矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)

所属
数理物質系
職名
教授
ORCID
0000-0001-7241-7014
研究分野
電子・電気材料工学
研究キーワード
SiC, MOS界面, MOSFET, パワーデバイス
研究課題
ＳｉＣ横型超接合パワーＭＯＳＦＥＴによるワンチップ相補型電力変換器の開発2022 -- (現在)矢野 裕司日本学術振興会/基盤研究(B)
低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016-04 -- 2020-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　基盤研究(B)16,120,000円
異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011-04 -- 2014-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　若手研究（B)4,420,000円
職歴
2013-12 -- (現在)筑波大学数理物質系　物理工学域准教授
2013-12 -- 2016-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科客員准教授
2007-04 -- 2013-11奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教
2001-04 -- 2007-03奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助手
取得学位
2001-03博士(工学)京都大学
所属学協会
2011-01 -- (現在)IEEE
1998-03 -- (現在)応用物理学会
論文
  • パワーデバイスと信頼性の基礎
    矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル/6(1)/pp.57-89, 2024-11-24
  • A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs
    鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO Noriyuki
    Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.221-222, 2024-9-1
  • Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization
    YANO Hiroshi
    Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)/pp.507-508, 2024-09-01
  • Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    Horiuchi Sosuke; Fukunaga Hiroki; Shimabukuro Bunta; Y...
    Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.307-308, 2024-09-29
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs by photon-assisted electron injection under bipolar AC gate stress
    YANO Hiroshi; Enjoji Yuya; Shingo Ryosuke; Iwamuro No...
    Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.367-368, 2024-09-29
  • Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance
    Matsuki Kotaro; Ichikawa Yoshihito; Onozawa Yuichi; Iw...
    Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.563-564, 2024-09-29
  • Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress
    Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO H...
    Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024)/p.MC2-3, 2024-10-13
  • Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光
    堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部 平司; 梅田 享英
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-191, 2024-09-16
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-266, 2024-09-16
  • 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会　予稿集/p.12-256, 2024-09-16
  • 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会　予稿集/pp.93-94, 2024-11-25
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会　予稿集/pp.81-82, 2024-11-25
  • SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析
    阿部洸太; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和7年電気学会全国大会　講演論文集/4(90)/pp.143-144, 2025-03-18
  • 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析
    鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    2025年第72回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.11-147, 2025-03-14
  • 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善
    吉田 開; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会　予稿集/pp.89-90, 2024-11-25
  • 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用
    横山 義希; 堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部...
    第72回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.11-154, 2025-03-14
  • SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性
    子安 葵; 新郷 諒介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第72回応用物理学会春季学術講演会　予稿集/p.11-146, 2025-03-14
  • Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs
    鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    Applied Physics Express/17/pp.124002-1-124002-5, 2024-12
  • A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs
    Suzuki Kazuhiro; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/63(12), 2024-12-02
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.105-106, 2023-11
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.103-104, 2023-11
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会　予稿集/pp.101-102, 2023-11
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(22)/pp.37-38, 2024-03
  • SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
    菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(19)/pp.32-33, 2024-03
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会　講演論文集/4(20)/pp.34-35, 2024-03-14
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著書
  • SiC半導体
    矢野 裕司
    次世代パワー半導体の開発動向と応用展開/シーエムシー出版/pp.22-30, 2021-08
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor/Angel Business Communications publication/pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • パワーデバイスと信頼性の基礎
    矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル/2024-11-24
  • SiC MOSFETのしきい値変動メカニズム：バイポーラAC ゲートストレスによる光援用電子注入
    矢野 裕司
    SiC/GaNパワー半導体のガイドラインセミナー/2025-01-31
  • Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization
    YANO Hiroshi
    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)/2024-09-01--2024-09-04
  • Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    Horiuchi Sosuke; Fukunaga Hiroki; Shimabukuro Bunta; Y...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs by photon-assisted electron injection under bipolar AC gate stress
    YANO Hiroshi; Enjoji Yuya; Shingo Ryosuke; Iwamuro No...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04
  • Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance
    Matsuki Kotaro; Ichikawa Yoshihito; Onozawa Yuichi; Iw...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04
  • Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress
    Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO H...
    The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024)/2024-10-13--2024-10-17
  • Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光
    堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部 平司; 梅田...
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20
  • 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20
  • 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響
    松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26
  • SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係
    新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26
  • 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善
    吉田 開; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26
  • 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用
    横山 義希; 堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部...
    第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17
  • SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性
    子安 葵; 新郷 諒介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17
  • SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析
    阿部洸太; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和7年電気学会全国大会/2025-03-18--2025-03-20
  • 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析
    鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    2025年第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17
  • A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs
    鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO Noriyuki
    2024 International Conference on Solid State Devices and Materials/2024-9-1--2024-9-4
  • ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
    円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
    松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01
  • 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート－ドレイン間寄生容量特性解析
    森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
  • Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
    Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
    Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22
  • 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
    鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16
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知的財産権
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
担当授業科目
2024-10 -- 2024-11電磁気学1筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2024-05 -- 2024-08電気回路筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
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学協会等委員
2023-04 -- (現在)SiCアライアンス技術・普及WG/グループリーダー
2022-11 -- 2023-03SiCアライアンス技術・普及WG/委員
2022-10 -- (現在)SSDM 2023プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員
2022-10 -- (現在)ICSCRM 2023プログラム委員会/委員
2022-09 -- (現在)ICSCRM国際運営委員会/委員
2022-07 -- 2023-03EDTM 2023プログラム委員会/委員
2022-01 -- (現在)SSDM 2022プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員
2021-12 -- 2022-10ICSCRM 2022プログラム委員会/委員
2021-07 -- 2022-03EDTM 2022プログラム委員会/委員
2021-04 -- (現在)応用物理学会APEX/JJAP編集委員
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学内管理運営業績
2021-04 -- 2022-03国際交流支援部門企画・審査委員会委員
2021-04 -- 2023-03学生担当教員
2020-04 -- 2022-03数理物質系共通施設委員会委員
2020-04 -- 2022-03パワエレ共用システム責任者
2019-04 -- 2021-03応用理工学類運営委員会運営委員
2020-04 -- 2021-03応用理工学類2年クラス担任
2019-04 -- 2020-03応用理工学類1年クラス担任
2018-04 -- 2020-03交通安全会理事

(最終更新日: 2025-04-26)