Yano Hiroshi

Affiliation
Faculty of Pure and Applied Sciences
Official title
Associate Professor
ORCID
0000-0001-7241-7014
Research fields
Electronic materials/Electric materials
Research keywords
SiC, MOS interface, MOSFET, power device
Research projects
ＳｉＣ横型超接合パワーＭＯＳＦＥＴによるワンチップ相補型電力変換器の開発2022 -- (current)矢野 裕司Japan Society for the Promotion of Science/Grant-in-Aid for Scientific Research(B)
低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016-04 -- 2020-03矢野 裕司Japan Society of for the Promotion of Science/Grant in Aid for Scientific Research (B)16,120,000Yen
異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011-04 -- 2014-03矢野 裕司Japan Society of for the Promotion of Science/科学研究費補助金　若手研究（B)4,420,000Yen
Career history
2013-12 -- (current)筑波大学数理物質系　物理工学域准教授
2013-12 -- 2016-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科客員准教授
2007-04 -- 2013-11奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教
2001-04 -- 2007-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助手
Degree
2001-03博士(工学)京都大学
Academic societies
2011-01 -- (current)IEEE
1998-03 -- (current)The Japan Society of Applied Physics
Articles
  • Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection
    松井ケビン; 俵　武志; 原田 信介; 田中聡; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering/18(2)/pp.278-285, 2022-10
  • Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs
    北村雄大; 加藤史樹; 田中聡; 俵　武志; 原田 信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Japanese Journal of Applied Physics/62(SC1007)/pp.1-9, 2022-12
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-5-22
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.113-116, 2022-05-22
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
    Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.109-112, 2022-05-22
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第69回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.100000000-150, 2022-03-22
  • Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
    Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.100000000-138, 2022-03-22
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
    森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会先進パワー半導体分科会　第8回講演会　予稿集/pp.61-62, 2021-12-09
  • TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
    髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和4年電気学会全国大会　予稿集/pp.4-5, 2022-03-21
  • モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
    西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第８回講演会　予稿集/pp.95-96, 2021-12-09
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
    森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    第69回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.100000000-015, 2022-03-22
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
    坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第8回講演会　予稿集/pp.27-28, 2021-12-09
  • Impact of Negative Gate Bias and Inductive Load on the Single-Pulse Avalanche Capability of 1200-V SiC Trench MOSFETs
    姚　凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    IEEE Transactions on Electron Devices/69(2)/pp.637-643, 2022-02
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    姚　凱倫; 加藤史樹; 田中聡; 原田信介; 佐藤弘; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/pp.297-300, 2022-05
  • 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本　宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会　予稿集/pp.61-62, 2020-12
  • Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
    Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
    第67回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.12-098, 2020-03
  • On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
    岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    第67回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.12-261, 2020-03
  • SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
    大橋　輝之; 飯島　良介; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会　予稿集/pp.71-72, 2020-12
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会　予稿集/pp.69-70, 2020-12
  • SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.7-8, 2020-03
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場　塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.9-10, 2020-03
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井　ケビン; 戸高　駿希; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田　信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.1-2, 2020-03
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高　駿希; 松井　ケビン; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田　信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.11-12, 2020-03
  • 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
    柏 佳介; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和3年電気学会全国大会　予稿集/pp.5-6, 2021-03
  • 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
    松井ケビン; 饗場　塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和3年電気学会全国大会　予稿集/pp.7-8, 2021-03
  • more...
Books
  • SiC半導体
    矢野 裕司
    次世代パワー半導体の開発動向と応用展開/シーエムシー出版/pp.22-30, 2021-08
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor/Angel Business Communications publication/pp.47-50, 2017-06
Conference, etc.
  • Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs
    柏佳介; 髙橋光希; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals
    北村雄大; 俵　武志; 原田 信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    2022 International Conference on Solid State Devices and Materials/2022-09-26--2022-09-29
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    戸高駿希; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad
    Yao Kailun; Kato Fumiki; Tanaka So; Harada Shinsuke; Yano...
