岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)

所属
数理物質系
職名
教授
ORCID
0000-0002-5027-4718
URL
eメール
=,:$0852O125,<8.,O)%FUQ8O768.8%$O$&O-3
研究室
パワーエレクトロニクス研究室
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究キーワード
パワーデバイス
研究課題
高速スイッチングならびに高信頼性実現を目指したSiCパワーデバイス向け低インダクタンスパッケージの開発2022-04 -- 2023-03岩室憲幸/2022年度つくば産学連携強化プロジェクト 「筑波大学・産総研 合わせ技ファンド」1,000,000円
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究2021-04 -- 2025-03岩室 憲幸日本学術振興会/基盤研究(B)16,250,000円
SiCスーパージャンクション、バイポーラデバイス要素技術開発、高耐圧モジュール及び電力制御の要素技術開発2021-02 -- 2024-02米澤善幸(産総研)新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)/クリーンエネルギー分野における革新的要素技術の国際共同研究開発事業7,084,000円
高速スイッチングでさらなる低スイッチング損失の実現を目指したSiCパワーデバイス向け低インダクタンスパッケージの開発2021-04 -- 2022-03岩室憲幸/産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
ノイズ計測器向け高速・高耐圧パワー半導体デバイス構造に関する研2019-09 -- 2020-03岩室 憲幸国立研究開発法人産業技術総合研究所/990,000円
超低オン抵抗SiCトレンチMOSFETのインピーダンスソースインバータ回路への適用可能性の研究2019-04 -- 2020-03岩室 憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
ショットバリアダイオード内蔵SiCトレンチMOSFET破壊メカニズム解明とその耐量向上に関する研究2018-04 -- 2019-03岩室 憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
コンパクト加速器を実現するための超高速・高電圧パルス電源の開発2015-06 -- 2017-03内藤 孝新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)/9,939,000円
SIP(戦略的イノベーション創造プログラム)/次世代パワーエレクトロニクス2014-10 -- 2019-02岩室 憲幸産総研/77,238,000円
SiならびにSiCパワーデバイス高性能化、高信頼化に関する研究1988-04 -- (現在)/
職歴
1984-04 -- (現在)富士電機株式会社
2009-04 -- 2013-03産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
学歴
1980-04 -- 1984-03早稲田大学 理工学部 電気工学科
1992-06 -- 1993-08North Carolina State University Power Semiconductor Research Center
取得学位
1998-03博士(工学)早稲田大学
免許資格等
2006-122級ファイナンシャルプランナー技能士
所属学協会
2014 -- (現在)応用物理学会
1988-12 -- (現在)電気学会
1995-04 -- (現在)IEEE
受賞
2020-12日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞SBD内蔵SiCトレンチMOSFET実用化への道筋
2020-04電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞電気学会技術報告書第1420号(2018年4月発行)
2011-08電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞著書「世界を動かすパワー半導体」
論文
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.105-106, 2023-11
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.103-104, 2023-11
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.101-102, 2023-11
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(22)/pp.37-38, 2024-03
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(19)/pp.32-33, 2024-03
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(20)/pp.34-35, 2024-03-14
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
    Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.Mo.C.11, 2023-09
  • Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
    Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.C.1, 2023-09
  • 電気ー熱ー応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法
    Yao Kairun; 岩室 憲幸
    電気学会論文誌C (電子・情報・システム部門誌)/144(3)/pp.204-211, 2024-3
  • Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
    髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.250-253, 2023-05
  • An investigation of avalanche ruggedness and failure mechanisms of 4H SiC trench MOSFETs in unclamped inductive switching by varying load inductances over a wide range
    Tsuji Takashi; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(4), 2023-04
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-5-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanak...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harad...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22
  • 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定
    松岡亨卓; 磯部 高範; 加藤史樹; 先崎純寿; 佐藤弘; 岩室憲幸
    2022年電気学会産業応用部門大会, 2022-08
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116/pp.113-116, 2022-05-22
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-122, 2022-09-20
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.91-92, 2022-12-20
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会 予稿集/pp.75-75, 2022-12-20
  • Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs
    柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1073)/pp.SC2073-1-SC1073-10, 2023-02
  • Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1007)/pp.SC1007-1-SC1007-9, 2022-12
  • さらに表示...
