現在地

岩室 憲幸(イワムロ ノリユキ; Iwamuro, Noriyuki)

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所属
数理物質系
職名
教授
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研究室
パワーエレクトロニクス研究室
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究キーワード
パワーデバイス
研究課題
SiC-MOSFET負荷短絡時の素子残留ダメージが信頼性特性へ及ぼす影響の研究2021-04 -- 2024-03岩室憲幸/科研費 基盤研究B11,700,000円
SiCスーパージャンクション、バイポーラデバイス要素技術開発、高耐圧モジュール及び電力制御の要素技術開発2021-02 -- 2023-02米澤善幸(産総研)新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)/クリーンエネルギー分野における革新的要素技術の国際共同研究開発事業7,084,000円
高速スイッチングでさらなる低スイッチング損失の実現を目指したSiCパワーデバイス向け低インダクタンスパッケージの開発2021-04 -- 2022-03岩室憲幸/産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
ノイズ計測器向け高速・高耐圧パワー半導体デバイス構造に関する研2019-09 -- 2020-03岩室 憲幸国立研究開発法人産業技術総合研究所/990,000円
超低オン抵抗SiCトレンチMOSFETのインピーダンスソースインバータ回路への適用可能性の研究2019-04 -- 2020-03岩室 憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
ショットバリアダイオード内蔵SiCトレンチMOSFET破壊メカニズム解明とその耐量向上に関する研究2018-04 -- 2019-03岩室 憲幸産総研・筑波大学/つくば産学連携強化プロジェクト1,000,000円
コンパクト加速器を実現するための超高速・高電圧パルス電源の開発2015-06 -- 2017-03内藤 孝新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)/9,939,000円
SIP(戦略的イノベーション創造プログラム)/次世代パワーエレクトロニクス2014-10 -- 2019-02岩室 憲幸産総研/77,238,000円
SiならびにSiCパワーデバイス高性能化、高信頼化に関する研究1988-04 -- (現在)/
職歴
1984-04 -- (現在)富士電機株式会社
2009-04 -- 2013-03産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
学歴
1980-04 -- 1984-03早稲田大学 理工学部 電気工学科卒業
1992-06 -- 1993-08North Carolina State University Power Semiconductor Research Centerその他
取得学位
1998-03博士(工学)早稲田大学
免許資格等
2006-122級ファイナンシャルプランナー技能士
所属学協会
2014 -- (現在)応用物理学会
1988-12 -- (現在)電気学会
1995-04 -- (現在)IEEE
受賞
2020-12日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞SBD内蔵SiCトレンチMOSFET実用化への道筋
2020-04電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞電気学会技術報告書第1420号(2018年4月発行)
2011-08電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞著書「世界を動かすパワー半導体」
論文
  • 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.61-62, 2020-12
  • Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
    Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
    第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-098, 2020-03
  • On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
    岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡...
    第67回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.12-261, 2020-03
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会 予稿集/pp.69-70, 2020-12
  • SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司;...
    令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.7-8, 2020-03
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.9-10, 2020-03
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 ...
    令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.1-2, 2020-03
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 ...
    令和2年電気学会全国大会 予稿集/pp.11-12, 2020-03
  • 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
    柏 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会 予稿集/pp.5-6, 2021-03
  • 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
    松井ケビン; 饗場 塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会 予稿集/pp.7-8, 2021-03
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
    北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-150, 2021-03
  • 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
    亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-149, 2021-03
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢...
    Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.219-222, 2021-05
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.215-218, 2021-05
  • Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
    Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.115-118, 2021-05
  • Power Semiconductors Beef up Roles in 5G, Electrified Vehicles
    Iwamuro Noriyuki
    Asia Electronic Industry/pp.23-25, 2020-07
  • Investigations of short-circuit failure in double trench SiC MOSFETs through three-dimensional electro-thermal-mechanical stress analysis
    姚 凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Microelectronics Reliability/122/pp.114163-1-114163-10, 2021-07
  • Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method
    坂田 大輝; 岡本 大; Sometani M.; Okamoto M.; Hirai H.; ...
    Japanese Journal of Applied Physics/60(6)/pp.060901-1-060901-4, 2021-06
  • Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
    金森 大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of PCIM Asia, 2020/pp.25-29, 2020-11
  • Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
    饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田信介;...
    Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020/pp.174-177, 2020-09
  • Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
    大川 雅貴; 金森 大河; 饗場 塁士; 矢野裕司; Iwamuro Nor...
    Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020/pp.74-77, 2020-9
  • Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal
    饗場 塁士; 松井ケビン; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    IEEE Electron Device Letters/41(12)/pp.1810-1813, 2020-12
  • Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes
    松島 宏行; Y.Mori; 島 明夫; Iwamuro Noriyuki
    Japanese Journal of Applied Physics/59(10)/pp.104003-1-104003-8, 2020-10
  • Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses
    Yao Kailun; 矢野裕司; 只野博; Iwamuro Noriyuki
    IEEE Transactions on Electron Devices/67(10)/pp.4328-4334, 2020-10
  • Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method
    Zhang Xufang; Matsumoto Tsubasa; Sakurai Ukyo; Makino Tos...
    CARBON/168/pp.659-664, 2020-10
著書
  • 在 5G 商用化和 EV 普及上关注度不断 增加的功率半导体
    Iwamuro Noriyuki
    AEI 亜州電子信息, pp.22-23, 2020-08
  • SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載機器への展望
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー, 日本工業出版, pp.1-5, 2020-5
  • 自動車の電動化に向けたSiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況ならびに今後の動向
    岩室 憲幸
    工業材料, 日刊工業新聞社, 2020-9
  • パワーエレクトロニクスの現状と将来
    岩室 憲幸
    電気評論, 2020-12
  • 注目される次世代パワーデバイスSiC・GaN
    岩室 憲幸
    電気計算, pp.35-40, 2020-4
  • SiC デバイス ユニポーラデバイス
    岩室 憲幸
    電気学会技術報告書, 電気学会, 2020-07
  • サーマルマネジメント―パワー半導体デバイス技術と課題
    岩室 憲幸
    サーマルデバイス ~新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用~, (株)エヌ・ティー・エス, 2019-04
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導樹脂の開発 ~さらなる熱伝導率向上のために~, 株式会社 技術情報協会, pp.369-378, 2019-07
  • GaNパワーデバイスの基礎
    岩室 憲幸
    Power Device Enabling Association report, 一般社団法人 パワーデバイスイネーブリング協会, pp.7-9, 2020-02
  • SiC/GaNパワーデバイスの技術トレンドと求められる放熱・耐熱特性
    岩室 憲幸
    月間マテリアルステージ, 株式会社 技術情報協会, pp.5-9, 2020-01
  • IV. パワー半導体デバイスの現状
    岩室 憲幸
    日本粉体工業技術協会, 2019-06
  • 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装
    岩室 憲幸
    科学情報出版株式会社, 2019-09
  • 体系的パワエレ研究と教育の重要性(巻頭言)
    岩室 憲幸
    パワーデバイスイネーブリング協会PDEA 巻頭言, 2019-02
  • 次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術
    岩室 憲幸
    サーマルマネジメント材料技術, サイエンス&テクノロジー株式会社, pp.209-222, 2019-07
  • SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題
    岩室 憲幸
    高熱伝導材料の開発~さらなる熱伝導率の向上のために~, (株)技術情報協会, pp.369-378, 2019-07
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA Electronics Industry, Dempa Publications Inc., pp.28-29, 2018-09
  • Innovations Find Optimal Materials, Structure for Power Device
    Iwamuro Noriyuki
    AEI Asia Electronic Industry, 電波新聞社, pp.40-41, 2018-11
  • Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption
    Iwamuro Noriyuki
    ASIA ELECTRONICS INDUSTRY, 電波新聞社, pp.28-29, 2018-09
  • SiC power device design and fabrication
    Iwamuro Noriyuki
    Wide Bandgap Semiconductor Power Devices, ELSEVIER, WOODHEAD PUBLISHING, pp.79-149, 2018-10
  • パワーデバイスの最新技術とその応用
    岩室 憲幸
    クリーンテクノロジー, 日本工業出版, 2017-12
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
  • SiCパワーデバイスの開発と車載用途への要望
    岩室 憲幸
    車載テクノロジー, 株式会社技術情報協会, pp.25-28, 2018-02
  • 新材料の実用化が進むパワー半導体 パワー半導体の基礎
    岩室 憲幸
    電気総合誌「オーム OHM」1月号, 株式会社オーム社, pp.4-8, 2018-01
  • パワーデバイス基礎講座(全8回)
    岩室 憲幸
    パワーデバイス・イネーブリング協会 会報誌, 2016-06
  • SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
    岩室 憲幸
    SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント, S&T出版, 2018-01
会議発表等
  • 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
    Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
    第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
  • On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
    岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡...
