岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ)

所属
数理物質系
職名
教授
ORCID
0000-0002-5027-4718
URL
eメール
=,:$0852O125,<8.,O)%FUQ8O768.8%$O$&O-3
研究室
パワーエレクトロニクス研究室
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究キーワード
パワーデバイス
研究課題
高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞならびに高信頼性実現を目指したSiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ向け低ｲﾝﾀﾞｸﾀﾝｽﾊﾟｯｹｰｼﾞの開発2022-04 -- 2023-03岩室憲幸/2022年度つくば産学連携強化プロジェクト　「筑波大学・産総研　合わせ技ファンド」1,000,000円
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究2021-04 -- 2025-03岩室 憲幸日本学術振興会/基盤研究(B)16,250,000円
SiCスーパージャンクション、バイポーラデバイス要素技術開発、高耐圧モジュール及び電力制御の要素技術開発2021-02 -- 2024-02米澤善幸（産総研）新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO)/クリーンエネルギー分野における革新的要素技術の国際共同研究開発事業7,084,000円
高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞでさらなる低ｽｲｯﾁﾝｸﾞ損失の実現を目指したSiCﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽ向け低ｲﾝﾀﾞｸﾀﾝｽﾊﾟｯｹｰｼﾞの開発2021-04 -- 2022-03岩室憲幸/産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
ノイズ計測器向け高速・高耐圧パワー半導体デバイス構造に関する研2019-09 -- 2020-03岩室　憲幸国立研究開発法人産業技術総合研究所/990,000円
超低ｵﾝ抵抗SiCﾄﾚﾝﾁMOSFETのｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽｿｰｽｲﾝﾊﾞｰﾀ回路への適用可能性の研究2019-04 -- 2020-03岩室　憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
ショットバリアダイオード内蔵SiCﾄﾚﾝﾁMOSFET破壊ﾒｶﾆｽﾞﾑ解明とその耐量向上に関する研究2018-04 -- 2019-03岩室　憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
コンパクト加速器を実現するための超高速・高電圧パルス電源の開発2015-06 -- 2017-03内藤　孝新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO)/9,939,000円
SIP（戦略的イノベーション創造プログラム）／次世代パワーエレクトロニクス2014-10 -- 2019-02岩室　憲幸産総研/77,238,000円
SiならびにSiCパワーデバイス高性能化、高信頼化に関する研究1988-04 -- (現在)/
職歴
1984-04 -- (現在)富士電機株式会社
2009-04 -- 2013-03産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
学歴
1980-04 -- 1984-03早稲田大学 理工学部 電気工学科
1992-06 -- 1993-08North Carolina State University Power Semiconductor Research Center
取得学位
1998-03博士（工学）早稲田大学
免許資格等
2006-122級ファイナンシャルプランナー技能士
所属学協会
2014 -- (現在)応用物理学会
1988-12 -- (現在)電気学会
1995-04 -- (現在)IEEE
受賞
2020-12日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞SBD内蔵SiCトレンチMOSFET実用化への道筋
2020-04電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞電気学会技術報告書第1420号（2018年4月発行）
2011-08電気学会　優秀技術活動賞 グループ著作賞著書「世界を動かすパワー半導体」
論文
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.105-106, 2023-11
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.103-104, 2023-11
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.101-102, 2023-11
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(22)/pp.37-38, 2024-03
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(19)/pp.32-33, 2024-03
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(20)/pp.34-35, 2024-03-14
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
    Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.Mo.C.11, 2023-09
  • Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
    Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/p.C.1, 2023-09
  • 電気ー熱ー応力連成シミュレーション技術を用いたSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズム解析法
    Yao Kairun; 岩室 憲幸
    電気学会論文誌C (電子・情報・システム部門誌)/144(3)/pp.204-211, 2024-3
  • Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
    髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.250-253, 2023-05
  • An investigation of avalanche ruggedness and failure mechanisms of 4H SiC trench MOSFETs in unclamped inductive switching by varying load inductances over a wide range
    Tsuji Takashi; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(4), 2023-04
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-5-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanak...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harad...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22
  • 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定
    松岡亨卓; 磯部 高範; 加藤史樹; 先崎純寿; 佐藤弘; 岩室憲幸
    2022年電気学会産業応用部門大会, 2022-08
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚　凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116/pp.113-116, 2022-05-22
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.701-702, 2022-09-26
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.703-704, 2022-09-26
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-122, 2022-09-20
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.91-92, 2022-12-20
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会　予稿集/pp.75-75, 2022-12-20
  • Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs
