現在地

ホーム

矢野 裕司(ヤノ ヒロシ; Yano, Hiroshi)

所属
数理物質系
職名
准教授
研究分野
電子・電気材料工学
研究キーワード
SiC, MOS, パワーデバイス
研究課題
低損失ｐ型ＳｉＣ超接合パワーＭＯＳＦＥＴの基盤技術開発2016 -- 2019矢野 裕司日本学術振興会/基盤研究(B)16,120,000円
所属学協会
2011-01 -- (現在)IEEE
1998-03 -- (現在)応用物理学会
論文
  • Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
    大川　雅貴; 饗場　塁士; 金森　大河; 原田　信介; 矢野　裕...
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019/pp.167-170, 2019-05
  • Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
    凱倫 姚; 矢野　裕司; Iwamuro Noriyuki
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (IEEE ISPSD) 2019/pp.187-190, 2019-05
  • Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信...
    Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/pp.23-26, 2019-05
  • First Demonstration of Short-Circuit capability for a 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
    大川　雅貴; 饗場　塁士; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信...
    IEEE Journal of Electron Devices Society/7/pp.613-620, 2019-06
  • Investigation of stress at SiO2/4H-SiC interface induced by thermal oxidation by confocal Raman microscopy
    Fu Wei; Kobayashi Ai; Yano Hiroshi; Ueda Akiko; Harada Sh...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/58/p.SBBD03, 2019-04
    CiNii
  • Insight into enhanced field-effect mobility of 4H-SiC MOSFET with Ba incorporation studied by Hall effect measurements
    Fujita Eigo; Sometani Mitsuru; Hatakeyama Tetsuo; Harada ...
    AIP ADVANCES/8(8), 2018-08
    Tsukuba Repository
  • Hole Trapping in SiC-MOS Devices Evaluated by Fast-CV Method
    M. Hayashi; M. Sometani; T. Hatakeyama; 矢野 裕司; S. Harada
    Extended abstract of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.695-696, 2017-09
  • Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements
    Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    Extended abstracts of the 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related materials/p.TU.B1.2, 2017-09
  • Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
    Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
    Extended abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.687-688, 2017-09
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11
  • 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価
    山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
    第78回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-003, 2017-09
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-009, 2017-09
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-007, 2017-09
  • Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-005, 2017-09
  • 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会　講演予稿集/p.13-011, 2017-09
  • Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会　予稿集/pp.57-58, 2017-11
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会　予稿集/pp.261-262, 2017-11
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会　予稿集/pp.177-178, 2017-11
  • 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会　予稿集/pp.253-254, 2017-11
  • Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会　－材料・プロセス・デバイス特性の物理－　第23回研究会　講演予稿集/pp.199-202, 2018-01
  • メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
    北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    平成30年電気学会全国大会講演論文集/p.4-011, 2018-03
  • Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy
    W. Fu; A. Kobayashi; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
    第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-166, 2018-03
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 ...
    第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-282, 2018-03
  • Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
    X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
    第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-03
more...
著書
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷　満; 原田　信介; 張...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本　大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
    姚 凱倫; 矢野　裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiCトレンチMOSFETの内蔵ダイオードの特性解析
    金森　大河; 饗場　塁士; 大川　雅貴; 原田　信介; 矢野　裕...
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
    饗場　塁士; 大川　雅貴; 金森　大河; 小林　勇介; 原田　信...
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川　雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野　裕司; 岩室　憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術
    矢野 裕司
    半導体信頼性技術ガイドラインセミナー/2017-11-22--2017-11-22
  • SiCパワーMOSFETの現状と信頼性技術
    矢野 裕司
    半導体信頼性技術ガイドラインセミナー/2018-02-09--2018-02-09
  • Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
    Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada...
    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 三次元アトムプローブを用いたSiO2/SiC界面窒素の評価
    山田敬一; 藤掛伸二; 岩橋洋平; 原田信介; 矢野 裕司; 奥村元
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性
    矢野 裕司
    第37回ナノテスティングシンポジウム/2017-11-08--2017-11-10
  • Stress distribution at SiO2/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy
    W. Fu; A. Kobayashi; 矢野 裕司; S. Harada; T. Sakurai
    第65回応用物理学会春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
  • Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements
    Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    The 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)/2017-09-17--2017-09-22
  • Residual strains at SiO2/4H-SiC interface measured by Confocal Raman Microscopy
    Fu W.; Kobayashi Ai; 裕司 矢野; Harada S.; SAKURAI TAKEAKI
    2018 Joint Symposium on Energy Materials Science and Technology/2018-03-08--2018-03-09
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
    北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16
  • Methodology for Enhanced Short-Circuit capability of SiC MOSFETs
    An Junjie; Namai Masaki; Yano Hiroshi; Kobayashi Yusuke; ...
    30th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs/2018-05-13--2018-05-17
  • Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
    Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22
  • Hole trapping in SiC-MOS devices evaluated by fast-CV method
    Hayashi Mariko; Sometani Mitsuru; Hatakeyama Tetsuo; Yano...
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22
  • Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
    X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
more...
知的財産権
  • •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
    下田達也; 増田貴史; 村上達也; 岩室 憲幸; 矢野裕司
担当授業科目
2018-10 -- 2019-02物理学実験筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
more...
学協会等委員
2016-11 -- 2017-09ICSCRM2017プログラム委員会
2018-03 -- (現在)ICSCRM2019組織委員会委員、出版委員長、プログラム委員会委員
2016-04 -- (現在)応用物理学会　先進パワー半導体分科会企画幹事
2015-01 -- 2015-10ICSCRM 2015プログラム委員会
2014-06 -- (現在)応用物理学会プログラム編集委員
2014-01 -- 2016-03応用物理学会　先進パワー半導体分科会会計幹事
2012-08 -- 2017-03文部科学省科学技術動向研究センター「科学技術専門家ネットワーク」専門調査員
2011-11 -- 2014-06ICSCRM2013実行委員会　庶務
2012-11 -- 2013-10ICSCRM2013プログラム委員
学内管理運営業績
2018-04 -- 2019-03交通安全会理事

(最終更新日: 2018-11-16)