著書
  • Developments in Power Components Focus on Optimal Si Devices
    Iwamuro Noriyuki
    Asia Electronics Industry/電波新聞社/pp.26-27, 2023-09
  • パワーデバイスの最新動向 パワーデバイスって何
    岩室 憲幸
    表面技術/一般社団法人 表面技術協会/pp.296-300, 2023-06
  • MOSFETとIGBTを中心としたパワー半導体デバイスの最新動向と課題
    岩室 憲幸
    工業材料/日刊工業新聞社/pp.2-5, 2023-08
  • シリコンIGBTの最新動向とSiCパワーデバイスの現状と課題
    岩室 憲幸
    月刊車載テクノロジー/技術情報協会/pp.27 -31, 2023-06
  • パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス ~高信頼性を実現する素子と実装技術~
    岩室 憲幸
    科学情報出版, 2024-02
  • Silicon Power Devices
    Iwamuro Noriyuki
    Springer Handbook of Semiconductor Devices/Springer Nature/pp.423-490, 2022-11
  • SiC・GaNパワー半導体の技術動向と応用展開
    岩室 憲幸
    工業材料/日刊工業新聞社/pp.2-7, 2022-02
  • Power ICs Shape Up to Meet Emerging Automobile Trends
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA Electronics Industry/電波新聞社/pp.28-29, 2021-12
  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    岩室 憲幸
    ㈱シーエムシー出版, 2021-08
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    岩室 憲幸
    ㈱エヌ・ティー・エス, 2022-02
  • 在 5G 商用化和 EV 普及上关注度不断 增加的功率半导体
    Iwamuro Noriyuki
    AEI 亜州電子信息/pp.22-23, 2020-08
  • SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載機器への展望
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー/日本工業出版/pp.1-5, 2020-5
  • 自動車の電動化に向けたSiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況ならびに今後の動向
    岩室 憲幸
    工業材料/日刊工業新聞社, 2020-9
  • パワーエレクトロニクスの現状と将来
    岩室 憲幸
    電気評論, 2020-12
  • 注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN
    岩室 憲幸
    電気計算/pp.35-40, 2020-4
  • SiC デバイス ユニポーラデバイス
    岩室 憲幸
    電気学会技術報告書/電気学会, 2020-07
  • サーマルマネジメント―パワー半導体デバイス技術と課題
    岩室 憲幸
    サーマルデバイス ~新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用~/(株)エヌ・ティー・エス, 2019-04
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導樹脂の開発 ~さらなる熱伝導率向上のために~/株式会社 技術情報協会/pp.369-378, 2019-07
  • GaNパワーデバイスの基礎
    岩室 憲幸
    Power Device Enabling Association report/一般社団法人 パワーデバイスイネーブリング協会/pp.7-9, 2020-02
  • SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性
    岩室 憲幸
    月間マテリアルステージ/株式会社 技術情報協会/pp.5-9, 2020-01
  • IV. パワー半導体デバイスの現状
    岩室 憲幸
    日本粉体工業技術協会, 2019-06
  • 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装
    岩室 憲幸
    科学情報出版株式会社, 2019-09
  • 体系的パワエレ研究と教育の重要性(巻頭言)
    岩室 憲幸
    パワーデバイスイネーブリング協会PDEA 巻頭言, 2019-02
  • 次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術
    岩室 憲幸
    サーマルマネジメント材料技術/サイエンス&テクノロジー株式会社/pp.209-222, 2019-07
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導材料の開発~さらなる熱伝導率の向上のために~/(株)技術情報協会/pp.369-378, 2019-07
  • さらに表示...
会議発表等
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
    Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
    Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
    高橋光希; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023)/2023-5-28--2023-6-1
  • 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定
    松岡亨卓; 磯部 高範; 加藤史樹; 先崎純寿; 佐藤弘; 岩室憲幸
    2022年電気学会産業応用部門大会/2022-08-30--2022-09-01
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵 武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚 凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • SiC MOSFET高性能化に向けた最新技術
    岩室 憲幸
    第4回WBG実装コンソーシアム/2023-02-22
  • SiC MOSFET高性能化・高信頼化の進展
    岩室 憲幸
    ワイドギャップ半導体学会第8回研究会/2022-10-6--2022-10-7
  • Investigations of UIS failure mechanism in state-of-the-art 1.2-kV SiC trench MOSFETs using TCAD simulations
    Iwamuro Noriyuki
    The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM-2022)/2022-11-14--2022-11-16
  • 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
    北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27
  • SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
    北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17
  • SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
    柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵 武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • さらに表示...
知的財産権
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸; 原田 信介
  • 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    辻 崇; 木下 明将; 岩室 憲幸; 福田 憲司
  • 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Silicon carbide devices and fabrication method
    Iwamuro Noriyuki
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
    Iwamuro Noriyuki; 原田 信介; 星 保幸; 原田 祐一
  • High Voltage Semiconductor Devices
    Iwamuro Noriyuki; 信介 原田
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
    岩室 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸; 後藤雅秀
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 炭化珪素半導体装置
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸
  • 半導体装置
    原田祐一; 岩室 憲幸; 星保幸; 原田信介
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
    岩室 憲幸
  • •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
  • さらに表示...
