矢野 裕司(ヤノ ヒロシ)
- 所属
- 数理物質系
- 職名
- 准教授
- ORCID
- 0000-0001-7241-7014
- 研究分野
電子・電気材料工学 - 研究キーワード
SiC, MOS界面, MOSFET, パワーデバイス - 研究課題
SiC横型超接合パワーMOSFETによるワンチップ相補型電力変換器の開発 2022 -- (現在) 矢野 裕司 日本学術振興会/基盤研究(B) 低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発 2016-04 -- 2020-03 矢野 裕司 日本学術振興会/科学研究費補助金 基盤研究(B) 16,120,000円 異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 2011-04 -- 2014-03 矢野 裕司 日本学術振興会/科学研究費補助金 若手研究(B) 4,420,000円 - 職歴
2013-12 -- (現在) 筑波大学数理物質系 物理工学域准教授 2013-12 -- 2016-03 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科客員准教授 2007-04 -- 2013-11 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教 2001-04 -- 2007-03 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助手 - 取得学位
2001-03 博士(工学) 京都大学 - 所属学協会
2011-01 -- (現在) IEEE 1998-03 -- (現在) 応用物理学会 - 論文
- パワーデバイスと信頼性の基礎
矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル/6(1)/pp.57-89, 2024-11-24 - A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs
鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO Noriyuki
Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.221-222, 2024-9-1 - Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization
YANO Hiroshi
Abstracts of 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)/pp.507-508, 2024-09-01 - Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs
Horiuchi Sosuke; Fukunaga Hiroki; Shimabukuro Bunta; Y...
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.307-308, 2024-09-29 - Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs by photon-assisted electron injection under bipolar AC gate stress
YANO Hiroshi; Enjoji Yuya; Shingo Ryosuke; Iwamuro No...
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.367-368, 2024-09-29 - Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance
Matsuki Kotaro; Ichikawa Yoshihito; Onozawa Yuichi; Iw...
Abstracts of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/pp.563-564, 2024-09-29 - Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress
Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO H...
Proceedings of The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024)/p.MC2-3, 2024-10-13 - Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光
堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部 平司; 梅田 享英
第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-191, 2024-09-16 - SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動
新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-266, 2024-09-16 - 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響
松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集/p.12-256, 2024-09-16 - 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響
松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集/pp.93-94, 2024-11-25 - SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係
新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集/pp.81-82, 2024-11-25 - SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析
阿部洸太; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和7年電気学会全国大会 講演論文集/4(90)/pp.143-144, 2025-03-18 - 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析
鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.11-147, 2025-03-14 - 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善
吉田 開; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会 予稿集/pp.89-90, 2024-11-25 - 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用
横山 義希; 堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部...
第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.11-154, 2025-03-14 - SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性
子安 葵; 新郷 諒介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会 予稿集/p.11-146, 2025-03-14 - Unique short-circuit failure mechanisms in 1.2-kV SiC planar MOSFETs
鈴木一広; 鹿志村快音; 矢野裕司; 岩室 憲幸
Applied Physics Express/17/pp.124002-1-124002-5, 2024-12 - A study on turn-off, and on-resistance and short-circuit capability trade-off characteristics in 1.2 kV SiC MOSFETs
Suzuki Kazuhiro; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/63(12), 2024-12-02 - ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.105-106, 2023-11 - SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.103-104, 2023-11 - 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会 予稿集/pp.101-102, 2023-11 - 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(22)/pp.37-38, 2024-03 - SiC-MOSFET 内蔵PiNダイオードの特性解析
菊池真矢; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(19)/pp.32-33, 2024-03 - 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会 講演論文集/4(20)/pp.34-35, 2024-03-14 - さらに表示...
- パワーデバイスと信頼性の基礎
- 著書
- SiC半導体
矢野 裕司
次世代パワー半導体の開発動向と応用展開/シーエムシー出版/pp.22-30, 2021-08 - Making a debut: the p-type SiC MOSFET
An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
Compound Semiconductor/Angel Business Communications publication/pp.47-50, 2017-06
- SiC半導体
- 会議発表等
- パワーデバイスと信頼性の基礎
矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 2024年度チュートリアル/2024-11-24 - SiC MOSFETのしきい値変動メカニズム:バイポーラAC ゲートストレスによる光援用電子注入
矢野 裕司
SiC/GaNパワー半導体のガイドラインセミナー/2025-01-31 - Three-Level Charge Pumping Technique for SiC-MOS Interface Characterization
YANO Hiroshi
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)/2024-09-01--2024-09-04 - Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs
Horiuchi Sosuke; Fukunaga Hiroki; Shimabukuro Bunta; Y...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04 - Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs by photon-assisted electron injection under bipolar AC gate stress
YANO Hiroshi; Enjoji Yuya; Shingo Ryosuke; Iwamuro No...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04 - Impact of electron irradiation on SiC power MOSFET performance
Matsuki Kotaro; Ichikawa Yoshihito; Onozawa Yuichi; Iw...
