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矢野 裕司(ヤノ ヒロシ; Yano, Hiroshi)

所属
数理物質系
職名
准教授
ORCID
0000-0001-7241-7014
研究分野
電子・電気材料工学
研究キーワード
SiC, MOS, パワーデバイス
研究課題
低損失p型SiC超接合パワーMOSFETの基盤技術開発2016-04 -- 2020-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　基盤研究(B)16,120,000円
異種原子導入によるSiC／絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新2011-04 -- 2014-03矢野 裕司日本学術振興会/科学研究費補助金　若手研究（B)4,420,000円
職歴
2013-12 -- (現在)筑波大学 数理物質系　物理工学域 准教授
2013-12 -- 2016-03奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 客員准教授
2007-04 -- 2013-11奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助教
2001-04 -- 2007-03奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助手
取得学位
2001-03博士(工学)京都大学
所属学協会
2011-01 -- (現在)IEEE
1998-03 -- (現在)応用物理学会
論文
  • Dominant scattering mechanism in SiC MOSFET: comparative study of the universal mobility and the theoretically calculated channel mobility
    Ohashi Teruyuki; Iijima Ryosuke; Yano Hiroshi
    Jpn. J. Appl. Phys./59(3)/pp.034003-1-034003-10, 2020-03
  • The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
    寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会　予稿集/pp.137-139, 2020-01
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会　予稿集/pp.97-100, 2020-01
  • 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
    比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/pp.67-68, 2019-12
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.85-86, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.87-88, 2019-12
  • ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.89-90, 2019-12
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会 予稿集/pp.143-144, 2019-12
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-251, 2019-09
  • SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
    辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-228, 2019-09
  • Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
    Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; ...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-228, 2019-09
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-248, 2019-09
  • Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
    Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Mo-P-29, 2019-09
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.Tu-3A-07LN, 2019-09
  • The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
    Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-02, 2019-09
  • Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
    Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hirosh...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-1A-06, 2019-09
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/p.We-P-30, 2019-09
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Th-P-52LN, 2019-09
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-04, 2019-09
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Tu-2A-05, 2019-09
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本　大; 根本　宏樹; 張　旭芳; 周　星炎; 染谷　満; 岡本...
    Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/p.Fr-1A-02, 2019-09
  • The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
    Fu W.; Ueda A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
    Extended Abstracts of 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)/pp.735-736, 2019-9
  • Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties
    Fu Wei; Zhang Xufang; Umishio Hiroshi; Traore Aboulaye; Y...
    Technical Digest of The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29)/pp.1708-1710, 2019-11
  • SiC MOS Interface; What limits the channel mobility
    Yano Hiroshi
    Extended Abstracts of 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF)/pp.112-113, 2019-11
  • The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface
    Yano Hiroshi
    Abstracts of 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019)/p.6.18, 2019-12
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著書
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    Kanamori Taiga; Aiba Ruito; Okawa Masataka; Harada Shinsu...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • 1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)のターンオフ耐量解析
    松井　ケビン; 戸高　駿希; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • 1.2 kV SiCトレンチMOSFETのRBSOA解析
    戸高　駿希; 松井　ケビン; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC トレンチ MOSFET 内蔵pin ダイオードに おける逆回復特性の負ゲートバイアス依存性
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野裕司;...
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • SiC p+/p-/n+ダイオードにおける逆回復特性の順方向動作依存性の解析
    亀和田亮; 饗場　塁士; 岩室 憲幸; 矢野裕司
    令和2年電気学会全国大会/2020-03-11--2020-03-13
  • The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface
    寺尾豊; 辻英徳; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価
    比嘉栄斗; 染谷満; 原田信介; 梅田享英; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • SiO2/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性
    辻英徳; 寺尾豊; 細井卓治; 張旭芳; 矢野 裕司; 志村考功; 渡...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Effect of annealing temperature on Al2O3/NAOS/Si MOS interface properties
    Wei Fu; Xufang Zhang; Hiroshi Umishio; Aboulaye Traore; ...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement
    Takeda Hironori; Sometani Mitsuru; Hosoi Takuji; Shimura ...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study
    Umeda Takahide; Kobayashi Takuma; Matsushita Yu-ichro; Hi...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces
    Higa Eito; Sometani Mitsuru; Harada Shinsuke; Yano Hirosh...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
    Fu W.; Ueda A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)/2019-9-2--2019-9-5
  • Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties
    Fu Wei; Zhang Xufang; Umishio Hiroshi; Traore Aboulaye; Y...
    The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29)/2019-11-4--2019-11-8
  • SiC MOS Interface; What limits the channel mobility
    Yano Hiroshi
    2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF)/2019-11-18--2019-11-20
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知的財産権
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
担当授業科目
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2019-05 -- 2019-08電磁気学1筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究VA筑波大学
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学協会等委員
2019-10 -- (現在)ECSCRM 2020プログラム委員会
2019-08 -- (現在)IRPS 2020プログラム委員会
2018-03 -- (現在)ICSCRM 2019組織委員会委員、出版委員会委員長、プログラム委員会委員（サブコミッティチェア）
2016-04 -- (現在)応用物理学会　先進パワー半導体分科会企画幹事
2016-11 -- 2017-09ICSCRM 2017プログラム委員会
2015-01 -- 2015-10ICSCRM 2015プログラム委員会
2014-06 -- (現在)応用物理学会プログラム編集委員
2014-01 -- 2016-03応用物理学会　先進パワー半導体分科会会計幹事
2012-08 -- 2017-03文部科学省科学技術動向研究センター「科学技術専門家ネットワーク」専門調査員
2011-11 -- 2014-06ICSCRM 2013実行委員会　庶務
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学内管理運営業績
2018-04 -- (現在)交通安全会理事

(最終更新日: 2020-03-26)