現在地

岡本 大(オカモト ダイ; Okamoto, Dai)

所属
数理物質系
職名
助教
性別
男性
生年月
1983-07
科研費番号
50612181
URL
eメール
 
研究室
パワーエレクトロニクス研究室
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究キーワード
半導体、デバイス物理、シリコンカーバイド、絶縁膜技術、界面物性、パワーデバイス
研究課題
新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用2017 -- 2019岡本 大日本学術振興会/若手研究(B)4,290,000円
新規界面原子導入による高移動度SiC MOSFET作製技術の確立2014-04 -- 2016-03岡本 大日本学術振興会/科学研究費 若手研究(B)
職歴
2009-04 -- 2011-03日本学術振興会 特別研究員(DC2)
2011-04 -- 2015-06産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究員
取得学位
2008-03修士(工学)奈良先端科学技術大学院大学
2011-03博士(工学)奈良先端科学技術大学院大学
所属学協会
-- (現在)応用物理学会
-- (現在)IEEE
受賞
2009-12応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 研究奨励賞
2010-02IEEE Kansai Section Student Paper Award
2010-05IEEE IMFEDK Best Paper Award
論文
  • Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements
    Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    Extended abstracts of the 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related materials/p.TU.B1.2, 2017-09
  • Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
    Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
    Extended abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials/pp.687-688, 2017-09
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.145-146, 2017-11
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.149-150, 2017-11
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-009, 2017-09
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-007, 2017-09
  • Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-005, 2017-09
  • 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集/p.13-011, 2017-09
  • Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.57-58, 2017-11
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.261-262, 2017-11
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.177-178, 2017-11
  • 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会第4回講演会 予稿集/pp.253-254, 2017-11
  • Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第23回研究会 講演予稿集/pp.199-202, 2018-01
  • メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
    北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    平成30年電気学会全国大会講演論文集/p.4-011, 2018-03
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 ...
    第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-282, 2018-03
  • Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
    X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
    第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集/p.13-172, 2018-03
  • Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
    Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada...
    Extended Abstracts of 2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices/pp.151-152, 2017-11
  • Analysis of fast and slow responses in AC conductance curves for p-type SiC MOS capacitors
    Y Karamoto; X Zhang; D Okamoto; M Sometani; T Hatakeyama;...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/57(6S3)/p.06KA06, 2018-05
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    X Zhang; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; N...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/57(6S3)/p.06KA04, 2018-05
  • Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
    Sometani M; Okamoto M; Hatakeyama T; Iwahashi Y; Hayashi ...
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/57(4S)/p.04FA07, 2018-03
  • 異原子導入によるSiC MOSFETの特性改善
    岡本 大; 矢野裕司
    応用物理/86(9)/pp.781-785, 2017-09
  • Characterization of Near-Interface Traps at 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces Using a Modified Distributed Circuit Model
    Zhang X.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Harada ...
    Appl. Phys. Express/10(6)/p.064101, 2017-06
  • Experimental Demonstration of -730V Vertical SiC p-MOSFET with High Short Circuit Withstand Capability for Complementary Inverter Applications
    An J.; Namai M.; Tanabe M.; Okamoto D.; Yano Hiroshi; Iwa...
    Technical Digest of International Electron Device Meeting 2016/pp.IEDM16-272-IEDM16-275, 2016-12
  • Characterization of Traps at Nitrided SiO2/SiC Interfaces near the Conduction Band Edge by using Hall Effect Measurements
    Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    Abstracts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference/p.11.17, 2016-12
  • A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
    Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; M. Sometani; Hara...
    Abstacts of 47th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference/p.11.15, 2016-12
著書
  • Making a debut: the p-type SiC MOSFET
    An Junjie; Namai Masaki; Tanabe Mikiko; Okamoto Dai; Yano...
    Compound Semiconductor, Angel Business Communications publication, pp.47-50, 2017-06
