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矢野 裕司(ヤノ ヒロシ; Yano, Hiroshi)

所属
数理物質系
職名
准教授
ORCID
0000-0001-7241-7014
研究分野
電子・電気材料工学
研究キーワード
SiC, MOS界面, MOSFET, パワーデバイス
研究課題
低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016-04 -- 2020-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　基盤研究(B)16,120,000円
異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011-04 -- 2014-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　若手研究（B)4,420,000円
職歴
2013-12 -- (現在)筑波大学 数理物質系　物理工学域 准教授
2013-12 -- 2016-03奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 客員准教授
2007-04 -- 2013-11奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助教
2001-04 -- 2007-03奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助手
取得学位
2001-03博士(工学)京都大学
所属学協会
2011-01 -- (現在)IEEE
1998-03 -- (現在)応用物理学会
論文
  • 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本　宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会　予稿集/pp.61-62, 2020-12
  • Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
    Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
    第67回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.12-098, 2020-03
  • On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
    岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡...
    第67回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.12-261, 2020-03
  • SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
    大橋　輝之; 飯島　良介; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会　予稿集/pp.71-72, 2020-12
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会　予稿集/pp.69-70, 2020-12
  • SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野裕司;...
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.7-8, 2020-03
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場　塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.9-10, 2020-03
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井　ケビン; 戸高　駿希; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.1-2, 2020-03
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高　駿希; 松井　ケビン; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会　予稿集/pp.11-12, 2020-03
  • 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
    柏 佳介; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会　予稿集/pp.5-6, 2021-03
  • 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
    松井ケビン; 饗場　塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会　予稿集/pp.7-8, 2021-03
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
    北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.13-150, 2021-03
  • 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
    亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.13-149, 2021-03
  • 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
    松谷 優汰; 矢野 裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.13-182, 2021-03
  • Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET Based on Temperature-Dependent Hall Effect Measurement
    Takeda H.; Sometani M.; Hosoi T.; Shimura T.; Yano Hirosh...
    Materials Science Forum/1004/pp.620-626, 2020-07
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    戸高駿希; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢...
    Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.219-222, 2021-05
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    Proceedings of the 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.215-218, 2021-05
  • Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
    Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/pp.115-118, 2021-05
  • Investigations of short-circuit failure in double trench SiC MOSFETs through three-dimensional electro-thermal-mechanical stress analysis
    姚　凱倫; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Microelectronics Reliability/122/pp.114163-1-114163-10, 2021-07
  • Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method
    坂田　大輝; 岡本　大; Sometani M.; Okamoto M.; Hirai H.; ...
    Japanese Journal of Applied Physics/60(6)/pp.060901-1-060901-4, 2021-06
  • Simple method to estimate the shallow interface trap density near the conduction band edge of MOSFETs using Hall effect measurements
    Honda Tatsuya; Yano Hiroshi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/60(1)/pp.016505-1-016505-6, 2021-01
  • Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
    金森　大河; 饗場　塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of PCIM Asia, 2020/pp.25-29, 2020-11
  • Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
    饗場　塁士; 松井ケビン; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田信介;...
    Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020/pp.174-177, 2020-09
  • Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
    大川　雅貴; 金森　大河; 饗場　塁士; 矢野裕司; Iwamuro Nor...
    Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020/pp.74-77, 2020-9
  • Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal
    饗場　塁士; 松井ケビン; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    IEEE Electron Device Letters/41(12)/pp.1810-1813, 2020-12
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著書
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • Influence of Interface Traps on Split C-V Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
    Gyozen Sai; Dai Okamoto; Noriyuki Iwamuro; 矢野 裕司
    第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
  • On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
    岡本大; 染谷満; 坂田大輝; 張旭芳; 松谷優汰; 畠山哲夫; 岡...
