和義; 宮崎 博史; 上殿 明良; 辻 幸一
分析化学/56(6)/pp.465-470, 2007-06 - 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
大島 永康; 鈴木 良一; 大平 俊行; 木野村 淳; 鳴海 貴允; 上殿 明良; 藤浪 真紀
日本物理学会講演概要集/63(2)/p.896, 2008-08 - 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
大島 永康; 鈴木 良一; 大平 俊行; 木野村 淳; 鳴海 貴允; 上殿 明良; 岡 壽崇; 藤浪 真紀
日本物理学会講演概要集/64(1)/p.934, 2009-03 - 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)
上殿 明良; 石橋 章司; 大島 永康; 大平 俊行; 鈴木 良一
日本結晶成長学会誌/36(3)/pp.155-165, 2009-10 - III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)
秩父 重英; 上殿 明良
日本結晶成長学会誌/36(3)/pp.166-177, 2009-10 - AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
尾沼 猛儀; 羽豆 耕治; 宗田 孝之; 上殿 明良; 秩父 重英
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料/109(289)/pp.29-32, 2009-11 - AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
尾沼 猛儀; 羽豆 耕治; 宗田 孝之; 上殿 明良; 秩父 重英
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス/109(288)/pp.29-32, 2009-11 - AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
尾沼 猛儀; 羽豆 耕治; 宗田 孝之; 上殿 明良; 秩父 重英
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス/109(290)/pp.29-32, 2009-11 - 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
上殿 明良; 井上 尚也; 林 喜宏; 江口 和弘; 中村 友二; 廣瀬 幸範; 吉丸 正樹; 大島 永康; 大平...
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス/109(412)/pp.49-52, 2010-01 - 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
大島 永康; 鈴木 良一; 大平 俊行; 木野村 淳; 窪田 翔二; 渡邉 宏理; 上殿 明良; 藤浪 真紀; 打...
日本物理学会講演概要集/65(1)/p.970, 2010-03 - 陽電子消滅による材料評価技術
上殿 明良
應用物理/79(4)/pp.307-311, 2010-04 - Reversible photodissociation of hexacarbonyl tungsten in cross-linked polymers
Watanabe Akira; Watanabe Tomoko; Shan Yue Jin; Tezuka Ke...
BULLETIN OF THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN/79(11)/pp.1787-1792, 2006-11 - Effect of growth temperature on the properties of Ga(In)NAs thin films by atomic hydrogen-assisted RF-MBE
Shimizu Yukiko; Miyashita Naoya; Mura Yusuke; Uedono Aki...
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH/301/pp.579-582, 2007-04 - Origin of localized excitons in In-containing three-dimensional bulk (Al,In,Ga)N alloy films probed by time-resolved photoluminescence and monoenergetic positron annihilation techniques
Chichibu S. F.; Uedono A.; Onuma T.; Haskell B. A.; Chakr...
PHILOSOPHICAL MAGAZINE/87(13)/pp.2019-2039, 2007-01 - Characterization of metal/high-k structures using monoenergetic positron beams
Uedono Akira; Naito Tatsuya; Otsuka Takashi; Ito Kenichi...
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS/46(5B)/pp.3214-3218, 2007-05 - さらに表示...
- Structure-Modification Model of Porogen-Based Porous SiOC Film with Ultraviolet Curing