奥村 宏典(オクムラ ヒロノリ)

所属
数理物質系
職名
助教
ORCID
0000-0002-5464-9169
科研費番号
80756750
URL
研究分野
電子・電気材料工学
結晶工学
薄膜・表面界面物性
研究課題
ドライアイ診断治療の新展開を目指したコンタクトレンズ型活性酸素測定・除去デバイスの開発2025-04 -- 2026-03星崇仁筑波大学/系横断R&Dプロジェクト/1,600,000円
半導体材料2024-04 -- 2027-03奥村宏典東京エレクトロン/2023年度　共同研究公募制度
ドライアイ診断治療の新展開を目指したコンタクトレンズ型活性酸素測定・除去デバイスの開発2024-04 -- 2025-03星崇仁筑波大学/系横断R&Dプロジェクト2,000,000円
波長可変の真空紫外固体発光素子の開発2024-04 -- 2027-03奥村宏典東電記念財団/基礎研究7,875,000円
縦型窒化アルミニウム素子の作製技術の確立2023-04 -- 2027-03奥村宏典日本学術振興会/基盤研究(B)18,590,000円
高放射線耐性半導体を用いたピクセル検出器に向けた調査研究2022-04 -- 2024-03奥村宏典TIA連携プログラム/探索推進事業「かけはし」3,810,000円
酸化ガリウムを用いたホットエレクトロントランジスタの開発2021-10 -- 2023-03奥村宏典公益財団法人 住友電工グループ社会貢献基金/2021年度研究助成1,700,000円
III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御2021-04 -- 2025-03上殿明良日本学術振興会/基盤研究(B)17,290,000円
酸化ガリウム高電子移動度トランジスタのノーマリオフ化2020-10 -- 2021-09奥村宏典一般財団法人サムコ科学技術振興財団/第4回研究助成2,000,000円
高放射線耐性GaN光検出器の開発2020-06 -- 2021-05奥村宏典公益財団法人　村田学術振興財団/第36回研究助成2,250,000円
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職歴
2018-04 -- (現在)University of TsukubaAssistant Professor (Tenure)
2016-04 -- 2018-03MITEECSvisiting researcher
2015-04 -- 2016-03EPFLPhysicsvisiting researcher
2015-04 -- 2018-03University of TsukubaAssistant Professor (Tenure Track)
2014-04 -- 2015-03NTT Basic research laboratoryPost-doc
2012-04 -- 2014-03UCSBMaterialsPost-doc (JSPS fellowship)
学歴
2007-04 -- 2012-03Kyoto University Electrical and Electronics Engineering
2003-04 -- 2007-03Kyoto University Electrical and Electronics Engineering
取得学位
2012-03Ph.D, engineeringKyoto University
免許資格等
2014-10特定高圧ガス取扱主任者
所属学協会
2021-12 -- (現在)JSAP Ionization Radiation Division
2019-12 -- (現在)Japanese Society of Applied Physics
2019-12 -- 2021-12Japanese Association for Crystal Growth
2016-12 -- 2018-12Material Research Society
受賞
2021-03-08CGCT Young Scientist Award
2020-11-17Young Faculty Award in University of Tsukuba
2019-09-03SSDM Young Researcher Award
論文
著書
会議発表等
  • Si doping of alpha-Al2O3 grown by molecular beam epitaxy
    Okumura Hironori
    International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials/2024-05-26--2024-05-31
  • High-temperature and high-power devices using AlN
    Okumura Hironori
    16th International Symposium on Advanced Plasma Science/2024-03-03--2024-03-07
  • 1000 K operation of SBDs and MESFETs with Si-implanted AlN channel
    Okumura Hironori
    The 14th International Conference on Nitride Semiconductors/2023-11-12--2023-11-17
  • Electrical properties of silicon-implanted alpha-Al2O3
    Okumura Hironori; Jinno Riena; UEdono Akira; Imura Masataka
    The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials/2022-10-23--2022-10-27
  • Alpha-particle detectors with GaN PiN homoepitaxial layer
    Okumura Hironori; Ogawara Yohei; Togawa Maanbu; Miyahara ...
