関口 隆史(セキグチ タカシ)
- 所属
- 数理物質系
- 職名
- 教授
- eメール
- +H:@><J8=>aI6@6H=>a;EXgcJaIHJ@J76a68a?E
- 研究キーワード
走査電子顕微鏡、半導体、格子欠陥 二次電子検出器 - 取得学位
1996-03 博士(理学) 東北大学 - 所属学協会
1988-04 -- (現在) 日本応用物理学会 1998-04 -- (現在) 日本顕微鏡学会 - 受賞
2017-06 瀬藤賞(顕微鏡学会賞) 半導体材料のカソードルミネッセンス・電子線誘起電流による機能評価 - 論文
- Cathodoluminescence Study of 3C-SiC Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates
Chen Jun; Sazawa Hiroyuki; Yi Wei; Sekigushi Takashi
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS/52(8)/pp.5075-5083, 2023-08 - Damage-less observation of polymers by electron dose control in scanning electron microscope
Sekigushi Takashi
Microscopy/70(4)/pp.375-381, 2021-09 - Composition dependent properties of p- and n-type polycrystalline group-IV alloy thin films
Sekigushi Takashi
Journal of Alloys and Compounds/887, 2021-12 - Atomic-scale investigation of implanted Mg in GaN through ultra-high-pressure annealing
Uzuhashi Jun; Chen Jun; Kumar Ashutosh; Yi Wei; Ohkubo T...
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS/131(18), 2022-06 - Stable single atomic silver wires assembling into a circuitry-connectable nanoarray
Sekigushi Takashi
NATURE COMMUNICATIONS/12(1)/p.1191, 2021-02 - Mg diffusion and activation along threading dislocations in GaN
Yi Wei; Kumar Ashutosh; Uzuhashi Jun; Kimura Takashi; Tan...
Applied Physics Letters/116(24), 2020-06 - Influence of implanted Mg concentration on defects and Mg distribution in GaN
Kumar Ashutosh; Yi Wei; Uzuhashi Jun; Ohkubo Tadakatsu; J...
J. Appl. Phys./128/p.065701, 2020-08 - Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Study of Dislocations in SrTiO3
Yi Wei; Chen Jun; Sekigushi Takashi
CRYSTALS/10(9)/p.736, 2020-10 - Electron-Beam-Induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes
Sekigushi Takashi
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS/49(9)/pp.5196-5204, 2020-09 - Cathodoluminescence Investigation of Stacking Faults and Dislocations in the Edge Part of Seed-Grown m-Plane GaN Substrate
Chen Jun; Yi Wei; Ito Shun; Sekigushi Takashi
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE/218(14)/p.2100175, 2021-07 - 4H-SiC電力素子中でのREDG効果により成長したShockley型積層欠陥の形状についての解析
松畑 洋文; 関口 隆史
日本結晶学会誌/62(3)/pp.150-157, 2020 - 岩井秀夫さんを偲んで
大岩 烈; 関口 隆史
表面と真空/63(10)/pp.552-553, 2020 - Investigation of Si Dendrites by Electron-Beam-Induced Current
Sekigushi Takashi
CRYSTALS, 2018-08 - Cathodoluminescence and scanning transmission electron microscopy study of InGaN/GaN quantum wells in core-shell GaN nanowires
Sekigushi Takashi
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019-08 - Electron-Beam-Induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes
Sekigushi Takashi
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020-03 - Oxygen vacancy migration along dislocations in SrTiO3 studied by cathodoluminescence
Wang Peng; Yi Wei; Chen Jun; Ito Shun; Cui Can; Sekiguchi...
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS/52(47), 2019-11 - Wafer-scale analysis of GaN substrate wafer by imaging cathodoluminescence
Yi Wei; Chen Jun; Higuchi Seiji; Sekiguchi Takashi
APPLIED PHYSICS EXPRESS/12(5), 2019-05 - Cathodoluminescene study of Mg implanted GaN: the impact of dislocation on Mg diffusion
Chen Jun; Yi Wei; Kimura Takashi; Takashima Shinya; Edo ...