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024)/2024-09-29--2024-10-04 - Relationship between luminescence and threshold voltage shift in SiC MOSFETs under gate AC stress
Shingo Ryosuke; Enjoji Yuya; Iwamuro Noriyuki; YANO H...
The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2024)/2024-10-13--2024-10-17 - Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光
堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部 平司; 梅田...
第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20 - SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動
新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20 - 電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響
松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第85回応用物理学会秋季学術講演会/2024-09-16--2024-09-20 - 電子線照射がSiCパワーMOSFETのチャネル特性に与える影響
松木 康太郎; 市川 義人; 小野澤 勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26 - SiC MOSFETへのゲートACストレス印加時の発光としきい値電圧変動の関係
新郷 諒介; 円城寺 佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26 - 4H-SiC 横型 p-ch SJ-MOSFETの高温状態における性能改善
吉田 開; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第11回講演会/2024-11-25--2024-11-26 - 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用
横山 義希; 堀内 颯介; 福永 博生; 島袋 聞多; 矢野 裕司; 染谷 満; 平井 悠久; 渡部...
第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17 - SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性
子安 葵; 新郷 諒介; 岩室憲幸; 矢野 裕司
第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17 - SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の 周辺耐圧領域解析
阿部洸太; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和7年電気学会全国大会/2025-03-18--2025-03-20 - 低直流電圧印加 時 における SiC MOSFET 負荷短絡破壊メカニズムの解析
鹿志村快音; 鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
2025年第72回応用物理学会春季学術講演会/2025-03-14--2025-03-17 - A Study of Electrical Characteristics of State-of-the-Art 1.2-kV SiC Planar and Trench MOSFETs
鈴木一広; 矢野裕司; IWAMURO Noriyuki
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials/2024-9-1--2024-9-4 - ACゲートストレスによるSiC MOSFETのしきい値電圧とサブスレッショルドスイングの変動評価
円城寺佑哉; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01 - SiCトレンチMOSFETへの電子線照射効果
松木康太郎; 辻崇; 小野澤勇一; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01 - 4H SiC横型p-ch SJ-MOSFETのオン抵抗と寄生容量の関係評価
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
先進パワー半導体分科会 第10回講演会/2023-11-30--2023-12-01 - 4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETのゲート-ドレイン間寄生容量特性解析
森海斗; 岩室憲幸; 矢野 裕司
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - Threshold voltage drift mechanism in SiC MOSFETs under AC gate stress
Enjoji Yuya; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22 - Trap distribution in 4H-SiC MOSFETs analyzed by a 3-level charge pumping technique
Akiba Atsuhiro; 岩室憲幸; Yano Hiroshi
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM 2023)/2023-09-17--2023-09-22 - 1.2-kV SiC MOSFET負荷短絡耐量の温度依存性解析
鈴木一広; 矢野裕司; 岩室 憲幸
令和6年電気学会全国大会/2024-03-14--2024-03-16 - さらに表示...
- パワーデバイスと信頼性の基礎
- 知的財産権
- •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
- •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
- 担当授業科目
2024-10 -- 2024-11 電磁気学1 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IVA 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IIIA 筑波大学 2024-04 -- 2024-08 電子・物理工学特別研究VB 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IA 筑波大学 2024-04 -- 2024-08 電子・物理工学特別研究IIIB 筑波大学 2024-04 -- 2024-08 電子・物理工学特別研究IIB 筑波大学 2024-05 -- 2024-08 電気回路 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究VB 筑波大学 2024-10 -- 2025-02 電子・物理工学特別研究IVB 筑波大学 さらに表示... - 学協会等委員
2023-04 -- (現在) SiCアライアンス 技術・普及WG/グループリーダー 2022-11 -- 2023-03 SiCアライアンス 技術・普及WG/委員 2022-10 -- (現在) SSDM 2023 プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員 2022-10 -- (現在) ICSCRM 2023 プログラム委員会/委員 2022-09 -- (現在) ICSCRM 国際運営委員会/委員 2022-07 -- 2023-03 EDTM 2023 プログラム委員会/委員 2022-01 -- (現在) SSDM 2022 プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員 2021-12 -- 2022-10 ICSCRM 2022 プログラム委員会/委員 2021-07 -- 2022-03 EDTM 2022 プログラム委員会/委員 2021-04 -- (現在) 応用物理学会 APEX/JJAP編集委員 さらに表示... - 学内管理運営業績
2021-04 -- 2022-03 国際交流支援部門企画・審査委員会 委員 2021-04 -- 2023-03 学生担当教員 2020-04 -- 2022-03 数理物質系共通施設委員会 委員 2020-04 -- 2022-03 パワエレ共用システム 責任者 2019-04 -- 2021-03 応用理工学類運営委員会 運営委員 2020-04 -- 2021-03 応用理工学類2年クラス担任 2019-04 -- 2020-03 応用理工学類1年クラス担任 2018-04 -- 2020-03 交通安全会 理事
(最終更新日: 2025-04-26)