担当授業科目
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・量子工学専攻実験B筑波大学
2024-12 -- 2025-02パワー半導体デバイス筑波大学
さらに表示...
授業以外の教育活動
2021-10 -- 2021-10公)精密工学会 プラナリゼーション CMP とその応用技術専門委員会,第193回研究会,精密工学会
2020-12 -- 2020-12先進パワー半導体分科会 チュートリアル応用物理学会
2020-08 -- 2020-08第9回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2019-12 -- 2019-12INS冬季講演会:次世代パワー半導体の開発の現状と産業界への展開岩手ネットワークシステム(INS)
2019-10 -- 2019-10筑波大学での研究の紹介 「持続可能でクリーンなエネルギーについて」水城高校(茨城県水戸市)
2019-08 -- 2019-08第8回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2019-07 -- 2019-07応物学会 薄膜・表面物理セミナ-応用物理学会
2019-07 -- 2019-07電気学会 産業応用フォーラムパワエレ道場電気学会
2018-08 -- 2018-08第7回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2017-08 -- 2017-08第6回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
さらに表示...
一般講演
  • Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
    岩室 憲幸
    パワー半導体に関わる異業種研究会/2020-11-25--2020-11-25
  • 最新パワーデバイス技術動向ならびに新材料パワーデバイスへの期待
    岩室 憲幸
    2019年度第1回研究会/2019-06-26
  • パワー半導体入門
    岩室 憲幸
    大分県LSIクラスター形成推進会議/2019-05-09
  • パワーエレクトロニクスロードマップ
    岩室 憲幸
    GaN 研究コンソーシアム スプリングスクール/2019-03-26
  • パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革
    岩室 憲幸
    PDEAセミナー/2019-03-20
  • WBGパワーデバイス・事業展開への課題
    岩室 憲幸
    先端パワーエレクトロニクス技術体系教育講座/2018-12-13
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2018-07-19
  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスプロセスの最新動向
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 将来加工技術大136委員会/2018-04-19--2018-04-19
  • SiCパワーデバイスの最新技術動向と筑波大学パワエレ研究室の取り組み
    岩室 憲幸
    TPECセミナー/2018-04-16
  • パワー半導体デバイスに関する今後の展望
    岩室 憲幸
    電子情報技術産業協会 半導体標準化専門委員会/2018-02-16--2018-02-16
  • パワーデバイスの基礎と評価技術
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 ワイドバンドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会/2017-10-26--2017-10-27
  • IoT時代のパワーデバイスの開発状況と課題
    岩室 憲幸
    NPO法人サーキットネットワーク(C-NET)定期講演会/2017-08-23--2017-08-23
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2017-07-19
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2016-08-08
  • 次世代パワー半導体の最新技術動向
    岩室 憲幸
    日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー/2015-09-04
  • 最新パワーデバイス技術と今後の展開
    岩室 憲幸
    財団法人岡山県産業振興財団 おかやま電池関連技術研究会/2015-10-20
  • Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society
    Iwamuro Noriyuki
    Japan-Norway Energy Science Week 2015/2015-05-27--2015-05-27
学協会等委員
2022-06 -- 2023-06The 35th ISPSD2023Technical Program Committee Member
2022-04 -- 2024-03電気学会電気学会 電子・情報・システム部門 編修委員会 委員
2021-06 -- 2022-0634th ISPSD Technical Committee Member第34回パワー半導体国際学会(ISPSD)論文委員会委員
2021-06 -- 2022-12IEEE IEDM2021, 2022IEEE IEDM2021, 2022  Power Devices and Systems Sub-Committee member
2020-06 -- 2021-06第33回 ISPSD 2021第33回 ISPSD 2021  組織委員会委員
2017-04 -- (現在)電気学会電子デバイス技術委員会/一号委員
2018-10 -- 2019-09ICSCRM2019 論文委員会/委員
2016-09 -- 2019-02SIP 応用技術調査委員会
2018-10 -- 2019-09SSDM 2019Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2018-02 -- 2018-07The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018Chair
さらに表示...
学内管理運営業績
2020-04 -- 2022-03応用理工学類 電子量子主専攻 専攻主任
2019-10 -- 2020-09数理物質科学研究科 就職担当
2017-04 -- 2019-03応用理工学類 電子量子主専攻 専攻主任
その他の活動
2015-04 -- 2019-02内閣府SIP-次世代パワーエレクトロニクス技術開発 応用技術調査委員会 委員

(最終更新日: 2024-09-27)