APPLIED PHYSICS EXPRESS/12(5), 2019-05 - 噴水検出器による半導体pn接合のエネルギー分解二次電子像
関口 隆史; 揚村 寿英; 岩井 秀夫
表面科学学術講演会要旨集/2018(0)/p.10, 2018
- Cathodoluminescence Study of 3C-SiC Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates
- 会議発表等
- 線形代数とSEM ー 電子検出器のアクセプタンスについて
関口 隆史
第60回表面分析研究会/2023-06-29--2023-06-30 - Evaluation of the detection property of an angle selective fountain electron detector
関口 隆史; 熊谷和博
DRIP XIX (The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors)/2022-08-29--2022-09-01 - Cathodoluminescence study of 3C-SiC layer grown on 4H-SiC substrate
Jun Chen; Sazawa Hiroyuki; Wei Yi; Sekigushi Takashi
DRIP XIX (The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors)/2022-08-29--2022-09-01 - 線形代数とSEM/電子検出器のアクセプタンスについて
関口 隆史
第 60 回表面分析研究会/2023-06-29--2023-06-30 - 低真空SEMが拓く顕微鏡の世界
関口 隆史
日本表面真空学会真空技術部会/2023-06-07--2023-06-07 - 3分割噴水型二次電子検出器によるSiC表面の段差構造評価
関口 隆史; 小川創馬; 熊谷和博
日本顕微鏡学会第79回学術講演会/2023-06-26--2023-06-28 - SEMにおける斜出射二次電子・反射電子検出の特徴
関口 隆史
日本顕微鏡学会第79回学術講演会/2023-06-26--2023-06-28 - 低真空SEMによるミセルの観察
関口 隆史
日本顕微鏡学会学術講演会/2021-06-14--2021-06-16 - 各種検出器による枯草菌の観察
関口 隆史
日本顕微鏡学会学術講演会/2021-06-14--2021-06-16 - 走査電子顕微鏡における帯電現象と二次電子放出の関係
関口 隆史
日本顕微鏡学会学術講演会/2021-06-14--2021-06-16 - 試料帯電が反射電子像に与える影響の評価-ハレーション
関口 隆史
日本顕微鏡学会学術講演会/2021-06-14--2021-06-16 - Energy and Direction Resolved Secondary Electron Imaging Using Fountain Detector
Sekigushi Takashi
International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA-19)/2019-11-08 - Low Vacuum Scanning Electron Microscopy for Widegap Semiconductors and Insulating Materials
Sekigushi Takashi
International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII)/2019-09-08--2019-09-12 - GaPにおけるコヒーレントフォノンのGa+集束イオンビーム照射効果
市川 卓人; 関口隆史; 齊藤 雄太; 長谷 宗明
第67回応用物理学会春季学術講演会/2020-03-12--2020-03-15 - Secondary electron spectroscopy for imaging semiconductor materials
Agemura Toshihide; Sekiguchi Takashi
International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM)/2018-12-10--2018-12-11
- 線形代数とSEM ー 電子検出器のアクセプタンスについて
- 担当授業科目
2024-05 -- 2024-08 計測実験学 筑波大学 2024-04 -- 2024-07 走査型電子顕微鏡 筑波大学 2024-04 -- 2024-06 量子力学I 筑波大学 2024-04 -- 2024-07 線形代数A 筑波大学 2023-10 -- 2024-02 光・電子ナノ材料工学特別研究IA 筑波大学 2023-10 -- 2024-02 光・電子ナノ材料工学特別研究IIA 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 光・電子ナノ材料工学特別研究IIB 筑波大学 2023-10 -- 2024-02 光・電子ナノ材料工学セミナーII 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 光・電子ナノ材料工学特別研究IB 筑波大学 2023-04 -- 2023-08 光・電子ナノ材料工学特別研究IIA 筑波大学 さらに表示... - 一般講演
- 各種検出器による枯草菌の観察
関口 隆史
日本顕微鏡学会学術講演会/2021-06-14--2021-06-16
- 各種検出器による枯草菌の観察
- 学協会等委員
2020-06 -- 2022-05 日本顕微鏡学会 評議員 - 学内管理運営業績
2022-04 -- 2024-03 ハラスメント相談員 ハラスメント相談 2021-04 -- 2022-03 理工学類総合政策室 総合政策室員
(最終更新日: 2024-08-02)