現在地

奥村 宏典(オクムラ ヒロノリ; Okumura, Hironori)

face
所属
数理物質系
職名
助教
URL
研究分野
電子・電気材料工学
結晶工学
薄膜・表面界面物性
研究課題
超高耐圧素子実現に向けた窒化アルミニウム素子作製の技術基盤の構築2019-04 -- 2023-03奥村宏典日本学術振興会/科学研究費 基盤研究(B)14,400,000円
放射線耐性に優れた半導体素子の開発2019-04 -- 2020-03奥村宏典筑波大学国際産学連携本部/つくば産学連携強化プロジェクト2,000,000円
酸化ガリウム共鳴トンネルダイオードの試作2018-11 -- 2019-10大島孝仁公益財団法人カシオ科学振興財団/第36回研究助成1,000,000円
高放射線耐性半導体光検出器の実現のための調査研究2018-04 -- 2020-03井村 将隆TIA連携プログラム/平成30年度TIA連携プログラム探索推進事業「かけはし」3,300,000円
窒素極性面AlNの接触抵抗低減と分極効果トランジスタの実現2017-04 -- 2019-03奥村宏典日本学術振興会/科学研究費 若手研究(B)4,420,000円
陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価2016-06 -- 2021-03上殿明良日本学術振興会/新学術領域研究(計画研究)50,700,000円
InAlN層におけるデバイスプロセス中に発生した欠陥評価とその電気的特性への影響2015-08 -- 2017-03奥村宏典日本学術振興会/科学研究費 若手研究(スタートアップ)2,990,000円
職歴
2016-04 -- 2018-03MIT EECS visiting researcher
2015-04 -- 2016-03EPFL Physics visiting researcher
2014-04 -- 2015-03NTT Basic research laboratory Post-doc
2012-04 -- 2014-03UCSB Materials Post-doc (JSPS fellowship)
学歴
2007-04 -- 2012-03Kyoto University Engineering Electrical and Electronics Engineering修了
2003-04 -- 2007-03Kyoto University engineering Electrical and Electronics Engineering卒業
取得学位
2012-03Ph.D, engineeringKyoto University
免許資格等
2014-10特定高圧ガス取扱主任者
所属学協会
2016-12 -- 2018-12MRS
2009-04 -- 2012-03日本結晶成長学会
2007-03 -- 2012-03応用物理学会
受賞
2019-09-03SSDM Young Researcher Award
論文
著書
会議発表等
  • Demonstration of (AlGa)2O3-channel MOSFETs
    Okumura Hironori
    2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials/2019-08-12--2019-08-15
  • N-polar AlN POLFET
    Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
    International Workshop on Nitride Semiconductors/2018-11-11--2018-11-16
  • Demonstration of beta-(AlGa)2O3(010) metal-semiconductor field-effect transistors with high breakdown voltage over 900 V
    Okumura Hironori; Kato Yuji; Ohshima Takayoshi; Palacios ...
    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials/2018-09-09--2018-09-13
  • Nitrogen-face AlN-based field-effect transistors
    Okumura Hironori; Lemettinen Jori; Suihkonen Sami; Palaci...
    Compound Semiconductor Week 2018/2018-05-29--2018-06-01
  • AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
    Okumura Hironori
    The 2017 MRS Fall Meeting & Exhibit/2017-11-26--2017-12-01
  • AIN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation
    Okumura Hironori; Suihkonen Sami; Lemettinen Jori; Uedono...
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22
  • Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN
    Okumura Hironori; Sami Suihkonen Tomas Palacios
    9th International Conference on Nitride Semiconductors/2017-07
  • Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
    Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas G...
    2016 Materials Research Societies Fall meeting/2016-12
  • Highly p-type GaN for Advanced Optoelectronic Devices
    Okumura Hironori; Malinverni Marco; Martin Denis; Grandje...
    2016 IEEE Photonics Conference/2016-10
  • Electrical Properties of Mg-doped GaN with High Acceptor Concentrations
    Okumura Hironori; Marco Malinverni Denis Martin Nicolas G...
    19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy/2016-09
担当授業科目
2019-10 -- 2020-02固体物理学B筑波大学
2018-10 -- (?)ワイドギャップ半導体特論筑波大学 数理物質系
2018-10 -- (?)固体物理学B筑波大学 応用理工学類
2018-04 -- 2018-06フレッシュマン・セミナー筑波大学 応用理工学類
授業以外の教育活動
2019-05 -- (現在)フレッシュマンセミナー体験配属(半導体デバイスの作製)筑波大学
2019-08 -- (現在)応用理工サマースクール体験実験(SiC SBDの作製)筑波大学 
2018-07 -- 2018-07電子工学特別講義 非常勤講師大阪大学
2018-04 -- 2020-03応用理工学類クラス担任筑波大学
一般講演
  • 放射線に負けないデバイスを使ってみよう!
    奥村 宏典; 西永慈郎; 井村将隆; 外川学; 宮原正也
    イノベーション・ジャパン2019-大学見本市/2019-08-29--2019-08-30
  • 超ワイドバンドギャップ半導体を用いたトランジスタ動作
    奥村 宏典
    NTT 物性科学基礎研究所 セミナー/2019-07-19--2019-07-19
  • 窒化アルミニウムおよび酸化ガリウムの結晶成長からトランジスタ作製まで
    奥村 宏典
    JEITA/2019-07-18--2019-07-19
  • Crystal growth and devices for wide band-gap semiconductors over 5 eV
    Okumura Hironori
    Ohio State Univeristy, Seminar/2019-03-18--2019-03-18
  • 省エネに向けた新規パワーデバイス材料に関する研究
    奥村 宏典
    産学連携シンポジウム/2019-03-15--2019-03-15
  • 新規パワーデバイス用材料に関する研究
    奥村 宏典
    Nanotech expo 2019/2019-01-30--2019-02-01
  • High-power devices using ultra wide bandgap semiconductors
    Okumura Hironori
    University of California, Santa Barbara, Seminar/2018-03-20--2018-3-20
  • これまでの半導体とこれからの半導体
    奥村 宏典
    ボストン日本人研究者交流会/2018-03-17--2018-03-17
  • 高濃度Mgドーピングによるp型GaN層の接触抵抗の低減
    奥村 宏典
    筑波大学数理物質系 専攻セミナー/2016-04-01--2016-04-01
  • 垂直共振器面発光レーザー応用に向けたGaN層のトンネル接合
    奥村 宏典
    東京大学生産技術研究所 セミナー/2016-03-30--2016-03-30
  • 高濃度 Mg ドーピングを行った p 型 GaN 層の低い接触抵抗
    奥村 宏典
    京都大学大学院工学研究科 セミナー/2016-03-29--2016-03-29
  • P-Type Doping Control of Mg-doped AlGaN for deep-UV LEDs
    Okumura Hironori; Yoshitaka Taniyasu; Hideki Yamamoto
    Aalto University seminer/2015-09-14--2015-09-14
  • New Devices using Wide-Bandgap Semiconductors
    Okumura Hironori
    3rd Meeting of Japanese young scientists in EU/2015-08-29--2015-08-29
  • AlGaN growth using PAMBE and MOVPE
    Okumura Hironori
    EPFL seminar/2015-04-15
学内管理運営業績
2018-06 -- (現在)筑波大学ナノプラットフォーム運営委員
2018-04 -- (現在)Tsukuba Research Center for Energy Materials Science
その他の活動
2018-08 -- (現在)Organizer for free English chat room at BiVi Tsukuba satellite office
2018-04 -- 2019-03文部科学省 科学技術・学術政策研究所 科学技術動向研究センター 専門調査員

(最終更新日: 2019-08-19)