現在地

岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

face
所属
数理物質系
職名
教授
URL
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研究室
パワーエレクトロニクス研究室
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究キーワード
パワーデバイス
研究課題
コンパクト加速器を実現するための超高速・高電圧パルス電源の開発2015-06 -- 2017-03内藤 孝新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)/9,939,000円
SIP(戦略的イノベーション創造プログラム)/次世代パワーエレクトロニクス2014-10 -- 2019-02岩室 憲幸産総研/77,238,000円
SiならびにSiCパワーデバイス高性能化、高信頼化に関する研究1988-04 -- (現在)/
職歴
1984-04 -- (現在)富士電機株式会社
2009-04 -- 2013-03産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
学歴
1980-04 -- 1984-03早稲田大学 理工学部 電気工学科卒業
1992-06 -- 1993-08North Carolina State University Power Semiconductor Research Centerその他
取得学位
1998-03博士(工学)早稲田大学
免許資格等
2006-122級ファイナンシャルプランナー技能士
所属学協会
2014 -- (現在)応用物理学会
1988-12 -- (現在)電気学会
1995-04 -- (現在)IEEE
受賞
2011-08電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞著書「世界を動かすパワー半導体」
論文
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.105-106, 2018-11
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集/pp.101-102, 2018-11
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会 予稿集/pp.221-224, 2019-01
  • Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
    姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.10-11, 2019-03
  • SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.18-19, 2019-03
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.22-23, 2019-03
  • SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.12-13, 2019-03
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.04, 2018-09
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.We.P.MI6, 2018-09
  • Zソースインバータにおける負荷短絡を考慮したインピーダンスソースの設計
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会, 2019-03
  • Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, 2018-09
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕...
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019/pp.167-170, 2019-05
  • Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019/pp.187-190, 2019-05
  • Recent Progress of SiC-MOSFETs and Their Futures
    Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of International Conference on Electronic Packageing 2019/pp.260-264, 2019-04
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.23-26, 2019-05
  • Recent Progress of SiC MOSFET Devices
    Iwamuro Noriyuki
    Material Science Forum/954/pp.90-98, 2019-05
  • First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    IEEE Journal of Electron Devices Society/7(1)/pp.613-620, 2019-06
  • 最新パワー半導体デバイスの開発動向
    岩室 憲幸
    エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集/29/pp.484-486, 2015
  • 相補型インバータにおけるSiC-pMOSFETの性能に対する電圧利用率の検討
    吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
    平成30年電気学会全国大会, 2018-03
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-009, 2017-09
  • Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-005, 2017-09
  • Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.57-58, 2017-11
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.261-262, 2017-11
著書
  • 体系的パワエレ研究と教育の重要性(巻頭言)
    岩室 憲幸
    パワーデバイスイネーブリング協会PDEA 巻頭言, 2019-02
  • 次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術
    岩室 憲幸
    サーマルマネジメント材料技術, サイエンス&テクノロジー株式会社, pp.209-222, 2019-07
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導材料の開発~さらなる熱伝導率の向上のために~, (株)技術情報協会, pp.369-378, 2019-07
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA Electronics Industry, Dempa Publications Inc., pp.28-29, 2018-09
  • Innovations Find Optimal Materials, Structure for Power Device
    Iwamuro Noriyuki
    AEI Asia Electronic Industry, 電波新聞社, pp.40-41, 2018-11
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 電波新聞社, pp.28-29, 2018-09
  • SiC power device design and fabrication
    Iwamuro Noriyuki
    Wide Bandgap Semiconductor Power Devices, ELSEVIER, WOODHEAD PUBLISHING, pp.79-149, 2018-10
  • パワーデバイスの最新技術とその応用