    第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    戸高駿希; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢...
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-5-30--2021-6-3
  • Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
    Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
    饗場 塁士; 松井ケビン; 大川 雅貴; 金森 大河; 原田信介;...
    The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18
  • Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
    大川 雅貴; 金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18
  • Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
    金森大河; 饗場 塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    PCIM asia 2020/2020-11-16--2020-11-18
  • Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4H-SiC MOSFETs at Inversion
    Cui Xiaoran; Iwamuro Noriyuki; 矢野裕司
    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-9-27--2020-9-30
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
    北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19
  • 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
    亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19
  • 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
    柏 佳介; 松井ケビン; 饗場 塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11
  • 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
    松井ケビン; 饗場 塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11
  • Recent progress of power semiconductor devices and expectation for GaN power devices (Invited)
    Iwamuro Noriyuki
    39th Electronic Materials Symposium/2020-10-7--2020-10-9
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shinsu...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • 最新パワーデバイス技術動向ならびに新材料パワーデバイスへの期待
    岩室 憲幸
    (一社)ニューダイヤモンドフォーラム 2019年度第1回研究会/2019-06-26--2019-06-26
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井 ケビン; 戸高 駿希; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 ...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高 駿希; 松井 ケビン; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 金森 ...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森 大河; 饗場 塁士; 大川 雅貴; 原田 信介; 矢野裕司;...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場 塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
知的財産権
  • 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    辻 崇; 木下 明将; 岩室 憲幸; 福田 憲司
  • 炭化ケイ素縦型MOSFETおよびその製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置
    岩室 憲幸
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Silicon carbide devices and fabrication method
    Iwamuro Noriyuki
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • Vertical high voltage semicouductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor apparatus
    Iwamuro Noriyuki; 原田 信介; 星 保幸; 原田 祐一
  • High Voltage Semiconductor Devices
    Iwamuro Noriyuki; 信介 原田
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    岩室 憲幸
  • 炭化ケイ素縦型MOSFET及びその製造方法
    岩室 憲幸; 原田信介; 星保幸; 原田祐一
  • Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device
    Iwamuro Noriyuki
  • 炭化珪素半導体素子の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸; 後藤雅秀
  • 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 炭化珪素半導体装置
    辻崇; 木下明将; 岩室 憲幸; 福田憲司
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    福田憲司; 岩室 憲幸
  • 半導体装置
    原田祐一; 岩室 憲幸; 星保幸; 原田信介
  • Vertical high voltage semiconductor apparatus and fabrication method of vertical high voltage semiconductor appatus