会議発表等
  • Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements”
    Zhou X.; 岡本大; Hatakeyama T.; 染谷 満; 原田 信介; 張...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • Analysis of leakage current conduction mechanisms in thermally grown oxides on p-channel 4H-SiC MOSFETs
    宏樹 根本; 岡本 大; 満 染谷; Kiuchi Y; Hatakeyama T.; 原...
    European Conference on Silicone Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)/2018-09-02--2018-09-06
  • SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
    大川 雅貴; 飯嶋竜司; 岡本大; 矢野 裕司; 岩室 憲幸
    平成31年電気学会全国大会/2019-03-12--2019-03-14
  • Comparison between Conduction Mechanisms of Leakage Current in Nitrided Thermal SiO2 Strates on 4H-SiC Si- and C-face Substrates
    Y. Kiuchi; Sometani M.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Harada...
    2017 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2017IWDTF)/2017-11-20--2017-11-22
  • 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 岡本光央; 原田信介; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 長時間ストレス印加時のしきい値電圧変動に対する測定法の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 岡本光央; 畠山哲夫; 原田信介; ...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野 裕司; ...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • Characterization of Traps at SiO2/SiC (000-1) near the Conduction Band Edge by Using Hall Effect Measurements
    Hatakeyama T.; Kiuchi Y.; Sometani M.; Okamoto D.; Harada...
    The 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)/2017-09-17--2017-09-22
  • Analysis of fast and slow responses of interface traps in p-type SiC MOS capacitors by conductance method
    Karamoto YUki; Zhang Xufang; Okamoto Dai; Sometani Mitsur...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • Impact of oxide thickness on the density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors
    Zhang Xufang; Okamoto Dai; Hatakeyama Tetsuo; Sometani Mi...
    International Workshop on Dielectric Thin films for Future Electron Devices (IWDTF 2017)/2017-11-20--2017-11-22
  • メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n+層オーミックコンタクト実現の検討
    北島魁人; 岡本大; 矢野裕司; 岩室 憲幸
    平成30年電気学会全国大会/2018-03-14--2018-03-16
  • Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
    Sometani Mitsuru; Okamoto Mitsuo; Hatakeyama Tetsuo; Iwah...
    International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)/2017-09-19--2017-09-22
  • Impact of passivation treatments on channel mobility for p-channel 4H-SiC MOSFETs
    X Zhou; D Okamoto; T Hatakeyama; M Sometani; S Harada; Y ...
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
  • pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
    根本 宏樹; 岡本 大; 染谷 満; 木内 祐治; 畠山 哲夫; 原田 ...
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会/2018-03-17--2018-03-20
  • Difference of NIT density distribution in 4H-SiC MOS interfaces for Si- and C-faces
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会/2018-01-18--2018-01-20
  • Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOS界面の高速及び低速応答準位の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • Density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS structures with different oxide thicknesses
    張 旭芳; 岡本 大; 畠山 哲夫; 染谷 満; 原田 信介; 岩室 憲...
    先進パワー半導体分科会 第4回講演会/2017-11-01--2017-11-02
  • コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析
    唐本 祐樹; 張 旭芳; 岡本 大; 染谷 満; 畠山 哲夫; 原田 信...
    第78回応用物理学会秋季学術講演会/2017-09-05--2017-09-08
  • 4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響
    木内祐治; 染谷満; 岡本大; 畠山哲夫; 原田信介; 矢野裕司; ...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価
    畠山哲夫; 木内祐治; 染谷満; 岡本大; 原田信介; 矢野裕司; ...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • 窒化したp 型SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
    唐本祐樹; 岡本大; 原田信介; 染谷満; 畠山哲夫; 小杉亮治; ...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性の周波数依存性
    王緒昆; 岡本大; 原田信介; 岩室憲幸; 矢野裕司
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
  • A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors
    Zhang X. F.; Okamoto D.; Hatakeyama T.; Sometani M.; Hara...
    第77回応用物理学会秋季学術講演会/2016-09-13--2016-09-16
担当授業科目
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIIA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IIIB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IVA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究IVB筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究VA筑波大学
2018-10 -- 2019-02電子・物理工学特別研究VB筑波大学
学協会等委員
2018 -- 2018第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2017 -- 2017第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2016 -- 20162016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)実行委員
2016 -- 2016応用物理学会 先進パワー半導体分科会第3回講演会実行委員

(最終更新日: 2018-08-23)