    第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15
  • 4H-SiC MOSFETの酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本　宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • SiC-MOSFETのユニバーサル移動度の調査に基づく反転層電子の散乱機構の把握
    大橋　輝之; 飯島　良介; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • 改良高速On-the-fly法によるSiC MOSFETの正確なNBTI評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 平井悠久; 岡本光央; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第7回講演会/2020-12-09--2020-12-10
  • 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
    松谷 優汰; 矢野 裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-03-16--2021-03-19
  • Development of Analytical Channel Mobility Model Based on Study of Universal Mobility in SiC MOSFET
    Ohashi Teruyuki; Iijima Ryosuke; Yano Hiroshi
    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-09-27--2020-09-30
  • Experimental and Numerical Demonstration of Superior RBSOAs in 1.2 kV SiC Trench and SBD-integrated Trench MOSFETs
    戸高駿希; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢...
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Comprehensive Study on Electrical Characteristics in 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench and Planar MOSFETs
    松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-5-30--2021-6-3
  • Investigations of UIS Failure Mechanism in 1.2 kV Trench SiC MOSFETs Using Electro-Thermal-Mechanical Stress Analysis
    Yao Kailun; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2021)/2021-05-30--2021-06-03
  • Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt
    饗場　塁士; 松井ケビン; 大川　雅貴; 金森　大河; 原田信介;...
    The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18
  • Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress
    大川　雅貴; 金森大河; 饗場　塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwa...
    The 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2020)/2020-09-13--2020-09-18
  • Experimental Demonstration of Superior Vf-Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length
    金森大河; 饗場　塁士; 原田信介; 矢野裕司; Iwamuro Noriyuki
    PCIM asia 2020/2020-11-16--2020-11-18
  • Influence of Interface Traps on the Shape of Split C-V Curves of 4H-SiC MOSFETs at Inversion
    Cui Xiaoran; Iwamuro Noriyuki; 矢野裕司
    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)/2020-9-27--2020-9-30
  • 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化
    北村 雄大; 亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19
  • 4H-SiCショットキーPNダイオードのスイッチング特性解析
    亀和田 亮; 児島一聡; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    第68回応用物理学会春季学術講演会/2021-3-16--2021-3-19
  • 熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵 SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析
    柏 佳介; 松井ケビン; 饗場　塁士; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11
  • 高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価
    松井ケビン; 饗場　塁士; 柏 佳介; 馬場正和; 原田信介; 矢野...
    令和3年電気学会全国大会/2021-3-9--2021-3-11
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shinsu...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井　ケビン; 戸高　駿希; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高　駿希; 松井　ケビン; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiCトレンチMOSFET内蔵pin ダイオードにおける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野裕司;...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場　塁士; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
    寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
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知的財産権
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
担当授業科目
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2020-06 -- 2020-08電磁気学1筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2020-04 -- 2020-08電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2020-10 -- 2021-02電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
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学協会等委員
2020-04 -- (現在)応用物理学会APEX/JJAP編集委員
2020-04 -- (現在)応用物理学会　先進パワー半導体分科会幹事
2019-10 -- (現在)ECSCRM 2020-2021プログラム委員会／委員
2019-08 -- 2020-05IRPS 2020プログラム委員会
2018-03 -- 2020-09ICSCRM 2019組織委員会委員、出版委員会委員長、プログラム委員会委員（サブコミッティチェア）
2016-04 -- 2020-03応用物理学会　先進パワー半導体分科会企画幹事（常任幹事）
2016-11 -- 2017-09ICSCRM 2017プログラム委員会
2015-01 -- 2015-10ICSCRM 2015プログラム委員会
2014-06 -- (現在)応用物理学会プログラム編集委員
2014-01 -- 2016-03応用物理学会　先進パワー半導体分科会会計幹事（常任幹事）
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学内管理運営業績
2021-04 -- (現在)国際交流支援部門企画・審査委員会委員
2021-04 -- (現在)学生担当教員
2020-04 -- (現在)数理物質系共通施設委員会委員
2020-04 -- (現在)パワエレ共用システム責任者
2019-04 -- 2021-03応用理工学類運営委員会運営委員
2020-04 -- 2021-03応用理工学類2年クラス担任
2019-04 -- 2020-03応用理工学類1年クラス担任
2018-04 -- 2020-03交通安全会理事

(最終更新日: 2021-07-30)