    岩室 憲幸
  • •Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same
    岩室 憲幸
  • •炭化珪素縦型電界効果トランジスタ
    岩室 憲幸
  • •半導体装置
    岩室 憲幸
  • •ワイドバンドギャップ半導体装置
    岩室 憲幸
担当授業科目
2020-10 -- 2021-02特別研究II筑波大学
2020-10 -- 2021-02特別研究筑波大学
2020-04 -- 2020-08特別研究筑波大学
2020-04 -- 2020-08特別研究I筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2020-10 -- 2021-03卒業研究A筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
授業以外の教育活動
2020-12 -- 2020-12先進パワー半導体分科会 チュートリアル応用物理学会
2020-08 -- 2020-08第9回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2019-12 -- 2019-12INS冬季講演会:次世代パワー半導体の開発の現状と産業界への展開岩手ネットワークシステム(INS)
2019-10 -- 2019-10筑波大学での研究の紹介 「持続可能でクリーンなエネルギーについて」水城高校(茨城県水戸市)
2019-08 -- 2019-08第8回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2019-07 -- 2019-07応物学会 薄膜・表面物理セミナ-応用物理学会
2019-07 -- 2019-07電気学会 産業応用フォーラムパワエレ道場電気学会
2018-08 -- 2018-08第7回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2017-08 -- 2017-08第6回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
2016-08 -- 2016-08第5回TIAパワーエレクトロニクスサマースクール講師つくばイノベーションアリーナ(TIA)
一般講演
  • Si, SiC, GaNパワーデバイスの開発動向と課題
    岩室 憲幸
    パワー半導体に関わる異業種研究会/2020-11-25--2020-11-25
  • 最新パワーデバイス技術動向ならびに新材料パワーデバイスへの期待
    岩室 憲幸
    2019年度第1回研究会/2019-06-26
  • パワー半導体入門
    岩室 憲幸
    大分県LSIクラスター形成推進会議/2019-05-09
  • パワーエレクトロニクスロードマップ
    岩室 憲幸
    GaN 研究コンソーシアム スプリングスクール/2019-03-26
  • パワーデバイスの進化とSiC実用化が引き起こす変革
    岩室 憲幸
    PDEAセミナー/2019-03-20
  • WBGパワーデバイス・事業展開への課題
    岩室 憲幸
    先端パワーエレクトロニクス技術体系教育講座/2018-12-13
  • パワーデバイスの動向およびSiC・GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2018-07-19
  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスプロセスの最新動向
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 将来加工技術大136委員会/2018-04-19--2018-04-19
  • SiCパワーデバイスの最新技術動向と筑波大学パワエレ研究室の取り組み
    岩室 憲幸
    TPECセミナー/2018-04-16
  • パワー半導体デバイスに関する今後の展望
    岩室 憲幸
    電子情報技術産業協会 半導体標準化専門委員会/2018-02-16--2018-02-16
  • パワーデバイスの基礎と評価技術
    岩室 憲幸
    日本学術振興会 ワイドバンドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会/2017-10-26--2017-10-27
  • IoT時代のパワーデバイスの開発状況と課題
    岩室 憲幸
    NPO法人サーキットネットワーク(C-NET)定期講演会/2017-08-23--2017-08-23
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2017-07-19
  • パワーデバイスの動向およびSiC/GaN研究開発の最前線
    岩室 憲幸
    電気学会産業応用フォーラムパワエレ道場/2016-08-08
  • 次世代パワー半導体の最新技術動向
    岩室 憲幸
    日本ファインセラミックス協会イブニングセミナー/2015-09-04
  • 最新パワーデバイス技術と今後の展開
    岩室 憲幸
    財団法人岡山県産業振興財団 おかやま電池関連技術研究会/2015-10-20
  • Recent Power Semiconductor Devices Technologies fora Future Smart Society
    Iwamuro Noriyuki
    Japan-Norway Energy Science Week 2015/2015-05-27--2015-05-27
学協会等委員
2021-06 -- 2022-01IEEE IEDM2021IEEE IEDM2021 Power Devices and Systems Sub-Committee member
2020-06 -- 2021-06第33回 ISPSD 2021第33回 ISPSD 2021  組織委員会委員
2017-04 -- (現在)電気学会電子デバイス技術委員会/一号委員
2018-10 -- 2019-09ICSCRM2019 論文委員会/委員
2016-09 -- 2019-02SIP 応用技術調査委員会
2018-10 -- 2019-09SSDM 2019Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2018-02 -- 2018-07The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018Chair
2017-10 -- 2018-09SSDM 2018Area4(Power Device) Program Committee Vice Chair
2017-01 -- (現在)IEEE EDS Power Device Technical CommitteeMember
2017-04 -- 2020-03電気学会パワーデバイス・パワーIC高性能化技術調査専門委員会/委員
学内管理運営業績
2020-04 -- 2022-03応用理工学類 電子量子主専攻 専攻主任
2019-10 -- 2020-09数理物質科学研究科 就職担当
2017-04 -- 2019-03応用理工学類 電子量子主専攻 専攻主任
その他の活動
2015-04 -- 2019-02内閣府SIP-次世代パワーエレクトロニクス技術開発 応用技術調査委員会 委員

(最終更新日: 2021-07-27)