    2021 International Conference on Solid State Devices and Materials/2021-09-06--2021-09-09
  • Photo-induced Conductivity Transient in n-type β-(Al0.16Ga0.84)2O3 and β-Ga2O3
    Traore Aboulaye; Gouveia Maria; Hironori Okumura; Mannequ...
    2020 International Conference on Solid State Devices and Materials SSDM 2020/2020-09-27--2020-09-30
  • Electrical property of n-type β-(AlGa)2O3 layers with low Al composition
    Okumura Hironori
    8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology/2021-03-01--2021-03-04
  • Growth and electrical property of n-type β-(AlGa)2O3 layers
    Okumura Hironori
    Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics/2021-02-01--2021-02-03
  • (AlGa)2O3/Ga2O3 resonant tunneling diodes
    Okumura Hironori
    Compound Semiconductor Week 2020/2020-05-17--2020-05-21
  • Demonstration of m-plane GaN MOSFETs
    Okumura Hironori
    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials/2019-09-02--2019-09-05
  • Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs
    Okumura Hironori
    2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials/2019-08-12--2019-08-15
  • N-polar AlN POLFET
    Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
    International Workshop on Nitride Semiconductors/2018-11-11--2018-11-16
  • Demonstration of beta-(AlGa)2O3(010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V
    Okumura Hironori; Kato Yuji; Ohshima Takayoshi; Palacios ...
    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials/2018-09-09--2018-09-13
  • Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors
    Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
    Compound Semiconductor Week 2018/2018-05-29--2018-06-01
  • AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
    Okumura Hironori
    The 2017 MRS Fall Meeting & Exhibit/2017-11-26--2017-12-01
  • AIN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
    Okumura Hironori; Suihkonen Sami; Lemettinen Jori; Ued...
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22
  • Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN
    Okumura Hironori; Sami Suihkonen Tomas Palacios
    9th International Conference on Nitride Semiconductors/2017-07
  • Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
    Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas...
    2016 Materials Research Societies Fall meeting/2016-12
  • Highly p-type GaN for Advanced Optoelectronic Devices
    Okumura Hironori; Malinverni Marco; Martin Denis; Grandje...
    2016 IEEE Photonics Conference/2016-10
  • Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
    Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas...
    19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy/2016-09
知的財産権
  • (特開2023-058917)半導体、トランジスタおよび半導体の製造方法
    奥村 宏典
  • (特開2022-84473)導電性AlNエピタキシャル膜付き基板及びその製造方法
    奥村 宏典; 柴田 智彦; 渡邊 康弘
担当授業科目
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-12 -- 2025-02線形代数3筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2024-04 -- 2024-08電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2024-10 -- 2025-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
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授業以外の教育活動
2025-04 -- 2027-03応用理工学類クラス担任筑波大学