    柏佳介; 髙橋光希; 北村雄大; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1073)/pp.SC2073-1-SC1073-10, 2023-02
  • Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵　武志; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/62(SC1007)/pp.SC1007-1-SC1007-9, 2022-12
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著書
  • Developments in Power Components Focus on Optimal Si Devices
    Iwamuro Noriyuki
    Asia Electronics Industry/電波新聞社/pp.26-27, 2023-09
  • パワーデバイスの最新動向　パワーデバイスって何
    岩室 憲幸
    表面技術/一般社団法人　表面技術協会/pp.296-300, 2023-06
  • MOSFETとIGBTを中心としたパワー半導体デバイスの最新動向と課題
    岩室 憲幸
    工業材料/日刊工業新聞社/pp.2-5, 2023-08
  • シリコンIGBTの最新動向とSiCパワーデバイスの現状と課題
    岩室 憲幸
    月刊車載テクノロジー/技術情報協会/pp.27 -31, 2023-06
  • パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス ～高信頼性を実現する素子と実装技術～
    岩室 憲幸
    科学情報出版, 2024-02
  • Silicon Power Devices
    Iwamuro Noriyuki
    Springer Handbook of Semiconductor Devices/Springer Nature/pp.423-490, 2022-11
  • SiC・GaNパワー半導体の技術動向と応用展開
    岩室 憲幸
    工業材料/日刊工業新聞社/pp.２-７, 2022-02
  • Power ICs Shape Up to Meet Emerging Automobile Trends
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA Electronics Industry/電波新聞社/pp.28-29, 2021-12
  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    岩室 憲幸
    ㈱シーエムシー出版, 2021-08
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    岩室 憲幸
    ㈱エヌ・ティー・エス, 2022-02
  • 在 5G 商用化和 EV 普及上关注度不断 增加的功率半导体
    Iwamuro Noriyuki
    AEI 亜州電子信息/pp.22-23, 2020-08
  • SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載機器への展望
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー/日本工業出版/pp.1-5, 2020-5
  • 自動車の電動化に向けたSiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況ならびに今後の動向
    岩室 憲幸
    工業材料/日刊工業新聞社, 2020-9
  • パワーエレクトロニクスの現状と将来
    岩室 憲幸
    電気評論, 2020-12
  • 注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN
    岩室 憲幸
    電気計算/pp.35-40, 2020-4
  • SiC デバイス　ユニポーラデバイス
    岩室 憲幸
    電気学会技術報告書/電気学会, 2020-07
  • サーマルマネジメント―パワー半導体デバイス技術と課題
    岩室 憲幸
    サーマルデバイス　～新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用～/(株)エヌ・ティー・エス, 2019-04
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導樹脂の開発　～さらなる熱伝導率向上のために～/株式会社　技術情報協会/pp.369-378, 2019-07
  • GaNパワーデバイスの基礎
    岩室 憲幸
    Power Device Enabling Association report/一般社団法人　パワーデバイスイネーブリング協会/pp.7-9, 2020-02
  • SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性
    岩室 憲幸
    月間マテリアルステージ/株式会社　技術情報協会/pp.5-9, 2020-01
  • IV. パワー半導体デバイスの現状
    岩室 憲幸
    日本粉体工業技術協会, 2019-06
  • 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装
    岩室 憲幸
    科学情報出版株式会社, 2019-09
  • 体系的パワエレ研究と教育の重要性（巻頭言）
    岩室 憲幸
    パワーデバイスイネーブリング協会PDEA　巻頭言, 2019-02
  • 次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術
    岩室 憲幸
    サーマルマネジメント材料技術/サイエンス＆テクノロジー株式会社/pp.209-222, 2019-07
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導材料の開発～さらなる熱伝導率の向上のために～/（株）技術情報協会/pp.369-378, 2019-07
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会議発表等
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
    Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
    Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress
    高橋光希; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2023)/2023-5-28--2023-6-1
  • 電気熱連成解析によるモータ駆動時の SiC MOSFET の温度推定
    松岡亨卓; 磯部 高範; 加藤史樹; 先崎純寿; 佐藤弘; 岩室憲幸
    2022年電気学会産業応用部門大会/2022-08-30--2022-09-01
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    凱倫 姚; 加藤史樹; 田中聡; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵　武志; 信介 原田; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis
    柏佳介; 姚　凱倫; 信介 原田; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22
  • AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第83回応用物理学会秋季学術講演会/2022-09-20--2022-09-23
  • モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第9回講演会/2022-12-20--2022-12-21
  • SiC MOSFET高性能化に向けた最新技術
    岩室 憲幸
    第4回WBG実装コンソーシアム/2023-02-22
  • SiC MOSFET高性能化・高信頼化の進展
    岩室 憲幸
    ワイドギャップ半導体学会第8回研究会/2022-10-6--2022-10-7
  • Investigations of UIS failure mechanism in state-of-the-art 1.2-kV SiC trench MOSFETs using TCAD simulations
    Iwamuro Noriyuki
    The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM-2022)/2022-11-14--2022-11-16
  • 1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析
    北村雄大; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    電気学会電子デバイス研究会/2023-03-27--2023-03-27
  • SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-03-15--2023-03-17
  • SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析
    柏佳介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和5年電気学会全国大会/2023-3-15--2023-3-17
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
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知的財産権
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸; 原田 信介
  • 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    辻　崇; 木下　明将; 岩室 憲幸; 福田　憲司
  • 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Silicon carbide devices and fabrication method
    Iwamuro Noriyuki
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
    Iwamuro Noriyuki; 原田　信介; 星　保幸; 原田　祐一
  • High Voltage Semiconductor Devices
    Iwamuro Noriyuki; 信介 原田
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
    岩室 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸; 後藤雅秀
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 炭化珪素半導体装置
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸
  • 半導体装置
    原田祐一; 岩室 憲幸; 星保幸; 原田信介
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
    岩室 憲幸
  • •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
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担当授業科目
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・量子工学専攻実験B筑波大学
2024-12 -- 2025-02パワー半導体デバイス筑波大学
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授業以外の教育活動
2021-10 -- 2021-10公）精密工学会 プラナリゼーション CMP とその応用技術専門委員会,第193回研究会,精密工学会
2020-12 -- 2020-12先進パワー半導体分科会　チュートリアル応用物理学会
2020-08 -- 2020-08第9回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA）
2019-12 -- 2019-12INS冬季講演会：次世代パワー半導体の開発の現状と産業界への展開岩手ネットワークシステム（INS）
2019-10 -- 2019-10筑波大学での研究の紹介 「持続可能でクリーンなエネルギーについて」水城高校（茨城県水戸市）
2019-08 -- 2019-08第8回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA）
2019-07 -- 2019-07応物学会　薄膜・表面物理セミナ-応用物理学会
2019-07 -- 2019-07電気学会　産業応用フォーラムパワエレ道場電気学会
2018-08 -- 2018-08第7回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA）
2017-08 -- 2017-08第6回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ（TIA）
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一般講演
  • Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
    岩室 憲幸
    パワー半導体に関わる異業種研究会/2020-11-25--2020-11-25
  • 最新パワーデバイス技術動向ならびに新材料パワーデバイスへの期待
    岩室 憲幸
    ２０１９年度第１回研究会/2019-06-26
  • パワー半導体入門
    岩室 憲幸
    大分県LSIクラスター形成推進会議/2019-05-09
  • パワーエレクトロニクスロードマップ
    岩室 憲幸
    GaN 研究コンソーシアム スプリングスクール/2019-03-26
  • パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革
    岩室 憲幸
    PDEAセミナー/2019-03-20
  • WBGパワーデバイス・事業展開への課題
    岩室 憲幸
    先端パワーエレクトロニクス技術体系教育講座/2018-12-13
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2018-07-19
  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスプロセスの最新動向
    岩室 憲幸
    日本学術振興会　将来加工技術大136委員会/2018-04-19--2018-04-19
  • SiCパワーデバイスの最新技術動向と筑波大学パワエレ研究室の取り組み
    岩室 憲幸
    TPECセミナー/2018-04-16
  • パワー半導体デバイスに関する今後の展望
    岩室 憲幸
    電子情報技術産業協会　半導体標準化専門委員会/2018-02-16--2018-02-16
  • パワーデバイスの基礎と評価技術
    岩室 憲幸
    日本学術振興会　ﾜｲﾄﾞﾊﾞﾝﾄﾞｷﾞｬｯﾌﾟ半導体光・電子デバイス第162委員会/2017-10-26--2017-10-27
  • IoT時代のパワーデバイスの開発状況と課題
    岩室 憲幸
    NPO法人サーキットネットワーク(C-NET)定期講演会/2017-08-23--2017-08-23
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2017-07-19
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2016-08-08
  • 次世代パワー半導体の最新技術動向
    岩室 憲幸
    日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー/2015-09-04
  • 最新パワーデバイス技術と今後の展開
    岩室 憲幸
    財団法人岡山県産業振興財団　おかやま電池関連技術研究会/2015-10-20
  • Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society
    Iwamuro Noriyuki
    Japan-Norway Energy Science Week 2015/2015-05-27--2015-05-27
学協会等委員
2022-06 -- 2023-06The 35th ISPSD2023Technical Program Committee Member
2022-04 -- 2024-03電気学会電気学会　電子・情報・システム部門　編修委員会　委員
2021-06 -- 2022-0634th ISPSD Technical Committee Member第34回パワー半導体国際学会（ISPSD）論文委員会委員
2021-06 -- 2022-12IEEE IEDM2021, 2022IEEE IEDM2021, 2022 　Power Devices and Systems Sub-Committee member
2020-06 -- 2021-06第33回 ISPSD 2021第33回 ISPSD 2021 　組織委員会委員
2017-04 -- (現在)電気学会電子デバイス技術委員会/一号委員
2018-10 -- 2019-09ICSCRM2019 論文委員会/委員
2016-09 -- 2019-02SIP 応用技術調査委員会
2018-10 -- 2019-09SSDM 2019Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2018-02 -- 2018-07The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018Chair
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学内管理運営業績
2020-04 -- 2022-03応用理工学類　電子量子主専攻　専攻主任
2019-10 -- 2020-09数理物質科学研究科　就職担当
2017-04 -- 2019-03応用理工学類　電子量子主専攻　専攻主任
その他の活動
2015-04 -- 2019-02内閣府SIP-次世代パワーエレクトロニクス技術開発　応用技術調査委員会　委員

(最終更新日: 2024-09-27)