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー, 日本工業出版, 2017-12
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
  • SiCパワーデバイスの開発と車載用途への要望
    岩室 憲幸
    車載テクノロジー, 株式会社技術情報協会, pp.25-28, 2018-02
  • 新材料の実用化が進むパワー半導体 パワー半導体の基礎
    岩室 憲幸
    電気総合誌「オーム OHM」1月号, 株式会社オーム社, pp.4-8, 2018-01
  • パワーデバイス基礎講座(全8回)
    岩室 憲幸
    パワーデバイス・イネーブリング協会 会報誌, 2016-06
  • SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
    岩室 憲幸
    SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント, S&T出版, 2018-01
  • シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展
    岩室 憲幸
    シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展, 電気学会, 2018-04
  • Power Semiconductors Shape up for Future Vehicles
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 電波新聞社, pp.26-27, 2017-06
  • Semiconductor Materials Seal Role in Power Devices
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, pp.46-49, 2016-09
  • 次世代パワーエレクトロニクスを支えるSiCパワー半導体デバイスならびにその実装技術
    Iwamuro Noriyuki
    SEAJ Journal, pp.32-34, 2016-01
  • 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開
    岩室 憲幸
    シーエムシー出版, 2015-06
  • 第26章 パワー半導体市場ならびに企業動向
    岩室 憲幸
    次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開, シーエムシー出版, 2015-06
  • 第8章 シリコンパワー半導体
    岩室 憲幸
    次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開, シーエムシー出版, 2015-06
  • SiCパワーモジュールとGaNパワーモジュールの技術動向
    Iwamuro Noriyuki
    エネルギーデバイス, 2015-02
  • 最新の各種パワーデバイス技術動向とその応用例
    岩室 憲幸
    2015 パワーデバイス技術大全, 株式会社 電子ジャーナル, 2014-07
  • パワーデバイスの設計・製造技術
    岩室 憲幸
    2015 パワーデバイス技術大全, 株式会社 電子ジャーナル, 2014-07
  • IGBTの現状と最新動向
    岩室 憲幸
    2015 パワーデバイス技術大全, 株式会社 電子ジャーナル, 2014-07
  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向
    岩室 憲幸
    SiCパワーデバイスの開発と最新動向, S&T出版, 2012-10
会議発表等
  • Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
    岩室 憲幸
    2018エレクトロニクス実装学会 最先端実装技術シンポジウム/2018-06-07--2018-06-07
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川 雅貴; 饗場 塁士; 金森 大河; 原田 信介; 矢野 裕...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    凱倫 姚; 矢野 裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Zソースインバータにおける負荷短絡を考慮したインピーダンスソースの設計
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • Zソースインバータの負荷短絡時の電流遮断能力の検討
    高嶋 薫; 飯嶋 竜司; 磯部 高範; 只野 博; 岩室 憲幸
    半導体電力変換/モータドライブ合同研究会/2018-09-06--2018-09-07
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Recent Progress of SiC-MOSFETs and Competition with state-of-the-art Si-IGBTs (Keynote Speech)
    Iwamuro Noriyuki
    WiPDA-Asia/2019-05-23--2019-05-25
  • Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
    姚 凱倫; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野 裕...
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
    饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 大河; 小林 勇介; 原田 信...
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • State-of-the-art and Future Prospective of Si-IGBT Technologies,
    Iwamuro Noriyuki
    The 4th Int. Academic Forum of China IGBT Technology Innovation and Industry Alliance/2018-11-06--2018-11-06
  • Recent Progress of SiC MOSFET Devices (Planary talk)
    Iwamuro Noriyuki
    Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018/2018-07-09--2018-07-12
  • 相補型インバータにおけるSiC-pMOSFETの性能に対する電圧利用率の検討
    吉田 千恵; 磯部 高範; 岩室 憲幸; 只野博
    平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16
  • Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors
    Karamoto Yuki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology (IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • パワー半導体デバイス~日本に残すべき体系的パワエレ技術~
    岩室憲幸
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第22回研究会/2017-1-20--2017-01-22
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • マルチエピタキシャル型SiC SJ ダイオードの電気特性のプロセス依存性
    原田穣; 森本忠雄; 原田信介; 岩室 憲幸
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
  • Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
    周星炎; 岡本大; 畠山哲夫; 染谷満; 原田信介; 唐本祐樹; 張...
