現在地

岡本 大(オカモト ダイ; Okamoto, Dai)

所属
数理物質系
職名
助教
ORCID
0000-0003-2494-1764
性別
男性
生年月
1983-07
科研費番号
50612181
URL
eメール
 
研究室
パワーエレクトロニクス研究室
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究キーワード
半導体、デバイス物理、シリコンカーバイド、絶縁膜技術、界面物性、パワーデバイス
研究課題
SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたNBTI現象の理解と抑制指針の提示2020-04 -- 2023-03岡本 大日本学術振興会/基盤研究(C)4,290,000円
新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用2017-04 -- 2020-03岡本 大日本学術振興会/若手研究(B)4,290,000円
新規界面原子導入による高移動度SiC MOSFET作製技術の確立2014-04 -- 2016-03岡本 大日本学術振興会/科学研究費 若手研究(B)
職歴
2009-04 -- 2011-03日本学術振興会 特別研究員(DC2)
2011-04 -- 2015-06産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究員
取得学位
2008-03修士(工学)奈良先端科学技術大学院大学
2011-03博士(工学)奈良先端科学技術大学院大学
所属学協会
-- (現在)応用物理学会
-- (現在)IEEE
受賞
2019-12応用物理学会 先進パワー半導体分科会 研究奨励賞(指導学生)
2009-12応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 研究奨励賞
2010-02IEEE Kansai Section Student Paper Award
2010-05IEEE IMFEDK Best Paper Award
論文
著書
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
    岡本大; 周星炎; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第25回研究会/2020-01-31--2020-02-01
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷優汰; 張旭芳; 岡本大; 岩室憲幸; 矢野 裕司
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明
    周星炎; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • 高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
    坂田 大輝; 岡本大; 染谷満; 岡本光央; 原田信介; 畠山哲夫; ...
    先進パワー半導体分科会 第6回講演会/2019-12-03--2019-12-04
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
    根本宏樹; 岡本大; 張旭芳; 染谷満; 岡本光央; 畠山哲夫; 原...
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-09-18--2019-09-21
  • Different Behaviors of Interface Traps for p-type 4H-SiC MOS Capacitors with Wet and Nitrided Gate Oxides
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsuru; Harada Shins...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps
    Matsuya Yuta; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Iwamuro Noriyuki...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
    Zhou Xingyan; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsuru...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias
    Nemoto Hiroki; Okamoto Dai; Zhang Xufang; Sometani Mitsur...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)/2019-09-29--2019-10-04
  • Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method
    岡本 大; 根本 宏樹; 張 旭芳; 周 星炎; 染谷 満; 岡本...
    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019)/2019-9-29--2019-10-4
  • 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析
    松谷 優汰; 張 旭芳; 岡本 大; 岩室 憲幸; 矢野 裕司
    第80回応用物理学会秋季学術講演会/2019-9-18--2019-9-21
  • SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
    矢野 裕司; 岡本大; 梅田享英; 櫻井岳暁; 蓮沼隆
    SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム/2019-03-28--2019-03-29
  • SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 増田健良; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
    X. Zhang; D. Okamoto; T. Hatakeyama; M. Sometani; S. Hara...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会/2019-01-25--2019-01-26
  • Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0_338(_)), (112(_)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
    Hatakeyama T.; Masuda T.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 岡本 光央; 畠山 ...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
    周 星炎; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岡本 光...
    先進パワー半導体分科会第5回講演会/2018-11-06--2018-11-07
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    12th European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
    Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada...
    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
担当授業科目
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IB筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2019-04 -- 2019-08電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2019-10 -- 2020-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
学協会等委員
2021 -- 2021第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会プログラム委員長
2019-07 -- (現在)一般社団法人 SiCアライアンス広報委員
2019-07 -- 2020-04IEICE Nonlinear Theory and Its Applications (電子情報通信学会NOLTA誌)編集委員
2020 -- 2020第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会副プログラム委員長
2019 -- 2019第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2018 -- 2018第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2017 -- 2017第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2016 -- 20162016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)実行委員
2016 -- 2016応用物理学会 先進パワー半導体分科会第3回講演会実行委員

(最終更新日: 2020-05-22)