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矢野 裕司(ヤノ ヒロシ; Yano, Hiroshi)

所属
数理物質系
職名
准教授
研究分野
電子・電気材料工学
研究キーワード
SiC, MOS, パワーデバイス
研究課題
低損失ｐ型ＳｉＣ超接合パワーＭＯＳＦＥＴの基盤技術開発2016 -- 2019矢野 裕司日本学術振興会/基盤研究(B)16,120,000円
取得学位
2001-03博士(工学)京都大学
所属学協会
2011-01 -- (現在)IEEE
1998-03 -- (現在)応用物理学会
論文
  • SiCパワーデバイス特有の信頼性課題　酸化膜および界面
    矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル/pp.103-137, 2018-11
  • Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
    藤田栄悟; 細井卓治; 染⾕満; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司...
    第79回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-172, 2018-09
  • 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
    染⾕満; 細井卓治; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功...
    第79回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-171, 2018-09
  • 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布
    岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.281-282, 2018-11
  • n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性
    本田達也; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.229-230, 2018-11
  • SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.227-228, 2018-11
  • 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
    染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.225-226, 2018-11
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.105-106, 2018-11
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.101-102, 2018-11
  • 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
    武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会　予稿集/pp.97-98, 2018-11
  • 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
    武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会　予稿集/pp.225-228, 2019-01
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会　予稿集/pp.221-224, 2019-01
  • Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
    W. Fu; A. Ueda; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
    第66回応用物理学会春季学術講演会　講演予稿集/p.12-037, 2019-03
  • Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
    姚 凱倫; 矢野　裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.10-11, 2019-03
  • SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
    饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信...
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.18-19, 2019-03
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川　雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野　裕司; 岩室　憲幸
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.22-23, 2019-03
  • SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕...
    平成31年電気学会全国大会 講演論文集/pp.12-13, 2019-03
  • Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map
    Okamoto M.; Sometani M.; Harada S.; Yano Hiroshi; Okumura H.
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.MO.P.MI7, 2018-09
  • Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
    Hatakeyama T.; Masuda T.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.06, 2018-09
  • Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
    Sometani M.; Hosoi T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hir...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.05, 2018-09
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷　満; 原田　信介; 張...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.WE.02b.04, 2018-09
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本　大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    Abstract of 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/p.We.P.MI6, 2018-09
  • Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces
    Masuda T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hiroshi
    Ext. abstract of 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/pp.249-250, 2018-09
  • Stress at Interface of SiO2/4H-SiC Studied by Confocal Raman Microscopy
    Fu W.; Kobayashi A.; Yano Hiroshi; Harada S.; Sakurai T.
    Ext. abstract of 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/pp.313-314, 2018-09
  • SiC酸化膜界面への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果
    矢野 裕司
    工業材料/67(1)/pp.63-68, 2019-01
more...
著書
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • Investigation of UIS Capability for-600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    Yao Kailun; Yano Hiroshi; Iwamuro Noriyuki
    31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)/2019-05-19--2019-05-23
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    Okawa Masataka; Aiba Ruito; Kanamori Taiga; Yano Hiroshi;...
    31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)/2019-05-19--2019-05-23
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本　大; 根本　宏樹; 張　旭芳; 周　星炎; 染谷　満; 岡本...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019/2019-9-29--2019-10-4
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFET の3 レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    2019年応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
  • Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019/2019-9-29--2019-10-4
  • SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
    矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29
  • 電力用半導体SiCのゲート酸化膜漏れ電流機構の解析
    矢野 裕司
    第16回環境研究シンポジウム「スマート社会と環境　豊かな暮らしと環境への配慮の両立を目指して」/2018-11-13
  • Characterization and Control of Interface Properties in SiC MOSFETs
    Yano Hiroshi
    2018 Joint Sympoium on Energy Materials Science and Technology/2018-03-08--2018-03-09
  • SiCパワーデバイス特有の信頼性課題　酸化膜および界面
    矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 2018年度チュートリアル/2018-11-05--2018-11-05
  • Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討
    藤田栄悟; 細井卓治; 染⾕満; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司...
    第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21
  • 低不純物濃度4H-SiC(0001)基板上に作製したMOSFETのホール効果移動度に対するNO-POAの影響
    染⾕満; 細井卓治; 畠⼭哲夫; 原田信介; 矢野 裕司; 志村考功...
    第79回応用物理学会秋季学術講演会/2018-09-18--2018-09-21
  • 4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性を引き起こす酸化膜トラップの空間分布
    岡本光央; 染谷満; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • n型Si面4H-SiC MOSFETの閾値電圧とHall移動度の温度特性
    本田達也; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因
    染谷満; 細井卓治; 平井悠久; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野 裕司...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • 4H-SiC(0001) MOSFETの可動電子密度の温度依存性に基づくチャネル内電子伝導機構の考察
    武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • 温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察
    武田紘典; 染谷満; 細井卓治; 志村考功; 矢野 裕司; 渡部平司
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Influence of biaxial stress on the electron transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces
    W. Fu; A. Ueda; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
    第66回応用物理学会春季学術講演会/2019-03-09--2019-03-12
  • Analysis of oxide traps causing threshold voltage instability in 4H-SiC MOSFETs via capture time map
    Okamoto M.; Sometani M.; Harada S.; Yano Hiroshi; Okumura H.
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0＿338(＿)), (112(＿)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
    Hatakeyama T.; Masuda T.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Superiority of pure O2-based gate oxidation on Hall effect mobility of 4H-SiC (0001) MOSFET revealed by low-doped epitaxial wafers
    Sometani M.; Hosoi T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hir...
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO2/SiC (0-33-8) Interfaces
    Masuda T.; Hatakeyama T.; Harada S.; Yano Hiroshi
    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)/2018-09-09--2018-09-13
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川　雅貴; 饗場　塁士; 金森　大河; 原田　信介; 矢野　裕...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信...
    The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)/2019-05-19--2019-05-23
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知的財産権
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
担当授業科目
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2019-05 -- 2019-08電磁気学1筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究VA筑波大学
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学協会等委員
2016-11 -- 2017-09ICSCRM2017プログラム委員会
2018-03 -- (現在)ICSCRM2019組織委員会委員、出版委員会委員長、プログラム委員会委員（サブコミッティチェア）
2016-04 -- (現在)応用物理学会　先進パワー半導体分科会企画幹事
2015-01 -- 2015-10ICSCRM 2015プログラム委員会
2014-06 -- (現在)応用物理学会プログラム編集委員
2014-01 -- 2016-03応用物理学会　先進パワー半導体分科会会計幹事
2012-08 -- 2017-03文部科学省科学技術動向研究センター「科学技術専門家ネットワーク」専門調査員
2011-11 -- 2014-06ICSCRM2013実行委員会　庶務
2012-11 -- 2013-10ICSCRM2013プログラム委員
学内管理運営業績
2018-04 -- 2019-03交通安全会理事

(最終更新日: 2019-08-23)