2020-08 -- 2020-08ナノテクノロジープラットフォーム学生研修プログラム（GaN HEMTの作製）筑波大学
2019-05 -- (現在)フレッシュマンセミナー体験配属（リソグラフィ）筑波大学
2019-08 -- (現在)応用理工サマースクール体験実験（Ga2O3結晶成長、GaN LED作製）筑波大学　
2018-07 -- 2018-07電子工学特別講義　非常勤講師大阪大学
2018-04 -- 2020-03応用理工学類クラス担任筑波大学
一般講演
  • Power electronics (Ga2O3) device
    OKUMURA Hironori
    Baja-Tsukuba Collaborative Seminar/2024-10-11
  • Development of low-cost power devices using Al2O3
    OKUMURA Hironori
    Innovation for Cool Earth Forum/2024-10-09
  • Development of novel materials for high efficiency and low-cost power electronics
    OKUMURA Hironori
    Tsukuba Global Science Week/2024/10/3
  • GaNプロセスの現状と放射線検出器の作製
    奥村 宏典
    Platform B (Silicon) meeting/2024-09-05
  • 厳環境におけるワイドギャップ半導体の利用可能性
    奥村 宏典
    名古屋大CIRFEセミナー/2024-03-04
  • 酸化アルミニウムガリウムの電気伝導制御
    奥村 宏典
    TREMS成果報告会/2024-02-28
  • 極限環境で動作する半導体デバイス
    奥村 宏典
    筑波大Tristar共創リレーセミナー/2023-12-20
  • 世界初の導電性サファイア（酸化アルミニウム）実現
    奥村 宏典
    Innovation Leaders Summit/2023-12-04--2023-12-07
  • 高温・高放射線耐性に向けた半導体の結晶成長と素子特性
    奥村 宏典
    数理物質系学際セミナー/2023-10-20
  • Special session with University Presidents and Future Shapers
    Okumura Hironori
    Tsukuba conference/2023-09-28
  • Growth and electrical property of α-(AlGa)2O3
    Okumura Hironori
    J-FAST workshop/2023-09-27
  • Future of materials science contributing to the carbon neutrality
    Okumura Hironori
    Tsukuba Conference/2023-09-27
  • 窒化ガリウムを用いた放射線検出器
    奥村 宏典
    TREMS成果報告会/2023-02-28
  • 導電性サファイヤの開発
    奥村 宏典
    Innovation Japan 2022/2022-10-04--2022-10-31
  • Alpha- and beta-(AlGa)2O3 growth using Molecular Beam Epitaxy
    Okumura Hironori
    J-FAST kick-off meeting/2022-06-22--2022-06-24
  • 窒化アルミニウム層中の不純物拡散
    奥村 宏典
    TREMS成果報告会/2021-03-11
  • 高放射線耐性半導体を用いた重粒子線検出器の研究
    奥村 宏典; 井村 将隆; 外川 学; 西永 慈郎; 宮原 正也
    TIAナノエレの若手の会セミナー/2022-03-08
  • 極環境デバイス
    奥村 宏典
    100人論文/2021-11-05--2021-11-17
  • ナノスケール加工に向けた電子線露光実習
    奥村 宏典
    微細加工技術 実践セミナー/2020-10-07
  • 放射線耐性に優れた半導体素子の開発
    奥村 宏典
    JST新技術説明会/2020-10-04
  • 酸化ガリウムの結晶成長と電子デバイスの作製
    奥村 宏典
    TREMS成果報告会/2020-03-11
  • AlN結晶へのイオン注入
    奥村 宏典
    第162委員会 第116回研究会/2019-12-13--2019-12-14
  • 電子ビーム露光装置を用いたGa2O3 FinFETとAlN光導波路の作製
    奥村 宏典
    電子ビームリソグラフィセミナーV/2019-11-27
  • 放射線に負けないデバイスを使ってみよう！
    奥村 宏典; 西永慈郎; 井村将隆; 外川学; 宮原正也
    イノベーション・ジャパン2019－大学見本市/2019-08-29--2019-08-30
  • 超ワイドバンドギャップ半導体を用いたトランジスタ動作
    奥村 宏典
    NTT 物性科学基礎研究所　セミナー/2019-07-19--2019-07-19
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学協会等委員
2021-04 -- 2022-11International Workshop on Gallium Oxide and Related MaterialsProgram Committee
2020-03 -- 2022-02Electronic Materials SymposiumSecretaries
2020-01 -- 2022-12International Conference on Solid State Devices and MaterialsProgram Committee, Area 4
学内管理運営業績
2024-04 -- 2026-03広報委員会運営委員
2023-04 -- 2025-03サマースクール/スプリングスクール運営委員
2020-04 -- 2022-03スポーツデー運営委員会運営委員
2018-06 -- (現在)Nano-tech Platform in the university of TsukubaSteering Committee
2018-04 -- (現在)Tsukuba Research Center for Energy Materials ScienceMember
その他の活動
2022-08 -- 2025-03Top Runners in Strategy of Transborder Advanced Researches (TRiSTAR), Fellow
2018-08 -- 2019-12free English chat room (BiVi Tsukuba satellite office), Organizer
2018-04 -- 2019-03MEXT NISTEP, Science and Technology Foresight Center, Investigator

(最終更新日: 2025-04-25)