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
知的財産権
  • 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Silicon carbide devices and fabrication method
    Iwamuro Noriyuki
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
    Iwamuro Noriyuki; 原田 信介; 星 保幸; 原田 祐一
  • High Voltage Semiconductor Devices
    Iwamuro Noriyuki; 信介 原田
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
    岩室 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸; 後藤雅秀
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 炭化珪素半導体装置
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸
  • 半導体装置
    原田祐一; 岩室 憲幸; 星保幸; 原田信介
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
    岩室 憲幸
  • •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
  • •ワイドバンドギャップ半導体装置
    岩室 憲幸
  • •Semiconductor device
    岩室 憲幸
  • •ワイドバンドギャップ半導体装置
    岩室 憲幸
  • •縦型高耐圧半導体装置およびその製造方法
    岩室 憲幸
担当授業科目
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2019-08 -- 2019-08地球規模課題と国際社会:環境・エネルギー筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・量子工学専攻実験B筑波大学
授業以外の教育活動
2017-08 -- 2017-08第6回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2016-08 -- 2016-08第5回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2015-08 -- 2015-08第4回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2014-08 -- 2014-08第3回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2013-08 -- 2013-08第2回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
一般講演
  • パワーエレクトロニクスロードマップ
    岩室 憲幸
    GaN 研究コンソーシアム スプリングスクール/2019-03-26
  • パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革
    岩室 憲幸
    PDEAセミナー/2019-03-20
  • WBGパワーデバイス・事業展開への課題
    岩室 憲幸
    先端パワーエレクトロニクス技術体系教育講座/2018-12-13
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2018-07-19
  • SiCパワーデバイスの最新技術動向と筑波大学パワエレ研究室の取り組み
    岩室 憲幸
    TPECセミナー/2018-04-16
  • IoT時代のパワーデバイスの開発状況と課題
    岩室 憲幸
    NPO法人サーキットネットワーク(C-NET)定期講演会/2017-08-23--2017-08-23
  • パワー半導体デバイスに関する今後の展望
    岩室 憲幸
    電子情報技術産業協会 半導体標準化専門委員会/2018-02-16--2018-02-16
  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスプロセスの最新動向
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 将来加工技術大136委員会/2018-04-19--2018-04-19
  • パワーデバイスの基礎と評価技術
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 ワイドバンドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会/2017-10-26--2017-10-27
  • 次世代パワー半導体の最新技術動向
    岩室 憲幸
    日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー/2015-09-04
  • 最新パワーデバイス技術と今後の展開
    岩室 憲幸
    財団法人岡山県産業振興財団 おかやま電池関連技術研究会/2015-10-20
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2016-08-08
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2017-07-19
  • Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society
    Iwamuro Noriyuki
    Japan-Norway Energy Science Week 2015/2015-05-27--2015-05-27
学協会等委員
2018-10 -- 2019-09ICSCRM2019 論文委員会/委員
2016-09 -- 2019-02SIP 応用技術調査委員会
2018-10 -- 2019-09SSDM 2019Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2018-02 -- 2018-07The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018Chair
2017-10 -- 2018-09SSDM 2018Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2017-01 -- (現在)IEEE EDS Power Device Technical CommitteeMember
2017-04 -- 2020-03電気学会パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会/委員
2016-04 -- 2017-05パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD)Steering Committee Member
2017-04 -- 2019-03電気学会電子デバイス技術委員会/一号委員
2014-04 -- 2017-03電気学会電子デバイス技術委員会/2号委員
学内管理運営業績
2017-04 -- 2019-03応用理工学類 電子量子主専攻 専攻主任
その他の活動
2015-04 -- 2019-02内閣府SIP-次世代パワーエレクトロニクス技術開発 応用技術調査委員会 委員

(最終更新日: 2019-08-20)