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-5-22--2022-05-25
  • Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis
    Kashiwa Keisuke; Yao Kailun; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Harada S...
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25
  • Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block
    Kitamura Yudai; Yano Hiroshi; 岩室憲幸; Kato Fumiki; Tanaka S...
    The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)/2022-05-22--2022-05-25
  • 3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討
    秋葉淳宏; 矢野 裕司
    第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
  • Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement
    Cui Xiaoran; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析
    森海斗; 亀和田亮; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    第69回応用物理学会春季学術講演会/2022-03-22--2022-03-26
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETのNBTI評価
    坂田大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田 信介; 畠山哲夫; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10
  • モノリシック相補型電力変換器に向けた4H-SiC RESURF p-MOSFETの最適設計の検討
    西城智哉; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第８回講演会/2021-12-09--2021-12-10
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの最適設計検討と動作解析
    森海斗; 亀和田亮; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    応用物理学会先進パワー半導体分科会　第8回講演会/2021-12-09--2021-12-10
  • TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析
    髙橋光希; 柏佳介; 松井ケビン; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和4年電気学会全国大会/2022-03-21--2022-03-23
  • Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
    姚　凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
    Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
    第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
  • On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
    岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
  • 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本　宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
    大橋　輝之; 飯島　良介; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; 矢野 裕司; 岩室憲幸
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
    松谷 優汰; 矢野 裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-03-16--2021-03-19
  • Development of Analytical Channel Mobility Model Based on Study of Universal Mobility in SiC MOSFET
    Ohashi Teruyuki; Iijima Ryosuke; Yano Hiroshi
    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-09-27--2020-09-30
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    戸高駿希; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-5-30--2021-6-3
  • Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
    Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • more...
Intellectural property rights
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
Teaching
2022-10 -- 2022-11Electromagnetism 1University of Tsukuba.
2022-10 -- 2023-02Research in Applied Physics VAUniversity of Tsukuba.
2022-10 -- 2023-02Research in Applied Physics IVAUniversity of Tsukuba.
2022-10 -- 2023-02Research in Applied Physics IIIAUniversity of Tsukuba.
2022-04 -- 2022-08Research in Applied Physics IBUniversity of Tsukuba.
2022-04 -- 2022-08Research in Applied Physics VBUniversity of Tsukuba.
2022-10 -- 2023-02Research in Applied Physics IAUniversity of Tsukuba.
2022-04 -- 2022-08Research in Applied Physics IIIBUniversity of Tsukuba.
2022-10 -- 2023-02Research in Applied Physics IVBUniversity of Tsukuba.
2022-04 -- 2022-08Research in Applied Physics IIBUniversity of Tsukuba.
more...
Professional activities
2020-12 -- 2022-03応用物理学会　先進パワー半導体分科会第8回講演会／実行委員長
2021-04 -- (current)TIAパワーエレクトロニクス　サマースクール実行委員
2019-04 -- (current)TIAパワーエレクトロニクスMG委員
2022-01 -- (current)SSDM 2022Program Committee/JJAP Special Issues Editors
2021-12 -- (current)ICSCRM2022Technical Program Committee/Member
2021-07 -- 2022-03EDTM 2022Technical Program Committee/Member (Power Device session)
2021-04 -- (current)応用物理学会APEX/JJAP編集委員
2020-04 -- (current)応用物理学会　先進パワー半導体分科会幹事
2019-10 -- 2022-06ECSCRM 2020-2021Technical program committee member
2019-08 -- 2020-05IRPS 2020Technical program committee member (Wide Band Gap)
more...
University Management
2021-04 -- (current)国際交流支援部門企画・審査委員会委員
2021-04 -- (current)学生担当教員
2020-04 -- 2022-03数理物質系共通施設委員会委員
2020-04 -- 2022-03パワエレ共用システム責任者
2019-04 -- 2021-03応用理工学類運営委員会運営委員
2020-04 -- 2021-03応用理工学類2年クラス担任
2019-04 -- 2020-03応用理工学類1年クラス担任
2018-04 -- 2020-03交通安全会理事

(Last updated: 2022-06-17)