蓮沼 隆(ハスヌマ リユウ)

所属
数理物質系
職名
准教授
eメール
53,>@9@8,W=D@W1@N]Y@W?>@6@-,W,.W5;d
研究室
3F612
Fax
029-853-5205
研究キーワード
SiC
Si
信頼性
SiO2
取得学位
2001-03博士（工学）早稲田大学
所属学協会
2006-02 -- (現在)Electrochemical Society
2006-02 -- (現在)Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1994-02 -- (現在)応用物理学会
論文
著書
  • 走査型プローブ顕微鏡による原子操作および電気伝導特性解析に関する研究
    蓮沼 隆
    2001-03
会議発表等
  • 二次元半導体材料の界面準位密度評価手法
    蓮沼 隆
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20
  • TiO2薄膜コーティングしたアルミナ基板のフラッシオーバ電圧評価
    小倉 暁雄; 片桐 創一; 野木 広光; 蓮沼 隆
    令和7年電気学会全国大会/2025-03-18
  • アルミナ基板上の酸化クロム膜の表面形状が二次電子放出係数に与える影響
    小倉 暁雄; 片桐 創一; 野木 広光; 蓮沼 隆
    放電・プラズマ・パルスパワー/静止器/開閉保護 合同研究会/2024-08-05
  • TiO2薄膜コーティングしたアルミナ表面の帯電評価
    小倉 暁雄; 片桐 創一; 姚 遠昭; 野木 広光; 蓮沼 隆
    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会/2024-03-22
  • 金属酸化物薄膜を有したアルミナ表面の帯電評価
    小倉 暁雄; 片桐 創一; 姚 遠昭; 野木 広; 蓮沼 隆
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14
  • Evaluation of the sheet resistance and surface charge of a TiO2-coated alumina insulator
    OGURA Akio; Katagiri Souichi; Yuanchao Yao; Nogi Hiro...
    The 14th International Vacuum Electron Sources Conference/2023-09-25
  • Improving surface flashover voltages of alumina insulators by applying titanium dioxide coatings
    OGURA Akio; Katagiri Souichi; Yuanzhao Yao; Nogi Hiro...
    IEEE Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena (CEIDP) 2024/2024-10-06
  • Evaluation of Electron-Phonon Coupling Strength and Average Phonon Energies in MoS2 Thin Film
    Umidakhon Rayimjonova Daisuki Kawai ; Hasunuma Ryu; ISL...
    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024)/2024-09-01--2024-09-04
  • SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
    矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29
  • Reliability factors of ultrathin dielectric films based on highly controlled SiO2 films
    Hasunuma Ryu; Kawamura Hiroaki; Yamabe Kikuo
    International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology (IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • Characterization of Interface State Density of SiO2/SiC(000-1) Based on Oxygen Concentration at the Interface during Thermal Oxidation
    Hasunuma Ryu; Hanasato Kohei; Yamabe Kikuo
    Symposium on Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 6 held during the PRiME Joint International Meeting of The Electrochemical-Society, The Electrochemical-Society-of-Japan, and the Korean-Electrochemical-Society/2016-10-02--2016-10-07
  • Interfacial Transitional Layer in SiO2 Film Thermally Grown on SiC(000-1)
    Nagai Ryu; Iitsuka Nozomu; Ozawa Kodai; Hasunuma Ryu; ...
    Symposium on Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 6 held during the PRiME Joint International Meeting of The Electrochemical-Society, The Electrochemical-Society-of-Japan, and the Korean-Electrochemical-Society/2016-10-02--2016-10-07
  • 熱酸化SiO2/SiC界面近傍の不均一層とそのリーク電流特性
    Hasunuma Ryu
    電子デバイス界面テクノロジー研究会2017/2017-01--2017-01
  • SiC C 面上に乾燥酸素および水蒸気雰囲気で形成した熱酸化SiO2 膜密度
    Hasunuma Ryu
    電子デバイス界面テクノロジー研究会2017/2017-01--2017-01
  • SiC上TEOS-SiO2の熱処理による絶縁特性の改善
    Hasunuma Ryu
    電子デバイス界面テクノロジー研究会2017/2017-01--2017-01
  • 熱酸化SiO2/SiC界面遷移層の評価
    Hasunuma Ryu
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09--2016-09
  • SiC上wet酸化膜密度評価
    Hasunuma Ryu
    第75回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09--2016-09
  • SiC C 面上に水蒸気雰囲気で形成した熱酸化SiO2膜の
    Hasunuma Ryu
    第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03--2017-03
  • SiC(000-1)のウェット酸化における界面酸化剤濃度
    Hasunuma Ryu
    第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03--2017-03
  • SiC上TEOS-SiO2の熱処理による絶縁特性の改善
    Hasunuma Ryu
    第64回応用物理学会春季学術講演会/2017-03--2017-03
  • Interfacial Transitional Layer in SiO2 Film Thermally Grown on SiC(000-1)
    Hasunuma Ryu; Hanasato Kohei
    PRiME 2016/2016-10-02--2016-10-07
  • Characterization of Interface State Density of SiO2/SiC (000-1) Based on Oxygen Concentration
    Hasunuma Ryu; Hanasato Kohei
    PRiME 2016/2016-10-02--2016-10-07
  • Direct Observation of Energy Distribution of Interface States at SiO2/4H-SiC Interface
    Yamashita Y.; Hasunuma Ryu; Nagata T.; Chikyow T.
    PRiME 2016/2016-10-02--2016-10-07
  • HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
    蓮沼 隆; 内藤 達也; 犬宮 誠治; 山部 紀久夫
    電子情報通信学会技術研究報告
  • Reversible and Irreversible Degradation Attributing to Oxygen Vacancy in HfSiON Gate Films during Electrical Stress Application
    Hasunuma Ryu; Tamura Chihiro; Nomura Tsuyoshi; Kikuchi Yuuki...
    IEDM
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担当授業科目
2024-10 -- 2025-02理工融合セミナーIII筑波大学
2024-04 -- 2024-08理工融合セミナーIII筑波大学
2024-10 -- 2025-02ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IIA筑波大学
2024-04 -- 2024-08ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IIIB筑波大学
2024-04 -- 2024-08ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IA筑波大学
2024-10 -- 2025-02ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IB筑波大学
2024-10 -- 2025-02産学連携セミナーIII筑波大学
2024-04 -- 2024-08産学連携セミナーIII筑波大学
2024-10 -- 2025-02ナノサイエンス・ナノテクノロジー特別研究IA筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
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学協会等委員
2012-04 -- (現在)応用物理学会シリコンテクノロジー分科会幹事
2006-04 -- (現在)電子デバイス界面テクノロジー研究会プログラム委員
2010-04 -- (現在)マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際学会論文委員

(最終更新日: 2025-08-20)